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摘要:通過對(duì)鈦酸鉛陶瓷氣相擴(kuò)滲稀土元素,制備了導(dǎo)電陶瓷材料。通過X射線衍射、電子探針X射線能譜和掃描電鏡測(cè)試分析,表明稀土元素La,Ce,Gd,Sm等均已滲入到PbTiO3陶瓷體相中,并生成了新的化合物L(fēng)a5O7NO3,La2C2O2,Gd2O3,La2Ti6O15,SmO和CeTi21O38,并使擴(kuò)滲后的PbTiO3基陶瓷的導(dǎo)電性能發(fā)生了十分顯著的變化,其室溫電阻率從純PbTiO3陶瓷的2.0×1010?·m下降為0.2?·m,而且隨著溫度的變化,晶粒電阻呈現(xiàn)明顯的PTCR效應(yīng),而晶界電阻隨著溫度的升高,呈急劇連續(xù)降低狀態(tài),總電阻的變化規(guī)律與晶界電阻的變化相類似,試樣總電阻的PTCR效應(yīng)已不存在,已表現(xiàn)出導(dǎo)電體特征。

摘要:采用高溫固相反應(yīng)法制備了Eu3+摻雜ZnO-MgO-La2O3-B2O3基質(zhì)的光致發(fā)光光纖,通過軸向拉伸試驗(yàn)測(cè)量了該光纖的應(yīng)力-應(yīng)變曲線。應(yīng)用彈脆塑性理論研究了屈服面的變化和應(yīng)力-應(yīng)變的本構(gòu)關(guān)系,計(jì)算了拉伸彈性模量、拉伸強(qiáng)度、拉伸最大負(fù)荷、拉伸強(qiáng)度的應(yīng)變、斷裂伸長(zhǎng)率和材料的脆性指數(shù)。結(jié)果表明,該光纖彈性模量高于普通玻璃和大理石,接近于硬鋁合金和軋制鋁,其拉伸強(qiáng)度和所能承載的負(fù)荷都較大。

摘要:通過X射線衍射分析、透射電鏡觀察、紅外透射光譜分析、紫外-可見吸收光譜分析和光致發(fā)光試驗(yàn),研究了用金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積(MOCVD)的方法,在帶有GaN緩沖層的藍(lán)寶石(Al2O3)襯底上生長(zhǎng)的AlGaN/GaN超晶格材料的微觀結(jié)構(gòu)、光吸收性質(zhì)和發(fā)光特性。X射線衍射結(jié)果表明,GaN基材料均為纖鋅礦六方結(jié)構(gòu),薄膜具有良好的結(jié)晶質(zhì)量,薄膜生長(zhǎng)沿c軸擇優(yōu)取向。透射電鏡觀察表明,超晶格試樣的周期結(jié)構(gòu)分布均勻,實(shí)際周期為13.3nm,且觀察到高密度的位錯(cuò)存在于外延膜中。通過光學(xué)試驗(yàn)數(shù)據(jù),確定了試樣的光學(xué)吸收邊都是在370nm附近,理論計(jì)算顯示試樣為直接躍遷型半導(dǎo)體,禁帶寬度約為3.4eV。試樣的折射率隨光子能量的增加而增加、隨波長(zhǎng)的增加而減小,計(jì)算表明消光系數(shù)的極小值位于370nm處。光致發(fā)光測(cè)試分析表明,超晶格有很好的發(fā)光性能,并發(fā)現(xiàn)存在黃帶發(fā)光。

摘要:運(yùn)用鹽-金屬反應(yīng)法制備了亞微米TiB_2 顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料(TiB_2/AC8A)。TiB_2 顆粒通過鈦鹽和硼鹽與鋁合金反應(yīng)原位生成。對(duì)復(fù)合材料進(jìn)行了顯微組織觀察和高溫蠕變性能實(shí)驗(yàn)。原位TiB2顆粒的尺寸約為0.5 μm,近似呈球形。TiB_2/AC8A 復(fù)合材料具有優(yōu)異的高溫蠕變性能。10 ω/% TiB2原位顆粒(~0.5 μm)增強(qiáng)AC8A 復(fù)合材料的蠕變抗力比10 φ/% SiCp(1.7 μm)外加顆粒增強(qiáng)Al 復(fù)合材料至少要高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。10 ω/% TiB_2/AC8A 復(fù)合材料表現(xiàn)出高的名義應(yīng)力指數(shù)(11.7~12.5)和名義激活能(265 kJ/mol),其穩(wěn)態(tài)蠕變數(shù)據(jù)能夠用應(yīng)力指數(shù)為8 的亞結(jié)構(gòu)不變模型和門檻應(yīng)力來解釋。TiB_2/AC8A 復(fù)合材料的蠕變斷裂行為符合Monkman-Grant 關(guān)系式。

摘要:利用溶膠-凝膠法制備了納米晶La0.7Pb0.3FeO3氣敏材料,并對(duì)其相組成、電導(dǎo)及其對(duì)CO氣敏性能進(jìn)行了研究。XRD結(jié)果表明:摻鉛固溶體La0.7Pb0.3FeO3仍為正交晶系鈣鈦礦結(jié)構(gòu),粒徑約為17nm,低于純相LaFeO3的粒徑31nm。電導(dǎo)測(cè)量顯示:該材料呈p型半導(dǎo)體導(dǎo)電行為,電導(dǎo)大于同溫度下純相LaFeO3的電導(dǎo),且電導(dǎo)突變溫度有所降低。氣敏性能研究表明:Pb摻雜對(duì)其CO氣敏性能有了明顯改善。

摘要:通過液態(tài)原位反應(yīng)合成制備MgO/Mg2Si增強(qiáng)Mg-Li基復(fù)合材料,利用TEM對(duì)增強(qiáng)相形態(tài)及界面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了觀察。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,復(fù)合材料中增強(qiáng)粒子與基體界面結(jié)合良好,無反應(yīng)物生成。確定了增強(qiáng)粒子與基體的界面取向關(guān)系,MgO與基體α相的晶體學(xué)關(guān)系為[100]MgO‖[4043]α,(011)MgO‖(1210)α;Mg2Si與基體β相的晶體學(xué)關(guān)系為[310]Mg2Si‖[411]β,(131)Mg2Si‖(001)β。

摘要:將高能球磨后的Ti-Al粉末和TiC,Al2O3粉末混合進(jìn)行熱壓燒結(jié),在燒結(jié)的過程中反應(yīng)生成金屬間化合物為增強(qiáng)相的復(fù)合材料。通過對(duì)粉料的X射線衍射分析、熱分析(DSC)和燒結(jié)體的成分分析表明,最終的金屬間化合物只有Ti3Al而沒有其它金屬間化合物相。通過熱力學(xué)計(jì)算,分析了反應(yīng)燒結(jié)過程并發(fā)現(xiàn)在低溫由固相間原子擴(kuò)散控制生成TiAl3,TiAl,Ti3Al的漸進(jìn)過程,和在高溫下金屬間化合物的合成機(jī)理,而且增強(qiáng)相和基體界面間處于穩(wěn)定狀態(tài)。

