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  • 2005年第34卷第7期文章目次
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    • 7055鋁合金二次時(shí)效特征研究——(I)力學(xué)性能

      2005, 34(7).

      摘要 (1116) HTML (151) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:利用維氏硬度和拉伸力學(xué)性能測試、Kahn撕裂試驗(yàn)等方法,研究二次時(shí)效對7055鋁合金力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,經(jīng)過120℃,150℃和180℃高溫欠時(shí)效,甚至峰值時(shí)效處理后,再進(jìn)行60℃和100℃低溫二次時(shí)效,可以獲得超過相應(yīng)單級峰值時(shí)效的硬度和強(qiáng)度。Kahn撕裂試驗(yàn)表明,二次時(shí)效溫度從60℃提高到100℃,可以縮短二次峰值硬化時(shí)間,但不利于7055鋁合金斷裂韌性的改善。在相同預(yù)時(shí)效溫度下,縮短預(yù)時(shí)效時(shí)間比峰值時(shí)效狀態(tài)更有利于斷裂韌性的改善。較低預(yù)時(shí)效和二次時(shí)效溫度以及較短預(yù)時(shí)效時(shí)間有利于獲得強(qiáng)度和斷裂韌性的良好配合。

    • Er_(2-x)Pr_xFe_(17)化合物的結(jié)構(gòu)與磁熵變

      2005, 34(7).

      摘要 (1220) HTML (136) PDF 0.00 Byte (12) 評論 (0) 收藏

      摘要:較詳細(xì)地研究了Er2-xCexFe17化合物的結(jié)構(gòu)、磁性和磁熵變。結(jié)果表明,輕稀土Ce的摻入雖然沒有明顯改變Er2Fe17化合物的相結(jié)構(gòu)及其晶格常數(shù),但改變了Er次晶格與Fe次晶格之間的耦合系數(shù),使仍為Th2Ni17型六方結(jié)構(gòu)的Er2-xCexFe17化合物的居里溫度可通過成分微調(diào)使其處在室溫附近。Er2-xCexFe17化合物的λ形(-?SM)-T曲線表明其在居里點(diǎn)附近發(fā)生的相變屬于二級相變,它使化合物可在較寬溫區(qū)范圍內(nèi)保持較大的磁熵變。Er2-xCexFe17化合物在x=0.05~0.1范圍內(nèi)具有較大的磁熵變,其在2.0T和5.0T外場下的最大磁熵變達(dá)到金屬Gd的40%~50%,且其化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、制冷溫區(qū)寬、價(jià)格低廉,是一類性價(jià)比較高、應(yīng)用潛力較大的新型低場室溫磁制冷工質(zhì)材料。

    • 鈦合金表面離子束增強(qiáng)沉積膜層的環(huán)境適應(yīng)性和接觸相容性

      2005, 34(7):1009-1012.

      摘要 (1601) HTML (183) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:利用離子束增強(qiáng)沉積技術(shù)在鈦合金表面制備CrN硬質(zhì)抗磨層和CuNiln固體潤滑膜層。通過電化學(xué)測試技術(shù)對比研究了膜層和鈦合金基材在含Cl介質(zhì)中的抗蝕性能和接觸腐蝕敏感性,利用高溫靜態(tài)氧化方法評價(jià)了膜層的抗氧化性能。結(jié)果表明:(1)CuNiln膜層耐電化學(xué)腐蝕性能和抗氧化性能顯著優(yōu)于Cu,在含Cl介質(zhì)中與鈦合金接觸相容。(2)在含Cl水溶液中,CrN膜層耐蝕性好,與鈦合金接觸相容;在HCl HF混合酸中,CrN膜耐蝕性能遠(yuǎn)優(yōu)于鈦合金;抗氧化性能優(yōu)于Ti。

    • Ce對鎂及鎂合金中晶粒的細(xì)化機(jī)理

      2005, 34(7):1013-1016.

      摘要 (1820) HTML (164) PDF 0.00 Byte (19) 評論 (0) 收藏

      摘要:研究了Ce對鎂及鎂合金晶粒細(xì)化效果和力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:純鎂結(jié)晶時(shí)易形成粗大的柱狀晶和扇形晶,加入微量稀土元素Ce后,晶粒被明顯細(xì)化,柱狀晶全部轉(zhuǎn)化成等軸晶。在AZ31合金中添加微量稀十元素Ce,晶粒由未細(xì)化前的約300μm下降到約30μm。稀土Ce在鎂及AZ31合金中的固溶度很小,在凝固過程中固/液界面前沿Ce容易富集引起成分過冷形成新形核帶導(dǎo)致晶粒細(xì)化。凝固過程中溶質(zhì)再分配造成固液界面前沿成分過冷度增大是稀土元素細(xì)化鎂及鎂合金的主要機(jī)理。

    • 鎂基儲氫材料顆粒尺寸對吸放氫動力學(xué)性能的影響

      2005, 34(7):1017-1020.

      摘要 (1305) HTML (168) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:通過吸放氧動力學(xué)方程,計(jì)算了顆粒大小對鎂-鎳-氧化物儲氫材料吸放氫動力學(xué)過程的影響。計(jì)算結(jié)果表明:不同顆粒直徑的鎂-鎳-氧化物儲氫材料的吸放氫反應(yīng)速度差別較大;顆粒越小,其吸放氫動力學(xué)性能越優(yōu)異。

    • AZ31鎂合金攪拌摩擦焊接顯微組織形成機(jī)制

      2005, 34(7):1021-1024.