摘要:用直流反應(yīng)磁控濺射法制備了TiO2薄膜,并對(duì)熱處理前后試樣的紫外可見光譜(UV-Visspectrum)和熒光發(fā)射光譜(PLSpectrunm)做了研究。發(fā)現(xiàn)熱處理后試樣的紫外可見光譜在496nm處出現(xiàn)了一個(gè)較為明顯的吸收峰,熒光發(fā)射光譜496.5nm處出現(xiàn)一個(gè)熒光發(fā)射帶肩。X射線光電子能譜(XPS)的分析結(jié)果表明,熱處理可使薄膜中晶格氧擴(kuò)散出去,生成Ti3+離子和氧空位。結(jié)合XPS的分析結(jié)果和理論計(jì)算,可推斷熱處理后出現(xiàn)的位于496nm處的吸收峰和496.5nm處的熒光帶肩可被指認(rèn)為薄膜中Ti3+離子的d電子躍遷產(chǎn)生。

摘要:采用自行研制的脈沖微弧氧化設(shè)備,在TiAl合金表面制備了微弧氧化陶瓷層。測(cè)定了TiAl合金微弧氧化陶瓷層在高溫循環(huán)氧化條件下的氧化動(dòng)力學(xué)曲線。研究了在微弧氧化處理溶液中加入SiO32-對(duì)陶瓷層性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示:經(jīng)過微弧氧化處理后試樣的高溫氧化動(dòng)力學(xué)曲線大致呈拋物線規(guī)律,其表面的陶瓷氧化膜具有保護(hù)性;在微弧氧化處理溶液中加入SiO32-后,微弧氧化處理的TiAl合金的使用溫度可提高到1273K。利用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射儀(XRD)對(duì)陶瓷層的顯微結(jié)構(gòu)和物相組成進(jìn)行分析,發(fā)現(xiàn)其物相組成為含量約占80%的Al2TiO5,11%的TiO2以及9%的SiO2。這表明SiO2能有效抑制Al2TiO5在高溫下的分解,從而大幅提高TiAl合金的抗高溫氧化性。

摘要:采用SiC/Si3N4陶瓷先驅(qū)體聚硅氮烷連接反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷,研究了連接溫度、連接壓力、浸漬/裂解增強(qiáng)處理對(duì)連接強(qiáng)度的影響。結(jié)果表明:在1100℃~1400℃溫度范圍內(nèi),連接強(qiáng)度先升高后降低;連接過程中施加適當(dāng)?shù)妮S向壓力可提高連接層致密度;浸漬/裂解增強(qiáng)處理可大幅度提高接頭強(qiáng)度。當(dāng)連接溫度為1300℃,連接壓力為15kPa,經(jīng)3次增強(qiáng)處理的連接件抗彎強(qiáng)度達(dá)最大值169.1MPa。這種連接件的斷口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明,隨著溫度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解產(chǎn)物發(fā)生了由非晶態(tài)向晶態(tài)的轉(zhuǎn)變。微觀結(jié)構(gòu)及成分分析顯示:連接層為厚度2μm~3μm的SiCN無定形陶瓷,其結(jié)構(gòu)較為均勻致密;連接層與基體間界面接合良好。

摘要:研究了采用懸浮熔煉(常規(guī)鑄態(tài))和不同冷卻速度的單輥快淬方法制備的Mm(NiCoMnAl)5型稀土系貯氫合金負(fù)極活性材料對(duì)金屬氫化物鎳(MH/Ni)電池性能的影響。結(jié)果表明,采用不同方法制備的合金對(duì)整個(gè)電池活化后的容量和內(nèi)阻影響很小,但是常規(guī)鑄態(tài)合金在退火后降低了電池的放電電壓平臺(tái),快淬合金隨著冷凝速率的提高,放電平臺(tái)呈降低趨勢(shì)。對(duì)循環(huán)充放電過程中電池內(nèi)阻、循環(huán)到一定次數(shù)時(shí)負(fù)極貯氫合金的粒度和正極內(nèi)鋁含量的測(cè)試結(jié)果表明,鑄態(tài)不退火合金較差的抗粉化性和較差的耐腐蝕性使電池的循環(huán)性能較差,經(jīng)退火后其性能均有所提高,快淬合金使電池的循環(huán)性能優(yōu)于常規(guī)鑄態(tài)合金。

摘要:采用純度分別為99.94%和99.2%的稀土金屬Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28兩組合金,研究雜質(zhì)對(duì)Gd5(SixGe1-x)4合金磁熵變的影響原因。粉末衍射結(jié)構(gòu)分析表明,所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相,而采用低純Gd配制的Gd5(SixGe1-x)4合金中還出現(xiàn)了明顯的Gd5(Si,Ge)3相。磁性測(cè)量表明,雜質(zhì)不改變合金中主相的居里溫度,即沒有改變合金中主相磁性原子的相互作用,但由于低溫反鐵磁性Gd5(Si,Ge)3相對(duì)室溫Gd5Si2Ge2相的磁熵變沒有貢獻(xiàn),導(dǎo)致Gd5(SixGe1-x)4合金在室溫附近的磁熵變下降。

摘要:系統(tǒng)研究了TiV2.1Nix(x=0.2,0.3,0.4,0.5,0.6)貯氫合金的相結(jié)構(gòu)及電化學(xué)性能。XRD及SEM分析表明:合金均由體心立方(bcc)結(jié)構(gòu)的V基固溶體主相和TiNi基第二相組成;隨著Ni含量x的增加,合金中V基固溶體主相的相含量和晶胞參數(shù)逐漸減小,TiNi基第二相含量逐漸增多,且當(dāng)x≥0.4時(shí),TiNi基第二相組織沿主相晶界形成明顯的三維網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu)。電化學(xué)測(cè)試表明:隨著x的增加,合金的高倍率放電性能及循環(huán)穩(wěn)定性均得到顯著改善;但當(dāng)x從0.4增加到0.6時(shí),合金的活化性能變差,最大放電容量降低。在研究的合金中,TiV2.1Ni0.4表現(xiàn)出較好的綜合性能。

摘要:采用低溫燃燒合成工藝在甘氨酸-硝酸鹽體系中制備出Ce0.8Nd0.2O1.9固溶體納米粉末,重點(diǎn)考察了甘氨酸與硝酸鹽的配比(G/N)以及焙燒溫度對(duì)粉末特性的影響。通過熱重-差示掃描量熱分析(TG-DSC)得知,燃燒反應(yīng)的點(diǎn)火溫度為257℃。利用X射線衍射(XRD)、透射電鏡(TEM)、比表面積儀(BET)及傅里葉紅外光譜(FTIR)等手段對(duì)粉末的結(jié)構(gòu)、形貌、成分、尺寸及比表面積進(jìn)行了分析。結(jié)果表明:燃燒反應(yīng)后直接得到螢石型結(jié)構(gòu)的單相固溶體,晶粒尺寸為8nm~12nm之間,比表面積為38m2/g~47m2/g;晶粒尺寸隨焙燒溫度升高而增加,在800℃下焙燒1h后,可以去除反應(yīng)殘留物質(zhì),并使獲得的晶形更加完整。

摘要:采用直流磁控濺射法制備了Co1_(-x)Pt_x合金薄膜,并詳細(xì)研究了其結(jié)構(gòu)和磁學(xué)性能隨x變化的規(guī)律。通過XRD結(jié)構(gòu)分析可知:濺射態(tài)的薄膜當(dāng)x≤28%時(shí),為hcp結(jié)構(gòu);x=35%和40%時(shí),為hcp和fcc的混合結(jié)構(gòu);x≥46%以后,為fcc結(jié)構(gòu)。VSM測(cè)試結(jié)果表明:隨x的增大,濺射態(tài)薄膜的矯頑力先增大后減小,當(dāng)x=23%時(shí),矯頑力達(dá)到最大值2147×79.6A/m,在x=46%處矯頑力急劇下降至100×79.6A/m左右,x>46%以后,矯頑力隨x的增大不再明顯變化。退火后,hcp結(jié)構(gòu)的薄膜矯頑力基本不變,而接近等原子比的fcc結(jié)構(gòu)的CoPt薄膜,由于部分轉(zhuǎn)變?yōu)閒ct結(jié)構(gòu),矯頑力有很大提高;fcc結(jié)構(gòu)的CoPt3薄膜矯頑力有所增大,但是增大不多。

摘要:陽極氧化是鎂合金表面改性的有效方法.基于經(jīng)典的陽極氧化工藝,目前的研究取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,主要表現(xiàn)在電解質(zhì)溶液成分的改進(jìn)、電參數(shù)的研究、成膜機(jī)理、膜層成分和結(jié)構(gòu)的研究,以及后處理等.本文對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)的綜述,同時(shí)指出了發(fā)展趨向.

摘要:綜述了難熔金屬（釩、鈮、鉭、鉬、鎢等）熱學(xué)性能的研究現(xiàn)狀及其進(jìn)展,從理論和實(shí)驗(yàn)兩方面討論了難熔金屬熱學(xué)性能與微觀結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系.簡(jiǎn)述了納米晶難熔金屬的研究現(xiàn)狀.最后對(duì)難熔金屬研究與應(yīng)用的前景進(jìn)行了展望.

摘要:研究采用均相共沉淀法制備納米ITO（Indium Tin Oxide）粉末的制備工藝參數(shù),從堿式溶度積平衡和酸式溶度積平衡,根據(jù)熱力學(xué)平衡理論并引入化學(xué)反應(yīng)熱容參數(shù)分別計(jì)算了ITO前驅(qū)物In（OH）3和Sn（OH）4開始沉淀和沉淀完全的pH值以及其開始溶解和溶解完全的pH值,給出了這些pH值隨沉淀溫度的變化規(guī)律,由此對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)并提供了一種有效的材料摻雜新工藝.采用高分辨率透射電鏡,掃描電鏡,X射線衍射對(duì)ITO納米粉末進(jìn)行了測(cè)量.結(jié)果表明,ITO粉末的平均晶粒大小為28 nm,而且沿（400）面生長(zhǎng).

摘要:研究了短纖維增強(qiáng)復(fù)合材料（MMC）的蠕變損傷和失效的細(xì)觀機(jī)理.采用微胞模型結(jié)合有限元軟件ABAQUS進(jìn)行.基體的損傷失效由K-R模型描述,纖維斷裂由應(yīng)力準(zhǔn)則控制,它們已分別作為用戶子程序編入到ABAQUS中.有限元分析表明,在纖維斷裂前損傷主要位于纖維頭頂角附近,斷裂后集中在纖維斷裂面附近.纖維斷裂對(duì)基體蠕變損傷影響有限,但是斷面附近產(chǎn)生很高的應(yīng)力集中,該應(yīng)力集中將有助于裂紋在基體中的發(fā)展.

摘要:通過對(duì)鈦酸鉛陶瓷氣相擴(kuò)滲稀土元素,制備了導(dǎo)電陶瓷材料. 通過X射線衍射、電子探針X射線能譜和掃描電鏡測(cè)試分析,表明稀土元素La,Ce,Gd,Sm等均已滲入到PbTiO3陶瓷體相中,并生成了新的化合物L(fēng)a5O7NO3,La2C2O2,Gd2O3,La2Ti6O15,SmO和CeTi21O38,并使擴(kuò)滲后的PbTiO3基陶瓷的導(dǎo)電性能發(fā)生了十分顯著的變化,其室溫電阻率從純PbTiO3陶瓷的2.0×1010 (·m下降為0.2 (·m,而且隨著溫度的變化,晶粒電阻呈現(xiàn)明顯的PTCR效應(yīng),而晶界電阻隨著溫度的升高,呈急劇連續(xù)降低狀態(tài),總電阻的變化規(guī)律與晶界電阻的變化相類似,試樣總電阻的PTCR效應(yīng)已不存在,已表現(xiàn)出導(dǎo)電體特征.

摘要:采用直流磁控濺射法制備了Co1-xPtx合金薄膜,并詳細(xì)研究了其結(jié)構(gòu)和磁學(xué)性能隨x變化的規(guī)律.通過XRD結(jié)構(gòu)分析可知濺射態(tài)的薄膜當(dāng)x≤28%時(shí),為hcp結(jié)構(gòu);x=35%和40%時(shí),為hcp和fcc的混合結(jié)構(gòu);x≥46%以后,為fcc結(jié)構(gòu).VSM測(cè)試結(jié)果表明隨x的增大,濺射態(tài)薄膜的矯頑力先增大后減小,當(dāng)x=23%時(shí),矯頑力達(dá)到最大值2147×79.6 A/m,在x=46%處矯頑力急劇下降至100×79.6 A/m左右,x＞46%以后,矯頑力隨x的增大不再明顯變化.退火后,hcp結(jié)構(gòu)的薄膜矯頑力基本不變,而接近等原子比的fcc結(jié)構(gòu)的CoPt薄膜,由于部分轉(zhuǎn)變?yōu)閒ct結(jié)構(gòu),矯頑力有很大提高;fcc結(jié)構(gòu)的CoPt3薄膜矯頑力有所增大,但是增大不多.