      摘要 (1255) HTML (162) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:攪拌摩擦焊接顯微組織的一個(gè)顯著特征就是焊核(Weld Nugget)的形成。采用AZ31鎂合金為母材,通過金相和透射電鏡分析攪拌摩擦焊接焊核的形成機(jī)制及接頭不同區(qū)域的顯微組織特征,并建立AZ31鎂合金攪拌摩擦焊接的組織演變模型。結(jié)果顯示,緊靠軸肩生成厚度約為37gm~47gm細(xì)密組織層。機(jī)械熱影響區(qū)存在部分動態(tài)再結(jié)晶和較明顯的塑性變形晶粒。焊縫底部有一厚約100gm~130gm的粗大組織層。熔核區(qū)的組織比較細(xì)小,沿厚度方向晶粒大小不均勻。同時(shí)提出一個(gè)焊核晶粒細(xì)化的簡易模型,分析認(rèn)為焊接過程中熱過程和熱機(jī)械攪拌作用對FSW接頭組織的形成起決定性作用。

    • A1-Li合金的拉伸斷裂過程研究

      2005, 34(7):1025-1028.

      摘要 (1312) HTML (147) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:以2090 Ce合金為研究對象,對不同時(shí)效時(shí)間的室溫拉伸斷口進(jìn)行了半定量分析,探討了拉伸性能對斷裂特征的響應(yīng)關(guān)系,重點(diǎn)分析合金分層裂紋的形成過程。研究表明:2090 Ce合金的斷裂方式以韌窩、分層開裂和沿亞晶界開裂3種為主,隨時(shí)效時(shí)間的延長,韌窩、分層開裂逐漸減少,沿亞晶界開裂比例逐漸加大:分層開裂程度與時(shí)效程度有密切關(guān)系:分層開裂過程與試樣內(nèi)部受力狀態(tài)、晶界狀態(tài)有密切關(guān)系。分層最先發(fā)生在試樣中心,隨后在二分之一、四分之一……處反復(fù)發(fā)生,最終將試樣分割成一系列平行的薄板。時(shí)效后期由于亞晶界的弱化,使裂紋傾向沿亞晶界擴(kuò)展,從而抑制分層開裂的發(fā)生,同時(shí)導(dǎo)致合金強(qiáng)度,尤其是塑性的下降。

    • 7055鋁合金二次時(shí)效特征研究—(Ⅰ)力學(xué)性能

      2005, 34(7):1029-1032.

      摘要 (1353) HTML (149) PDF 0.00 Byte (4) 評論 (0) 收藏

      摘要:利用維氏硬度和拉伸力學(xué)性能測試、Kahn撕裂試驗(yàn)等方法,研究二次時(shí)效對7055鋁合金力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明,經(jīng)過120℃,150℃和180℃高溫欠時(shí)效,甚至峰值時(shí)效處理后,再進(jìn)行60℃和100℃低溫二次時(shí)效,可以獲得超過相應(yīng)單級峰值時(shí)效的硬度和強(qiáng)度。Kahn撕裂試驗(yàn)表明,二次時(shí)效溫度從60℃提高到100℃,可以縮短二次峰值硬化時(shí)間,但不利于7055鋁合金斷裂韌性的改善。在相同預(yù)時(shí)效溫度下,縮短預(yù)時(shí)效時(shí)間比峰值時(shí)效狀態(tài)更有利于斷裂韌性的改善。較低預(yù)時(shí)效和二次時(shí)效溫度以及較短預(yù)時(shí)效時(shí)間有利于獲得強(qiáng)度和斷裂韌性的良好配合。

    • 強(qiáng)磁場作用下Al-Ni合金中Al3Ni析出相的凝固行為

      2005, 34(7):1033-1035.

      摘要 (1468) HTML (133) PDF 0.00 Byte (14) 評論 (0) 收藏

      摘要:用金相顯微鏡和X射線衍射研究了強(qiáng)磁場條件下Al-8%Ni合金中非鐵磁性的Al3Ni析出相的凝固行為,發(fā)現(xiàn)強(qiáng)磁場誘導(dǎo)Al3Ni晶粒以C軸平行磁場方向取向,并且晶粒的長軸與C軸垂直;取向的晶粒在垂直磁場方向上形成多個(gè)相互平行的Al3Ni聚合面,即形成規(guī)則的Al3Ni層狀組織:在層狀聚合面中隨機(jī)分布著多個(gè)大的Al3Ni聚合體,聚合體內(nèi)部的晶粒有序排列。

    • Zn對2195鋁鋰合金顯微組織和拉伸性能的影響

      2005, 34(7):1036-1038.

      摘要 (1608) HTML (173) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:研究了Zn對2195鋁鋰合金在不同熱處理狀態(tài)(T8,T6)下的顯微組織和拉伸性能的影響。結(jié)果表明:Zn的存在明顯促進(jìn)了T1相的析出和彌散分布,而且有球形顆粒狀含Zn相析出,使合金強(qiáng)度提高:但Zn的加入不改變2195合金的斷裂機(jī)制,且使合金塑性略有下降。

    • 內(nèi)氧化法制備Al2O3/Cu復(fù)合材料的再結(jié)晶行為

      2005, 34(7):1039-1042.