摘要:應(yīng)用三元擴(kuò)散偶技術(shù)測(cè)定了Ni-Cr-Mo三元系1358 K的等溫截面,借助電子探針微區(qū)成分分析方法分析了Ni-Cr-Mo三元擴(kuò)散偶的相區(qū)成分,并對(duì)其相關(guān)系進(jìn)行了研究.測(cè)得Ni-Cr-Mo三元擴(kuò)散偶在1358 K下存在一個(gè)中間化合物NiMo,Cr和Mo在擴(kuò)散偶中形成連續(xù)固溶體,Ni和（Cr,Mo）有限固溶,擴(kuò)散偶中未發(fā)現(xiàn)三元中間化合物.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)Ni-Cr-Mo三元系1358 K的等溫截面存在一個(gè)三相區(qū)：Ni＋NiMo＋（Cr,Mo）.

摘要:采用高溫固相反應(yīng)法制備了Eu^3＋摻雜ZnO-MgO-La203-B203基質(zhì)的光致發(fā)光光纖，通過軸向拉伸試驗(yàn)測(cè)量了該光纖的應(yīng)力-應(yīng)變曲線。應(yīng)用彈脆塑性理論研究了屈服面的變化和應(yīng)力-應(yīng)變的本構(gòu)關(guān)系，計(jì)算了拉伸彈性模量、拉伸強(qiáng)度、拉伸最大負(fù)荷、拉伸強(qiáng)度的應(yīng)變、斷裂伸長(zhǎng)率和材料的脆性指數(shù)。結(jié)果表明，該光纖彈性模量高于普通玻璃和大理石，接近于硬鋁合金和軋制鋁，其拉伸強(qiáng)度和所能承載的負(fù)荷都較大。

摘要:采用分子動(dòng)力學(xué)法建立了熔體ZA27合金模型,并通過計(jì)算機(jī)模擬獲得α相-熔體ZA27界面、α相- TiAl3化合物界面原子集團(tuán).用遞歸法計(jì)算了α相、TiAl3化合物的結(jié)構(gòu)能,α相與熔體金屬,α相與TiAl3化合物的界面能.計(jì)算結(jié)果表明：TiAl3化合物的結(jié)構(gòu)能高于α相的結(jié)構(gòu)能,合金凝固時(shí)TiAl3化合物先于α相從熔體中析出;α相與TiAl3化合物間的界面能低于α相與熔體金屬間的界面能,α相以TiAl3化合物為基體形核比之從熔體金屬直接形核增加的界面能少,可減少形核功,因此,TiAl3可成為α相的異質(zhì)核心,增加α相形核率,細(xì)化合金組織.

摘要:對(duì)用無壓浸滲法制備的高含量Si/Al復(fù)合材料的浸滲及凝固組織進(jìn)行了研究,對(duì)Si骨架間的凝固組織和浸滲過程中的水淬組織進(jìn)行了詳細(xì)的分析,并對(duì)2種組織進(jìn)行了比較.結(jié)果表明,Si骨架間的過共晶Al-Si合金液的水淬組織為偽共晶組織,高速率的凝固阻礙了Si的析出和擴(kuò)散.而在緩慢冷卻凝固時(shí),隨著初晶Si的析出,形成呈網(wǎng)絡(luò)狀連續(xù)的Si相骨架,Si骨架間隙進(jìn)一步減小,剩余的過共晶成分的液相被分隔局限其間,液相比例減少.在被Si相骨架分隔的微區(qū)內(nèi)產(chǎn)生了類似于離異共晶的析出現(xiàn)象――初晶Si和共晶Si只能沿原預(yù)制體Si多孔體骨架上附著析出,凝固后的Al基體為α相,而不是典型的Al-Si共晶組織.另外,Si相的體積分?jǐn)?shù)決定于浸滲溫度.

摘要:通過X射線衍射分析、透射電鏡觀察、紅外透射光譜分析、紫外-可見吸收光譜分析和光致發(fā)光試驗(yàn),研究了用金屬有機(jī)物化學(xué)汽相沉積（MOCVD）的方法,在帶有GaN緩沖層的藍(lán)寶石（Al2O3）襯底上生長(zhǎng)的AlGaN/GaN超晶格材料的微觀結(jié)構(gòu)、光吸收性質(zhì)和發(fā)光特性.X射線衍射結(jié)果表明,GaN基材料均為纖鋅礦六方結(jié)構(gòu),薄膜具有良好的結(jié)晶質(zhì)量,薄膜生長(zhǎng)沿c軸擇優(yōu)取向.透射電鏡觀察表明,超晶格試樣的周期結(jié)構(gòu)分布均勻,實(shí)際周期為13.3nm，且觀察到高密度的位錯(cuò)存在于外延膜中。通過光學(xué)試驗(yàn)數(shù)據(jù)，確定了試樣的光學(xué)吸收邊都是在370nm附近，理論計(jì)算顯示試樣為直接躍遷型半導(dǎo)體，禁帶寬度約為3．4eV。試樣的折射率隨光子能量的增加而增加、隨波長(zhǎng)的增加而減小，計(jì)算表明消光系數(shù)的極小值位于370nm處。光致發(fā)光測(cè)試分析表明，超晶格有很好的發(fā)光性能，并發(fā)現(xiàn)存在黃帶發(fā)光。

摘要:采用熔滲/氮化復(fù)合處理技術(shù)對(duì)TiC-TiN基、WC基金屬陶瓷進(jìn)行了高溫高壓熔滲/氮化處理,通過掃描電鏡、能譜儀、X射線衍射等分析技術(shù)對(duì)其顯微組織、成分及結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析.結(jié)果表明：經(jīng)過高溫高壓熔滲/氮化處理,WC-Co金屬陶瓷未形成梯度結(jié)構(gòu);WC-TiC-Co金屬陶瓷表面形成了TiN,但是從材料表面向內(nèi)部的成分過渡存在明顯的界面;TiC-TiN基金屬陶瓷由表面到心部形成了梯度結(jié)構(gòu),其硬度自表面向心部呈現(xiàn)高-低-高的變化趨勢(shì), 該金屬陶瓷表面主要形成了Ti（C0.3N0.7）.

摘要:運(yùn)用鹽-金屬反應(yīng)法制備了亞微米TiB2顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料（TiB2/AC8A）.TiB2顆粒通過鈦鹽和硼鹽與鋁合金反應(yīng)原位生成.對(duì)復(fù)合材料進(jìn)行了顯微組織觀察和高溫蠕變性能實(shí)驗(yàn).原位TiB2顆粒的尺寸約為0.5μm,近似呈球形。TiB2／AC8A復(fù)合材料具有優(yōu)異的高溫蠕變性能。10ω／％TiB2原位顆粒（～0．5μm）增強(qiáng)AC8A復(fù)合材料的蠕變抗力比10φ／％SiCp（1．7μm）外加顆粒增強(qiáng)AI復(fù)合材料至少要高兩個(gè)數(shù)最級(jí)。10ω／％TiB2／AC8A復(fù)合材料表現(xiàn)出高的名義應(yīng)力指數(shù)（11．7～12．5）和名義激活能（265kJ／mol），其穩(wěn)態(tài)蠕變數(shù)據(jù)能夠用廊力指數(shù)為8的亞結(jié)構(gòu)不變模型和門檻應(yīng)力來解釋。TiB2／AC8A復(fù)合材料的蠕變斷裂行為符合Monkman-Grant關(guān)系式。

摘要:采用高溫熔煉方法后機(jī)械球磨和機(jī)械合金化方法分別制備了CoFe_3Sb_(12)和FeSb_2合金粉末,并對(duì)其電化學(xué)嵌鋰性能進(jìn)行了研究。研究發(fā)現(xiàn),FeSb_2 的首次可逆容量為394 mAh·g-1,比CoFe_3Sb_(12) 的首次可逆容量(485 mAh·g-1)低。但是FeSb_2 容量衰減的速度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于CoFe3Sb12。FeSb2 的容量保持率在第10 個(gè)循環(huán)時(shí)仍保持在70%以上,而CoFe_3Sb_(12 )卻只有50%左右。通過二者嵌鋰性能對(duì)比研究表明,減少嵌鋰活性中心能有效地緩解合金類負(fù)極材料在循環(huán)中的容量衰減現(xiàn)象。

摘要:利用溶膠-凝膠法制備了納米晶La0.7Pb0.3FeO3氣敏材料,并對(duì)其相組成、電導(dǎo)及其對(duì)CO氣敏性能進(jìn)行了研究.XRD結(jié)果表明：摻鉛固溶體La0.7Pb0.3FeO3仍為正交晶系鈣鈦礦結(jié)構(gòu),粒徑約為17nm,低于純相LaFeO3的粒徑31nm。電導(dǎo)測(cè)鼉顯示：該材料足P型半導(dǎo)體導(dǎo)電行為，電導(dǎo)大于同溫度下純相LaFeO3的電導(dǎo)，且電導(dǎo)突變溫度有所降低。氣敏性能研究表明：Pb摻雜對(duì)其CO氣敏性能有了明顯改善。

摘要:為計(jì)及強(qiáng)散射偶極子間的相互作用,引入?yún)⒘喀舎和μh,利用廣義多重散射理論及MATLAB計(jì)算機(jī)軟件對(duì)在2 GHz～18 GHz頻率下的體積占空比為8%的鐵纖維隨機(jī)混合媒質(zhì)等效磁導(dǎo)率的實(shí)驗(yàn)值進(jìn)行曲線的擬合,導(dǎo)出了耦合系數(shù)εh和μh,并在此基礎(chǔ)上,對(duì)體積占空比分別為30%和20%的鐵纖維隨機(jī)混合媒質(zhì)等效磁導(dǎo)率進(jìn)行了計(jì)算,計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)吻合良好.

摘要:在950℃的氮化溫度下,通過單氫氧化鎵（GaO2H）粉末與流動(dòng)的NH3反應(yīng)35 min制備出粒狀GaN微晶.通過X射線衍射（XRD）和掃描電鏡（SEM）研究發(fā)現(xiàn),GaN粉末是六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)的粒狀微晶,其晶格常數(shù)a和c分別為0.3191 nm和0.5192 nm.X射線光電子能譜（XPS）揭示試樣中有Ga-N鍵形成,Ga與N兩元素比為1∶1.

摘要:采用陽極弧放電等離子體方法成功制備了高純鎳納米粉末;利用X射線衍射（XRD）、透射電子顯微鏡（TEM）和選區(qū)電子衍射（SAED）、BET吸附法測(cè)試手段對(duì)試樣的成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)、比表面積、粒度及其分布進(jìn)行性能表征,并采用元素分析儀測(cè)定C,H,N含量,采用X射線能量色散分析譜儀（EDS）測(cè)定試樣所含的元素及其相對(duì)含量,用紅外吸收光譜（FT-1R）對(duì)結(jié)構(gòu)組成進(jìn)行定性分析.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：本法所制備的鎳納米粉末的晶體結(jié)構(gòu)與相應(yīng)的塊體材料基本相同,為fcc結(jié)構(gòu)的晶態(tài),平均粒徑為47 nm,粒度范圍分布在20 nm～70 nm,呈規(guī)則的球形鏈狀分布,比表面積為14.23 m2/g,試樣純度高且具有很強(qiáng)吸附性.

摘要:采用重熔稀釋法原位制備了TiC陶瓷顆粒增強(qiáng)的鎂基復(fù)合材料.顯微組織觀察和XRD分析發(fā)現(xiàn)原位制備的增強(qiáng)相顆粒細(xì)小,分散均勻.阻尼研究表明,由于TiC的加入,復(fù)合材料的阻尼相對(duì)純鎂有所下降,但是熱處理可以提高復(fù)合材料的阻尼性能.

摘要:采用液相壓力浸漬工藝制備出碳化硅顆粒(SiCp)和硅酸鋁短纖維(Al2O3·SiO2f)混雜增強(qiáng)的鎂基復(fù)合材料,研究了其機(jī)械與阻尼性能。發(fā)現(xiàn)鎂基復(fù)合材料的強(qiáng)度與純鎂相比得到了顯著的改善,而阻尼性能有所降低。并且2個(gè)弛豫內(nèi)耗峰存在于復(fù)合材料試樣中,出現(xiàn)在約150℃的峰Ⅰ不僅存在于純鎂試樣中而且還存在于其復(fù)合材料試樣中,認(rèn)為其與位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)有關(guān);出現(xiàn)在約250℃的峰Ⅱ僅存在于復(fù)合材料的試樣中,分析認(rèn)為是由于碳化硅顆粒與鎂基體的界面滑移所致。

摘要:通過液態(tài)原位反應(yīng)合成制備MgO/Mg2Si增強(qiáng)Mg-Li基復(fù)合材料,利用TEM對(duì)增強(qiáng)相形態(tài)及界面結(jié)構(gòu)進(jìn)行了觀察.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,復(fù)合材料中增強(qiáng)粒子與基體界面結(jié)合良好,無反應(yīng)物生成.確定了增強(qiáng)粒子與基體的界面取向關(guān)系,MgO與基體α相的晶體學(xué)關(guān)系為[100]MgO//[40（￣4）3]α,（011）MgO//（（￣1）2（￣1）0）α;Mg2Si與基體β相的晶體學(xué)關(guān)系為[310]Mg2Si//[411]β,（1（￣3）（￣1））Mg2Si//（001）β.