      摘要 (1397) HTML (139) PDF 0.00 Byte (12) 評論 (0) 收藏

      摘要:以Cu2O為氧化劑,采用Cu-Al合金粉末內(nèi)氧化及后續(xù)的粉末冶金法制備了Al2O3/Cu復(fù)合材料。并將不同Al2O3含量的試樣進(jìn)行不同變形量的冷拔處理,在氮?dú)獗Wo(hù)下進(jìn)行高溫退火處理(700℃~1050℃,1h)。研究了硬度隨退火溫度的變化規(guī)律,觀察了顯微組織。結(jié)果表明:在銅基體中彌散分布著納米級的Al2O3顆粒:經(jīng)900℃,1h退火后Al2O3/Cu復(fù)合材料的硬度可保持室溫的87%以上;其再結(jié)晶溫度高達(dá)1000℃;變形量和Al2O3含量增加均使硬度提高,但對軟化和再結(jié)晶溫度影響不大。

    • K-RE變質(zhì)處理改善Fe-V-W-Mo合金組織

      2005, 34(7):1043-1046.

      摘要 (1202) HTML (159) PDF 0.00 Byte (8) 評論 (0) 收藏

      摘要:用K-RE對Fe-5%V-5%W-5%Mo-5%Cr-3%Nb-2%Co-2%C合金變質(zhì)處理,使凝固組織發(fā)生了明顯的變化,不僅碳化物和基體組織明顯細(xì)化,還出現(xiàn)共晶碳化物斷網(wǎng)現(xiàn)象,產(chǎn)生了較多的小塊狀和顆粒狀碳化物。經(jīng)K-RE變質(zhì)處理Fe-V-W-Mo合金加熱溫度950℃時(shí),碳化物斷網(wǎng)明顯,加熱溫度1000℃時(shí),多數(shù)碳化物已斷網(wǎng),并出現(xiàn)了數(shù)量較多的顆粒狀碳化物,加熱溫度1050℃時(shí),碳化物網(wǎng)狀組織全部消失,大部分碳化物變成了球狀組織。

    • 快淬對Ti-V基BCC相合金相結(jié)構(gòu)和儲氫性能的影響

      2005, 34(7):1047-1050.

      摘要 (1290) HTML (147) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:研究了快淬作用對Ti-28V-15Mn-10Cr合金的相結(jié)構(gòu)和儲氫性能的影響。XRD實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,快淬處理使得合金由BCC和C14Laves兩相結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)閱我坏腂CC相結(jié)構(gòu),同時(shí)合金的晶格常數(shù)隨著快淬冷速的增加而增大??齑阕饔媚茱@著改善Ti-28V-15Mn-10Cr合金的吸放氫平臺特性,從而導(dǎo)致合金放氫量的增加。然而,快淬處理也使得合金的放氫平臺壓下降以及活化性能變差。

    • 添加Cr對納米復(fù)合Nd2Fe14B/α-Fe合金晶化行為和磁性能的影響

      2005, 34(7):1051-1054.

      摘要 (1301) HTML (153) PDF 0.00 Byte (10) 評論 (0) 收藏

      摘要:采用熔體快淬及晶化處理工藝制備Nd11Fe72-xCo8V1.5CrB7.5(x=0,1)納米晶合金。研究了添加Cr對合金晶化行為和磁性能的影響。結(jié)果表明,添加Cr提高了軟磁相α-Fe和硬磁相Nd2Fe14B的形成溫度,降低了硬磁相Nd2Fe14B的居里溫度。同時(shí),添加Cr可細(xì)化兩相晶粒,提高內(nèi)稟矯頑力,從而提高最大磁能積。

    • 雙相納米晶Nd10Fe75Co5Zr3Cr0.5B6.5磁體的研究

      2005, 34(7):1055-1057.

      摘要 (1575) HTML (148) PDF 0.00 Byte (7) 評論 (0) 收藏

      摘要:采用熔體快淬及晶化熱處理工藝制備Nd10Fe75Co5Zr3Cr0.5B6 5納米晶合金.快淬薄片(17m·s-1)在710℃,4 min晶化處理后,晶粒尺寸為50 nm~60 nm.該快淬薄片經(jīng)710℃,4min晶化處理后制成的粘結(jié)磁體的磁性能為Br=0.67 T,JHc=707 kA·m-1和(BH)max=74 kJ·m-3.

    • 氫化脫氫釹鐵硼微觀組織結(jié)構(gòu)的變化

      2005, 34(7):1058-1060.

      摘要 (1479) HTML (136) PDF 0.00 Byte (11) 評論 (0) 收藏

      摘要:采用SEM和XRD對Nd13Fe81.5B5.5合金氫化-歧化-脫氫過程中相結(jié)構(gòu)和組織形貌的變化進(jìn)行了觀測分析,結(jié)果表明:非受熱的Nd13Fe81.5B5.5合金的吸氫只能在富釹相的品界上進(jìn)行,吸氫的過程伴隨著熱量的釋放。加熱后的Nd13Fe81.5B5.5合金吸氫不儀沿著Nd13Fe81.5B5.5富釹相品界進(jìn)行,而且也能在其品格內(nèi)進(jìn)行。合金吸氫后牛成物豐相為NdH2.9和α-Fe,還有微量的Fe2B和Fe2Nd,吸氫的過程伴隨著大量熱的釋放,Nd13Fe81.5B5.5合金的吸氫溫度為700℃,在730℃~800℃的范圍內(nèi)脫氫,在此工藝條件下,能獲得高質(zhì)量的氫化物。

    • HDDR處理的不同釤含量Sm2Fe17型合金及氮化物的研究

      2005, 34(7):1061-1064.

      摘要 (1549) HTML (148) PDF 0.00 Byte (11) 評論 (0) 收藏

      摘要:通過采用電弧爐冶煉、HDDR及氮化的方法,對Sm2Fe17型合金及其氮化物的組織形貌、物相及磁性能進(jìn)行研究發(fā)現(xiàn),多補(bǔ)償添加25%釤可使Sm2Fe17型合金退火后的α-Fe含量小于2%.HDDR后的粉末顆粒表面由蜂窩狀孔洞、密堆積小顆粒及彌散細(xì)小顆粒組成.不同次數(shù)HDDR循環(huán)處理后的主相均表現(xiàn)為與退火后相同的Sm2Fe17結(jié)構(gòu)及易面磁化.HDDR后α-Fe的含量增加,單胞體積膨脹△V/V0.35%.氮化后Sm2Fe17晶格膨脹形成Sm2Fe17Nx主相,α-Fe相膨脹小,氮化增加α-Fe含量,多補(bǔ)償Sm和延長氮化時(shí)間對減少α-Fe含量有利.隨著氮化時(shí)間的延長,粉末中的氮含量增加,而且細(xì)粉氮化速度快,其中Sm12.8Fe87.2細(xì)粉氮化速度最快.補(bǔ)償足夠的釤可提高磁性能,從提高矯頑力角度看,多添加25%Sm與40%Sm效果相當(dāng),但從提高剩磁角度看,多添加釤到40%更好.

    • Er2-xPrxFe17磁致冷合金在室溫區(qū)的磁熵變

      2005, 34(7):1065-1068.

      摘要 (1453) HTML (147) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:在氬保護(hù)氣氛中用熔煉法制備了Er2-xPrxFe17系列合金,通過X射線衍射和SQUID磁強(qiáng)計(jì)研究了樣品的結(jié)構(gòu)和磁熵變。結(jié)果表明,Er2-xPrxFe17系列合金具有六方Th2Ni17型結(jié)構(gòu),通過成分微調(diào)使其居里溫度處在室溫附近,Er2-xPrxFe17合金有較大的磁熵變,且致冷溫區(qū)較寬,是一類有很大應(yīng)用潛力的室溫磁致冷材料。

    • Er2-xCexFe17化合物的結(jié)構(gòu)與磁熵變

      2005, 34(7):1069-1072.

      摘要 (1192) HTML (149) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:較詳細(xì)地研究了Er2-xCexFe17化合物的結(jié)構(gòu)、磁性和磁熵變。結(jié)果表明,輕稀土Ce的摻入雖然沒有明顯改變Er2Fe17化合物的相結(jié)構(gòu)及其晶格常數(shù),但改變了Er次晶格與Fe次晶格之間的耦合系數(shù),使仍為Th2Ni17型六方結(jié)構(gòu)的Er2-xCexFe17化合物的居里溫度可通過成分微調(diào)使其處在室溫附近。Er2-xCexFe17化合物的λ形(-△SM)-T曲線表明其在居里點(diǎn)附近發(fā)生的相變屬于二級相變,它使化合物可在較寬溫區(qū)范圍內(nèi)保持較大的磁熵變。Er2-xCexFe17化合物在x=0.05-0.1范圍內(nèi)具有較大的磁熵變,其在2.0T和5.0T外場下的最大磁熵變達(dá)到金屬Gd的40%~50%,且其化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、制冷溫區(qū)寬、價(jià)格低廉,是一類性價(jià)比較高、應(yīng)用潛力較大的新型低場室溫磁制冷工質(zhì)材料。

    • 磁控共濺射SiC納米顆粒/SiO2基質(zhì)鑲嵌結(jié)構(gòu)薄膜材料的微結(jié)構(gòu)和光致發(fā)光特性

      2005, 34(7):1073-1076.

      摘要 (1343) HTML (260) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:采用二氧化硅/碳化硅復(fù)合靶,用射頻磁控共濺射技術(shù)和后高溫退火的方法在Si(111)襯底上制備了碳化硅納米顆粒/二氧化硅基質(zhì)(nc-SiC/SiO2)鑲嵌結(jié)構(gòu)薄膜材料,用X射線衍射(XRD),傅里葉紅外吸收(FTIR),掃描電子顯微鏡(SEM)和光致發(fā)光(PL)實(shí)驗(yàn)分析了薄膜的微結(jié)構(gòu)以及光致發(fā)光特性。結(jié)果表明:樣品薄膜經(jīng)高溫退火后,部分無定形SiC發(fā)生晶化,形成β-SiC納米顆粒而較均勻地鑲嵌在SiO2基質(zhì)中。以280nm波長光激發(fā)薄膜表面,有較強(qiáng)的365nm的紫外光發(fā)射以及458nm和490nm處的藍(lán)光發(fā)射,其發(fā)光強(qiáng)度隨退火溫度的升高顯著增強(qiáng),發(fā)光歸結(jié)為薄膜中與Si-O相關(guān)的缺陷形成的發(fā)光中心。

    • 磁控濺射氧化釩薄膜的相成分及電阻-溫度特性

      2005, 34(7):1077-1080.

      摘要 (1403) HTML (154) PDF 0.00 Byte (12) 評論 (0) 收藏

      摘要:采用磁控濺射法在p-Si(100)襯底上制備了VOx薄膜。利用X射線衍射(XRD)分析、原子力顯微鏡(AFM)及四探針測試方法,研究了制備工藝條件對薄膜的相成分和電阻.溫度特性的影響,并測試分析了薄膜的電學(xué)熱穩(wěn)定性。結(jié)果表明:通過這種方法制備的氧化釩薄膜具有較高的電阻溫度系數(shù)及良好的電學(xué)熱穩(wěn)定性,可作為微測輻射熱計(jì)的熱敏材料。

    • Ti/TiO2膜電極在H2SO4和NaOH溶液中的電化學(xué)活化表面積

      2005, 34(7):1081-1084.