摘要:采用擴(kuò)散界面場(chǎng)模型對(duì)非對(duì)稱成分點(diǎn)及拐點(diǎn)以下成分點(diǎn)同構(gòu)兩相分解過程中應(yīng)力場(chǎng)（包括外場(chǎng)）對(duì)析出相的形態(tài)及動(dòng)力學(xué)過程的影響作了比較系統(tǒng)的研究.模擬結(jié)果表明：對(duì)于各向異性系統(tǒng)在相分解過程中由于彈性應(yīng)變能與界面能間的相互作用將會(huì)導(dǎo)致析出相在不同階段呈現(xiàn)不同的形貌如網(wǎng)格結(jié)構(gòu)、三明治多疇結(jié)構(gòu)、沉淀宏觀點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)以及板條狀等;對(duì)于非均勻彈性模量系統(tǒng)在外加應(yīng)力場(chǎng)作用下,沉淀相的析出過程發(fā)生重大的變化,粒子沿彈性軟方向呈各向異性析出.此外,模擬結(jié)果還發(fā)現(xiàn),在應(yīng)力場(chǎng)（包括外加場(chǎng)情況）存在條件下,相析出的中前期長(zhǎng)大過程中小粒子沿著彈性軟方向相互聯(lián)結(jié)成大粒子,在相變后期孤立的小粒子被大粒子的長(zhǎng)大所消耗.

摘要:通過調(diào)整合金的組成,優(yōu)化其熔煉和熱處理過程,制備出一種新組成的富La貯氫合金La0.62Ce0.25Pr0.03Nd0.10Ni3.69Co0.71Mn0.34Al0.29Zr0.005,用掃描電鏡、壓力-恒溫實(shí)驗(yàn)、X射線衍射、恒電流充放電和循環(huán)伏安掃描方法對(duì)合金進(jìn)行了表征.結(jié)果表明：該合金為六方晶系的CaCu5型結(jié)構(gòu);高溫下氫的吸脫附平臺(tái)低,65℃時(shí)壓力平臺(tái)為0.1MPa：初始容量高達(dá)335mAh／g，2C經(jīng)500次循環(huán)后，容降僅為18．6％．

摘要:通過高能球磨和真空熱壓技術(shù)制備了致密度大于98%的納米晶CuCr合金,通過XRD,SEM和TEM研究了其顯微組織和結(jié)構(gòu).結(jié)果表明,其晶粒尺寸小于50 nm.在模擬電路上研究了其真空電弧穩(wěn)定性和截流值,納米晶CuCr合金的真空電弧穩(wěn)定性好于常規(guī)CuCr合金,其截流值為常規(guī)CuCr合金的17%～35%.

摘要:將高能球磨后的Ti-Al粉末和TiC,Al2O3粉末混合進(jìn)行熱壓燒結(jié),在燒結(jié)的過程中反應(yīng)生成金屬間化合物為增強(qiáng)相的復(fù)合材料.通過對(duì)粉料的X射線衍射分析、熱分析（DSC）和燒結(jié)體的成分分析表明,最終的金屬間化合物只有Ti3Al而沒有其它金屬間化合物相.通過熱力學(xué)計(jì)算,分析了反應(yīng)燒結(jié)過程并發(fā)現(xiàn)在低溫由固相間原子擴(kuò)散控制生成TiAl3,TiAl,Ti3Al的漸進(jìn)過程,和在高溫下金屬間化合物的合成機(jī)理,而且增強(qiáng)相和基體界面間處于穩(wěn)定狀態(tài).

摘要:研究了化學(xué)計(jì)量比對(duì)AB4.8~AB5.2貯氫合金電化學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:在本實(shí)驗(yàn)研究范圍內(nèi),當(dāng)x=0.1時(shí),貯氫合金電極的0.2C,1C和5C放電容量、高倍率放電特性及3C循環(huán)壽命分別達(dá)到324mAh·g-1,301mAh·g-1,263mAh·g-1,0.81和530次。此外,化學(xué)計(jì)量比對(duì)貯氫合金的活化性能和溫度特性均有較大的影響,當(dāng)x分別為–0.2,–0.1,0.0,0.1和0.2時(shí),貯氫合金電極在0.2C充放電的條件下活化次數(shù)分別為3次、4次、7次、5次和6次,且隨著x的增大,貯氫電極的高溫(45℃,1C)和常溫(25℃,1C)放電效率下降,低溫(–18℃,1C)放電效率則有增大的趨勢(shì)。從合金活化性能、大電流充放電特性和循環(huán)穩(wěn)定性來看,x=0.1時(shí)(AB5.1),能得到具有較佳的電化學(xué)性能的貯氫材料。

摘要:用直流反應(yīng)磁控濺射法制備了TiO2薄膜,并對(duì)熱處理前后試樣的紫外可見光譜（UV-Vis spectrum）和熒光發(fā)射光譜（PL Spectrunm）做了研究。發(fā)現(xiàn)熱處理后試樣的紫外可見光譜在496nm處出現(xiàn)了一個(gè)較為明顯的吸收峰，熒光發(fā)射光譜496．5nm處出現(xiàn)一個(gè)熒光發(fā)射帶肩。X射線光電予能譜（XPS）的分析結(jié)果表明，熱處理可使薄膜中晶格氧擴(kuò)散出去，生成Ti^3＋離子和氧空位。結(jié)合XPS的分析結(jié)果和理論計(jì)算，可推斷熱處理后出現(xiàn)的位于496nm處的吸收峰和496．5nm處的熒光帶肩可被指認(rèn)為薄膜中Ti^3＋離子的d電子躍遷產(chǎn)生。

摘要:采用自行研制的脈沖微弧氧化設(shè)備,在TiAl合金表面制備了微弧氧化陶瓷層.測(cè)定了TiAl合金微弧氧化陶瓷層在高溫循環(huán)氧化條件下的氧化動(dòng)力學(xué)曲線。研究了在微弧氧化處理溶液中加入SiO3^2-對(duì)陶瓷層性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示：經(jīng)過微弧氧化處理后試樣的高溫氧化動(dòng)力學(xué)曲線大致呈拋物線規(guī)律，其表面的陶瓷氧化膜具有保護(hù)性；在微弧氧化處理溶液中加入SiO3^2-后，微弧氧化處理的TiAl合金的使用溫度可提高到1273K。利用掃描電子顯微鏡（SEM）和X射線衍射儀（XRD）對(duì)陶瓷層的顯微結(jié)構(gòu)和物相組成進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)其物相組成為含量約占80％的Al2TiO5，11％的TiO2以及9％的SiO2。這表叫SiO2能仃效抑制Al2TiO5在高溫下的分解，從而大幅提高TiAl合金的抗高溫氧化性。