      摘要 (1201) HTML (125) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:應(yīng)用循環(huán)伏安法研究了聚合前驅(qū)體熱分解法制備的Ti/TiO2膜電極在pH=1的H2SO4溶液和pH=14的NaOH溶液中的電化學(xué)活化表面積。結(jié)果表明,相同條件下制備的Ti/TiO2膜電極在H2SO4溶液中的伏安電荷容量要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于在NaOH溶液中的伏安電荷容量,電極在不同pH值溶液中的內(nèi)電化學(xué)活化表面積又遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于外電化學(xué)活化表面積。因此電極表面活化表面積的大小與電極的結(jié)構(gòu)以及溶液的pH值有關(guān)。

    • 沉淀法合成納米CeO2的晶粒生長動力學(xué)

      2005, 34(7):1085-1088.

      摘要 (1589) HTML (142) PDF 0.00 Byte (24) 評論 (0) 收藏

      摘要:以Ce(NO3)3·6HzO為鈰源,(NH4)2CO3·H2O為沉淀劑,并加入一定量表面活性劑PEG4000,采用液相沉淀法制備前驅(qū)體Ce2(CO3)3·H2O,前驅(qū)體經(jīng)熱處理合成納米CeO2.根據(jù)XRD線寬法研究了納米CeO2熱處理過程的晶粒生長動力學(xué),結(jié)果表明隨焙燒溫度升高,CeO2晶粒尺寸顯著增大;300℃下焙燒時(shí)間對CeO2晶粒尺寸影響不明顯,700℃下CeO2晶粒隨焙燒時(shí)間延長而長大,且焙燒初期粒徑增長較快,超過180 min后增長速率變慢;700℃時(shí)CeO2晶粒生長指數(shù)為5,即符合5次方動力學(xué)方程,晶粒生長速率常數(shù)為1.986 5×104 nm5/min;由于納米尺寸效應(yīng),使得CeO2晶粒生長活化能在低溫區(qū)和高溫區(qū)不同,低于400℃時(shí)為25.64 kJ/mol,高于400℃時(shí)為87.64 kJ/mol;認(rèn)為熱處理過程CeO2的晶粒生長為擴(kuò)散生長機(jī)制.

    • HF-PCVD法TiO2納米晶的粒徑與晶型控制

      2005, 34(7):1089-1093.

      摘要 (1264) HTML (148) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:以TiCl4和O2為反應(yīng)體系,采用高頻等離子化學(xué)氣相沉積(HF-PCVD)法制備了晶化完整的銳鈦和金紅石混晶型TiO2納米晶,球形體的晶粒分散性良好,分布較為均勻:研究了控制粒徑大小和晶相組成的關(guān)鍵反應(yīng)條件。XPS,TEM,XRD結(jié)果顯示:增加TiCl4進(jìn)料量、延長停留時(shí)間均利于銳鈦相向金紅石相轉(zhuǎn)化,但粒徑有所增大:添加A1C13使金紅石相含量較未摻雜時(shí)有較大幅度提高,且粒徑隨摻鋁量增加而減小。本實(shí)驗(yàn)條件下,TiO2納米晶的粒徑為25nm~60nm,金紅石相含量在12.O%~53.6%間可控。

    • 摻雜Y^3+的納米TiO2微粒的制備及其光催化性能

      2005, 34(7):1094-1097.

      摘要 (1704) HTML (137) PDF 0.00 Byte (12) 評論 (0) 收藏

      摘要:在Sol-Gel法制備納米TiO2微粒的最佳制備條件的基礎(chǔ)上,制備了摻雜稀土離子釔(Y^3 )的納米TiO2復(fù)合粒子,并對這二者進(jìn)行了XRD,TEM和DRS表征及光催化活性檢驗(yàn)。結(jié)果表明,未經(jīng)摻雜的TiO2與摻雜稀土Y^3 的TiO2均為銳鈦和金紅石的混合晶型,銳鈦和金紅石的比例約為3:1;摻雜抑制了TiO2晶粒的生長,使得TiO2粒徑明顯變小,其顆粒大小為10nm左右。用DRS表征微粒的光吸收能力和光吸收帶邊移動情況,發(fā)現(xiàn)摻雜導(dǎo)致了TiO2光吸收能力增強(qiáng)及吸收帶邊紅移。通過對苯酚的光催化氧化降解研究,發(fā)現(xiàn)當(dāng)Y^3 摻雜量(按質(zhì)量)為1.5%時(shí),TiO2光催化活性最高,與未摻雜的TiO2相比,其光催化活性提高約20%。

    • PdY8.5Ru0.19合金吸放氫氘特性

      2005, 34(7):1098-1101.

      摘要 (1453) HTML (132) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:在25℃~100℃的溫度范圍內(nèi),測定了PdY8.5Ru0.19合金吸放氫、氘的P-C-T曲線.與純鈀相比,合金的P-C-T曲線坪區(qū)變窄,坪壓降低,有顯著的同位素效應(yīng),但遲滯效應(yīng)較小.合金吸放氫氘的P-C-T曲線可擬合成p=A(er/B-1)形式.吸氘熱焓為-13.9 kJ/mol·D2,熵變?yōu)?9.4 J/mol K·D2.進(jìn)行了25℃下合金吸氫、氘速率的測量,合金吸氫、氘速率常數(shù)分別為KH=2.39×10-4 mol·s-1,KD=1.16×10-4 mol·s-1.而且合金的氫化過程用漸進(jìn)轉(zhuǎn)化模型描述.

    • 鎢絲/Zr基金屬玻璃復(fù)合材料的界面反應(yīng)與擴(kuò)散

      2005, 34(7):1102-1105.

      摘要 (1310) HTML (139) PDF 0.00 Byte (1) 評論 (0) 收藏

      摘要:采用滲流鑄造工藝制備了鎢絲增強(qiáng)不同Nb含量的Zr基金屬玻璃復(fù)合材料,利用X-Ray衍射、掃描電鏡以及電子探針考察了復(fù)合材料界面反應(yīng)和界面擴(kuò)散情況,研究了基體合金中的Nb含量對復(fù)合材料界面反應(yīng)和界面擴(kuò)散的影響。結(jié)果表明:對Zr55Al10Ni5Cu30基復(fù)合材料,滲流時(shí),鎢絲與液相中的Zr發(fā)生界面包晶反應(yīng),生成W5Zr3界面相,并使界面位置向液相方向移動。在Zr55Al10Ni5Cu30合金的基礎(chǔ)上添加Nb,發(fā)現(xiàn)Nb優(yōu)先在鎢絲界面偏聚,降低了Zr在鎢絲界面的偏聚和活度,抑制鎢絲與液相中的Zr包晶反應(yīng)的發(fā)生,沒有生成W5Zr3界面相,界面處只存在簡單的擴(kuò)散層。同時(shí)發(fā)現(xiàn)Zr元素在鎢絲中的擴(kuò)散系數(shù)降低,此時(shí)界面位置向鎢絲方向移動。

    • CuSiAlTi釬料對SiC陶瓷的潤濕性

      2005, 34(7):1106-1108.

      摘要 (1431) HTML (146) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:研究了CuSiAlTi釬料對SiC陶瓷的潤濕性。發(fā)現(xiàn)元素Ti顯著影響釬料對SiC陶瓷的潤濕性。采用SEM,XRD對潤濕界面進(jìn)行了觀察分析,發(fā)現(xiàn)在界面上存在1個(gè)含TiC的很薄的界面層和含Cu較多、含Ti元素較少的較厚的界面過渡層。分析表明,在潤濕過程中釬料中的元素與SiC陶瓷中的Si,C相互擴(kuò)散,Cu元素在SiC陶瓷一側(cè)是主要的擴(kuò)散元素,Cu的擴(kuò)散在SiC陶瓷一側(cè)形成了較厚的擴(kuò)散層。

    • 鐵電陶瓷材料在交變電場作用下的電疲勞研究

      2005, 34(7):1109-1113.

      摘要 (1240) HTML (156) PDF 0.00 Byte (10) 評論 (0) 收藏

      摘要:研究了PLZT鐵電陶瓷的電疲勞特性。結(jié)果表明:在加上極化電場以后,相對于未疲勞試樣,電疲勞試樣中沿著電場方向翻轉(zhuǎn)的電疇較少,沿偏離電場方向的電疇較多。SEM分析表明疲勞前樣品的斷裂模式主要為穿晶斷裂,而疲勞后主要為沿晶斷裂。利用原位XRD分析得出樣品在交流電場下由90。疇變導(dǎo)致的疇變應(yīng)變高達(dá)0.1%,這種反復(fù)高疇變應(yīng)變造成的沿晶微裂紋是造成疲勞試樣電疇沿電場方向翻轉(zhuǎn)減少的主要原因,并最終導(dǎo)致了鐵電陶瓷的電疲勞。

    • 等離子體噴涂Sn和ZrO2涂層/U-Nb合金摩擦副的摩擦性能

      2005, 34(7):1114-1118.

      摘要 (1356) HTML (145) PDF 0.00 Byte (8) 評論 (0) 收藏

      摘要:探討了用等離子體噴涂方法制備改善與U-Nb合金之間摩擦性能的減摩層的可行性。比較了U-Nb合金在涂層表面滑動時(shí)Sn軟涂層,Sn/ZrO2雙涂層,ZrO2硬涂層和ZrO2中加入Sn的混合涂層的摩擦特性。結(jié)果表明,表層為Sn的單涂層和Sn/ZrO2雙涂層的摩擦性能相近,Sn單涂層的摩擦系數(shù)最低。ZrO2硬涂層一直保持著較高的摩擦系數(shù),在ZrO2中加入Sn后,涂層的摩擦系數(shù)沒有得到有效改善。用等離子體噴涂方法制備的ZrO2硬涂層不適合作U-Nb合金的減摩層。切削是Sn、Sn/ZrO2、Sn ZrO2、ZrO2的涂層與U-Nb合金之間主要的摩擦機(jī)理。

    • 鈦合金粉末溫壓成形行為

      2005, 34(7):1119-1122.

      摘要 (1216) HTML (142) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:研究了鈦合金粉末的溫壓成形行為。結(jié)果發(fā)現(xiàn),在同一壓制壓力下,鈦合金粉末的生坯密度均在140℃左右達(dá)到最大值,高于或低于這一溫度,生坯密度反而降低。在壓制壓力為500MPa下,溫壓成形的脫模力比室溫成形的脫模力降低27.7%。同時(shí),溫壓成形較室溫成形改善了鈦合金件的顯微組織。

    • 金屬注射成形Ti-6Al-4V燒結(jié)坯的力學(xué)性能與燒結(jié)時(shí)間關(guān)系

      2005, 34(7):1123-1127.