摘要:通過冷變形拉拔并結(jié)合中間熱處理制備了纖維相增強(qiáng)的Cu-12%Ag合金線材.通過不同溫度下退火不同時(shí)間,研究了等溫過程對(duì)Cu-12%Ag合金組織性能的影響.200℃等溫退火時(shí)強(qiáng)化相仍能基本保持纖維形態(tài),強(qiáng)度略有下降,電導(dǎo)率略有上升.300℃等溫退火時(shí)纖維相界面局部遷移,退火初期合金電導(dǎo)率較快上升而強(qiáng)度較快下降,隨后電導(dǎo)率上升或強(qiáng)度下降速率變緩.400℃等溫退火時(shí)組織發(fā)生明顯再結(jié)晶和晶粒粗化,退火初期合金電導(dǎo)率劇烈上升而強(qiáng)度劇烈下降,隨時(shí)間延長(zhǎng),強(qiáng)度下降趨勢(shì)變緩而電導(dǎo)率達(dá)到最高值后略有下降.可以用纖維組織的回復(fù)、再結(jié)晶、次生相析出及溶質(zhì)原子溶解等因素在等溫退火過程中的變化來分析材料組織、性能的變化.

摘要:采用鉬-氮離子共滲與離子滲鉬后再氮化2種工藝,在鈦合金Ti6Al4V表面形成均勻致密的鉬氮合金滲層.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,2種工藝形成的表面合金層表面硬度都有大幅度提高,其中滲鉬后氮化的硬度Hk0.1為16 810 MPa,鉬-氮共滲Hk0.1為18 040 MPa.滲鉬后氮化合金層主要為MoN相,而鉬-氮共滲合金層主要為Mo2N相. 干摩擦條件下,球盤磨損試驗(yàn)表明,滲鉬后氮化工藝更好地改進(jìn)了鈦合金Ti6Al4V耐磨性,降低比磨損率3個(gè)數(shù)量級(jí).

摘要:采用SiC/Si3N4陶瓷先驅(qū)體聚硅氮烷連接反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷,研究了連接溫度、連接壓力、浸漬/裂解增強(qiáng)處理對(duì)連接強(qiáng)度的影響.結(jié)果表明：在1100℃～1400℃溫度范圍內(nèi),連接強(qiáng)度先升高后降低;連接過程中施加適當(dāng)?shù)妮S向壓力可提高連接層致密度;浸漬/裂解增強(qiáng)處理可大幅度提高接頭強(qiáng)度.當(dāng)連接溫度為1300℃,連接壓力為15kPa，經(jīng)3次增強(qiáng)處理的連接件抗彎強(qiáng)度達(dá)最大值169．1MPa。這種連接件的斷口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明，隨著溫度的逐步升高，聚硅氮烷的裂解產(chǎn)物發(fā)生了由非晶態(tài)向晶態(tài)的轉(zhuǎn)變。微觀結(jié)構(gòu)及成分分析顯示：連接層為厚度2μm-3μm的SiCN無定形陶瓷，其結(jié)構(gòu)較為均勻致密；連接層與基體間界面接合良好。

摘要:研究了采用懸浮熔煉（常規(guī)鑄態(tài)）和不同冷卻速度的單輥快淬方法制備的Mm（NiCoMnAl）5型稀土系貯氫合金負(fù)極活性材料對(duì)金屬氫化物鎳（MH/Ni）電池性能的影響.結(jié)果表明,采用不同方法制備的合金對(duì)整個(gè)電池活化后的容量和內(nèi)阻影響很小,但是常規(guī)鑄態(tài)合金在退火后降低了電池的放電電壓平臺(tái),快淬合金隨著冷凝速率的提高,放電平臺(tái)呈降低趨勢(shì).對(duì)循環(huán)充放電過程中電池內(nèi)阻、循環(huán)到一定次數(shù)時(shí)負(fù)極貯氫合金的粒度和正極內(nèi)鋁含量的測(cè)試結(jié)果表明,鑄態(tài)不退火合金較差的抗粉化性和較差的耐腐蝕性使電池的循環(huán)性能較差,經(jīng)退火后其性能均有所提高,快淬合金使電池的循環(huán)性能優(yōu)于常規(guī)鑄態(tài)合金.

摘要:利用超臨界CO2流體、溶劑和熱處理3種方法對(duì)ZrO2陶瓷注射成型坯體進(jìn)行脫脂,并對(duì)試樣進(jìn)行了一系列的性能測(cè)試.實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,脫脂方法對(duì)陶瓷性能有較大的影響.超臨界流體脫脂克服了熱脫脂的開裂、變形等各種缺陷,使燒結(jié)件獲得較好的力學(xué)性能,平均抗彎強(qiáng)度σ為1074MPa，Weibull模數(shù)m達(dá)到18．93，高于利用溶劑脫脂的燒結(jié)件（σ=1038．4MPa，m=13．28）和熱脫脂燒結(jié)件（σ=983．5MPa，m=7．59）。此外，超臨界CO2流體脫脂、溶劑脫脂可使陶瓷注射成型脫脂時(shí)間大大減少，脫脂過程約縮短到熱脫脂的1／20。

摘要:采用純度分別為99.94%和99.2%的稀土金屬Gd,配制了Gd5Si1.9Ge2.1和Gd5Si1.72Ge2.28兩組合金,研究雜質(zhì)對(duì)Gd5（SixGe1-x）4合金磁熵變的影響原因。粉末衍射結(jié)構(gòu)分析表明，所研究的合金中都有Gd5Si2Ge2相，而采用低純Gd配制的Gd5（SixGe1-x）4合金中還出現(xiàn)了明顯的Gd5（Si，Ge）3相。磁性測(cè)量表明，雜質(zhì)不改變合金中主相的居里溫度，即沒有改變合金中主相磁性原了的相互作用，但由于低溫反鐵磁性Gd5（Si，Ge）3相對(duì)室溫Gd5Si2Ge2相的磁熵變沒有貢獻(xiàn)，導(dǎo)致Gd5（Si，Ge1-x）4合金在室溫附近的磁熵變下降。

摘要:采用中性鹽霧、周期浸潤(rùn)等人工加速腐蝕試驗(yàn)和電化學(xué)測(cè)試方法,研究了Al-6Mg-Zr和Al-6Mg-Zr-Sc 2種鋁合金在模擬海水環(huán)境中的腐蝕行為.結(jié)果發(fā)現(xiàn)：在試驗(yàn)環(huán)境中2種鋁合金都發(fā)生了點(diǎn)蝕;添加了Sc元素的Al-6Mg-Zr-Sc合金比Al-6Mg-Zr合金表現(xiàn)出更好的耐蝕性.自腐蝕電位和動(dòng)電位陽極極化曲線研究也發(fā)現(xiàn),添加Sc元素后鋁合金的耐蝕性能增強(qiáng).SEM/EDX分析表明,Al-6Mg-Zr-Sc合金中存在的Al3（Sc, Zr）復(fù)合相能細(xì)化晶粒、有效地抑制Al-6Mg-Zr合金中β相（Mg5Al8）的析出,使β相在合金基體中呈不連續(xù)分布,從而降低了合金的腐蝕敏感性.

摘要:通過堿熱處理工藝對(duì)碳/碳復(fù)合材料表面陰極聲電沉積的磷酸鈣生物陶瓷涂層進(jìn)行處理,使其轉(zhuǎn)變?yōu)榱谆沂繉?采用SEM,EDAX,FTIR,XRD等研究了涂層組成、結(jié)構(gòu)和形貌的變化,并采用拉伸測(cè)試評(píng)價(jià)了涂層與基體的結(jié)合力,用SEM觀察了涂層的斷口形貌.結(jié)果表明：用聲電沉積技術(shù)獲得的片狀透鈣磷石涂層經(jīng)堿熱處理后而得到磷灰石涂層,涂層與基體形成了化學(xué)鍵合,且結(jié)合緊密,涂層的形貌沒有顯著變化,但涂層的致密度有所增加;拉伸測(cè)試表明涂層與基體的結(jié)合強(qiáng)度最大可達(dá)4.2 MPa 以上,涂層的失效部位主要在涂層內(nèi)部,其失效方式為涂層的內(nèi)聚破壞和界面脫粘.

摘要:研究了鑄造鎂合金等徑角擠壓（ECAP）的原理與技術(shù)實(shí)施手段.通過設(shè)計(jì)ECAP模具的幾何結(jié)構(gòu),研究了剪切應(yīng)變累積效應(yīng)的度量方法.通過對(duì)AM60鎂合金鑄錠單道次ECAP加工后光學(xué)顯微組織的觀察,討論了模具幾何結(jié)構(gòu)條件（轉(zhuǎn)角與背轉(zhuǎn)角大?。?duì)變形組織演化形態(tài)的影響.根據(jù)多道次ECAP試驗(yàn)的位移-擠壓力關(guān)系曲線,考察了加工工藝條件（加工道次數(shù)、背壓與加工速率）對(duì)變形組織形態(tài)的影響規(guī)律.分析了鎂合金ECAP加工技術(shù)的試驗(yàn)和模擬方案.研究表明：AM60鎂合金鑄錠的ECAP變形組織形態(tài)較好地符合理論預(yù)測(cè)結(jié)果;多道次ECAP加工顯著改善了AM60鎂鑄錠的微觀組織;對(duì)于具有粗大晶粒的鑄造鎂合金而言,ECAP工藝能以機(jī)械化冶金方式制備其超細(xì)晶結(jié)構(gòu).

摘要:研究了包套鍛造對(duì)大尺寸高鈮TiAl合金室溫塑性的影響.結(jié)果表明,經(jīng)過多步包套鍛造后,合金室溫塑性大大改善,延伸率可達(dá)2.29%.這主要?dú)w于：多步包套鍛造有效地破碎了粗大的鑄態(tài)組織以及在鍛造過程發(fā)生了動(dòng)態(tài)再結(jié)晶,這樣不僅使合金平均晶粒尺寸降低,而且使合金晶粒分布均勻化,得到均勻細(xì)小的雙態(tài)組織.此外,高鈮TiAl合金經(jīng)多步鍛造后,有效消除了晶界偏析的脆性β相,從而使合金的室溫塑性得到改善.

摘要:系統(tǒng)研究了TiV2.1Nix（x=0．2，0．3，0．4，0．5，0．6）貯氫合金的相結(jié)構(gòu)及電化學(xué)性能。XRD及SEM分析表明：合金均由體心立方（bcc）結(jié)構(gòu)的V基固溶體主相和TiNi基第二相組成；隨著Ni含量x的增加，合金中V基固溶體主相的相含量和品胞參數(shù)逐漸減小，TiNi基第二相含量逐漸增多，且當(dāng)x≥0．4時(shí)，TiNi基第二相組織沿主相晶界形成明顯的三維網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu)。電化學(xué)測(cè)試表明：隨著x的增加，合金的高倍率放電性能及循環(huán)穩(wěn)定性均得到顯著改善；但當(dāng)x從0．4增加到0．6時(shí)，合金的活化性能變差，最大放電容量降低。在研究的合金中，TiV2.1Ni0.4表現(xiàn)出較好的綜合性能。

摘要:采用低溫燃燒合成工藝在甘氨酸-硝酸鹽體系中制備出Ce0.8Nd0.2O1.9固溶體納米粉末,重點(diǎn)考察了甘氨酸與硝酸鹽的配比（G/N）以及焙燒溫度對(duì)粉末特性的影響.通過熱重-差示掃描量熱分析（TG-DSC）得知,燃燒反應(yīng)的點(diǎn)火溫度為257℃.利用X射線衍射（XRD）、透射電鏡（TEM）、比表面積儀（BET）及傅里葉紅外光譜（FTIR）等手段對(duì)粉末的結(jié)構(gòu)、形貌、成分、尺寸及比表面積進(jìn)行了分析.結(jié)果表明：燃燒反應(yīng)后直接得到螢石型結(jié)構(gòu)的單相固溶體,晶粒尺寸為8nm-12nm之間，比表向積為38m^2/g～47m^2／g；晶粒尺寸隨焙燒溫度升高而增加，在800℃下焙燒1h后，可以去除反應(yīng)殘留物質(zhì)，并使獲得的品形更加完整。

摘要:采用磁控濺射方法制備FePt（50nm）和[FePt（2nm，3nm，5nm）／C（1nm）]。膜，并在550℃退火30min，研究了周期數(shù)（n）對(duì)FePt／C系列多層膜結(jié)構(gòu)及磁學(xué)性能的影響。結(jié)果表明：退火后多層膜的矯頑力在總膜層厚度約為30nm時(shí)出現(xiàn)最大值；隨著n的增大，多層膜的飽和磁化強(qiáng)度和晶粒尺寸均不斷增大；C的加入可以有效降低晶粒間交換耦合作用。剛此可以通過控制周期數(shù)得到縣仃合適的微觀結(jié)構(gòu)和高的磁學(xué)性能的FePt／C多層膜，從而滿足超高密度磁記錄介質(zhì)的要求。