      摘要 (1587) HTML (132) PDF 0.00 Byte (30) 評論 (0) 收藏

      摘要:研究了在1260℃燒結(jié)時(shí),燒結(jié)時(shí)間對Ti-6Al-4V燒結(jié)坯力學(xué)性能的影響.結(jié)果表明平均晶粒尺寸為45 μm的氫化-脫氫粉末樣品在1 260C燒結(jié)3 h~6 h,其相對密度為95.6%~96.7%、拉伸強(qiáng)度648 MPa~686 MPa、屈服強(qiáng)度526 MPa~615 MPa,但延伸率僅小于4%.90%氣霧化(晶粒尺寸為32.5 μm)和10%氫化-脫氫混合粉末樣品在1 260℃燒結(jié)2 h~6 h,其相對密度大于95%、拉伸強(qiáng)度800 MPa~848 MPa、屈服強(qiáng)度712 MPa~762 MPa、延伸率7.4%~9.5%.混合粉末樣品的力學(xué)性能幾乎達(dá)到美國ASTM粉末冶金的標(biāo)準(zhǔn).

    • 金屬-氣體共晶定向凝固工藝參數(shù)對藕狀多孔金屬鎂結(jié)構(gòu)的影響

      2005, 34(7):1128-1130.

      摘要 (1380) HTML (162) PDF 0.00 Byte (1) 評論 (0) 收藏

      摘要:利用自行丌發(fā)的Gasar裝置,成功制備了具有規(guī)則氣孔分布的藕狀多孔金屬M(fèi)g,并研究了鑄型預(yù)熱溫度和氣體壓力等工藝參數(shù)對氣孔率、氣孔大小和分布的影響。結(jié)果表明:提高鑄型的預(yù)熱溫度可以完全消除鑄錠側(cè)向的無氣孔金屬殼:隨著氫氣壓力的增大,鑄錠的氣孔率和氣孔平均直徑都在減小、氣孔的尺寸分布均勻性提高。

    • 粉末冶金法制備SiC晶須增強(qiáng)MB15鎂基復(fù)合材料

      2005, 34(7):1131-1134.

      摘要 (1206) HTML (161) PDF 0.00 Byte (1) 評論 (0) 收藏

      摘要:采用粉末冶金法制備了SiC晶須增強(qiáng)鎂基復(fù)合材料(SiCW/MB15)試樣。通過檢測基體顯微硬度探討了SiCW對鎂合金時(shí)效規(guī)律的影響,并借助掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)和拉伸試驗(yàn),研究了混粉方式對復(fù)合材料室溫力學(xué)性能、SiCW分布及顯微結(jié)構(gòu)的影響。結(jié)果表明,MB15及其復(fù)合材料的時(shí)效硬化曲線上均存在雙峰現(xiàn)象;SiCW的加入既提高了MB5的硬度,又加快了其時(shí)效速度:混粉方式對晶須分布及SiCW/MB15復(fù)合材料的室溫力學(xué)性能影響很大。

    • 稀土元素釔對納米級W-Ni-Fe復(fù)合粉末制備的影響

      2005, 34(7):1135-1138.

      摘要 (1358) HTML (126) PDF 0.00 Byte (13) 評論 (0) 收藏

      摘要:以噴霧干燥法制備的(W,Ni,F(xiàn)e)復(fù)合氧化物粉末為原料,采用700℃,保溫90min的條件進(jìn)行還原;研究了不同稀土Y含量對還原制備納粹級W-Ni-Fe復(fù)合粉末性能的影響;采用XRD及高倍SEM分別對所制備的復(fù)合粉末進(jìn)行了物相分析、晶粒尺寸測試和形貌觀察;并對的制得復(fù)合粉末的Fsss粒度、比表面進(jìn)行了測定與分析。結(jié)果表明:不加稀土Y時(shí)還原粉末由W和7-(Ni,F(xiàn)e)兩相組成,添加一定量稀土Y的還原粉末有W,7-(Ni,F(xiàn)e)和Y(Ni0.75W0.25)O3三相組成;當(dāng)Y的質(zhì)量分?jǐn)?shù)在0%-0.8%范圍內(nèi)(占90W-Ni-3Fe復(fù)合粉末的質(zhì)量分?jǐn)?shù)),隨著Y含量的增高,粉末dBET粒度由96.6nm降到45.2nm,粉末Fsss粒度由0.64μm降到0.28μm,粉末晶粒尺寸由26.1nm降到19.8nm;未添加稀土Y時(shí)粉末顆粒為球形,添加一定量的稀土Y,粉末顆粒變?yōu)榻蛐位蚨嗝骟w;添加一定量的稀土Y不僅可以有效地掏晶粒的長大,還可以在一定程度上提高粉末的分散性。

    • 機(jī)械合金化制備W-Ni-Fe納米-非晶材料

      2005, 34(7):1139-1143.

      摘要 (1749) HTML (154) PDF 0.00 Byte (9) 評論 (0) 收藏

      摘要:按照80.7W-13.2Ni-6.1Fe的原子分?jǐn)?shù).采用機(jī)械合金化(MA)方法,制備了W-Ni-Fe合金納米晶和非晶相的混晶結(jié)構(gòu)。結(jié)合XRD,利用近似內(nèi)標(biāo)法計(jì)算了球磨不同時(shí)間球磨粉中殘留晶體W的體積分?jǐn)?shù)和非晶相中的W含量,并分析了球磨過程中非晶形成的機(jī)制。結(jié)果表明:隨球磨時(shí)間的延長,W晶粒不斷細(xì)化.球磨60h,鎢晶粒尺寸可達(dá)到10nm-20nm,非晶相的形成過程主要是Ni(Fe)首先溶入W中形成過飽和固溶體,球磨20h后形成W-Ni(Fe)非晶。過飽和固溶體的形成是由于攜帶較大晶界存儲能的小粒子不斷溶入W中,計(jì)算得到可固溶的臨界Ni粒子尺寸約為3nm。由于Fe污染不斷溶入W中,在球磨過程中,殘留晶體W的體積分?jǐn)?shù)不斷減少.而非晶相中的W-Ni(Fe)比例基本保持恒定,為63W-37Ni(Fe)。

    • 低價(jià)鈮氧化物電解電容器陽極的研制

      2005, 34(7):1144-1146.

      摘要 (1218) HTML (148) PDF 0.00 Byte (10) 評論 (0) 收藏

      摘要:采用Nb與Nb2O5固-固反應(yīng)制備低價(jià)鈮氧化物粉末,用正交試驗(yàn)法及方差分析對制備低價(jià)鈮氧化物電解電容器陽極的工藝條件進(jìn)行了優(yōu)化。所研制的電容器陽極比容69500μF·V·g-1、損耗11.25%、漏電流(K值)1.8×10-4μA·μF-1·V-1,優(yōu)于FTa16-300電容器鉭粉國家標(biāo)準(zhǔn)(GB/T3136-1995)。

    • LiMn2-xCoxO4催化劑的溶膠-凝膠法合成

      2005, 34(7):1147-1150.

      摘要 (1192) HTML (127) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:為了改善空氣電極的電催化性能,提高鋅空氣電池的放電電流密度。采用溶膠.凝膠法制備了鋅空氣電池用催化劑LiMn2-xCoxO4。通過X射線衍射(XRD)、粒徑分布、穩(wěn)態(tài)電流.電壓極化曲線等方法,研究了所得催化劑的結(jié)構(gòu)及其電催化性能。并與高溫固相反應(yīng)法所得催化劑的結(jié)構(gòu)與電催化性能作了對比。結(jié)果表明,當(dāng)反應(yīng)體系的pH值為7~8、溫度為80℃時(shí)所得凝膠再經(jīng)600℃下保溫處理12h,可以得到具有最高催化活性的催化劑;溶膠.凝膠法合成催化劑的粒徑較小,主要集中在1μm~4.5μm的范圍內(nèi),粒度分布較窄,而高溫固相反應(yīng)法合成催化劑的粒徑較大,主要集中在5μm~30μm的范圍內(nèi)。粒度分布較寬:2種方法所得的催化劑具有完全相同的晶態(tài)結(jié)構(gòu);溶膠.凝膠法和高溫固相反應(yīng)法催化劑的空氣電極在-0.6V極化電位下的電流密度分別達(dá)到250mA/cm^2和210mA/cm^2,前者比后者的較高。

    • SiO2凝膠體系中M型鍶鐵氧體的制備及其磁性能

      2005, 34(7):1151-1153.

      摘要 (1248) HTML (144) PDF 0.00 Byte (1) 評論 (0) 收藏

      摘要:利用溶膠-凝膠法在SiO2凝膠體系中制備了納米級的鍶鐵氧體磁性微粒,該磁性微粒組成為3O%SrFe12O19和70%SiO2(質(zhì)量百分含量)。對該微粒進(jìn)行了XRD分析,利用VSM對樣品進(jìn)行了磁性能研究。研究表明,相對于共沉淀法制備的純鍶鐵氧體微粒,在SiO2凝膠體系中制備的SrM微粒仍保持為六方磁鉛石型結(jié)構(gòu),但是粒徑明顯降低,850℃結(jié)樣品的粒徑約為31nm;且內(nèi)稟矯頑力Hc有了顯著的提高,850℃燒結(jié)樣品的內(nèi)稟矯頑力達(dá)到518.4kA/m,而比飽和磁化強(qiáng)度則有所下降。并對其磁性能變化的原因進(jìn)行了分析。

    • 低溫?zé)Y(jié)SrBi4Ti4O15/Ag復(fù)合材料的制備及其介電特性

      2005, 34(7):1154-1157.

      摘要 (1205) HTML (154) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:摘要:采用固相燒結(jié)工藝制備了SrBi4Ti4O15(SBTi)/Ag鐵電復(fù)合材料,通過X射線衍射、光學(xué)金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡對材料的組成和微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究,并測量樣品的介電溫度譜。結(jié)果表明:復(fù)合材料是由SBTi和Ag兩相組成。微量金屬Ag的加入使SBTi鐵電陶瓷的燒結(jié)溫度從1120℃降低到950℃以下:可以適當(dāng)提高鐵電陶瓷從室溫到200℃的介電常數(shù),但對材料的介電損耗影響很小。同時(shí)Ag的加入壓抑了介電溫度曲線上的介電常數(shù)的Curie峰。

    • 磁控濺射法制備硅鉬薄膜及其性能表征

      2005, 34(7):1158-1161.

      摘要 (1402) HTML (129) PDF 0.00 Byte (1) 評論 (0) 收藏

      摘要:用射頻磁控濺射法在硅基底上成功制備出具有低電阻率的單一四方相二硅化鉬薄膜,并通過X射線衍射儀、原子力顯微鏡及四探針電阻測試儀對退火前后的薄膜樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能分析。結(jié)果表明:薄膜的電學(xué)特性強(qiáng)烈依賴于薄膜的微結(jié)構(gòu)和相組成。沉積態(tài)薄膜主要為非晶結(jié)構(gòu)。經(jīng)高溫退火后,薄膜的晶態(tài)結(jié)構(gòu)發(fā)生顯著的變化,晶化效果明顯提高,薄膜方阻大幅降低。

    • Preparation and Properties of GaN Micro-Ribbons on Ga-Diffused Si (111) Substrates

      2005, 34(7):1162-1165.

      摘要 (1515) HTML (153) PDF 0.00 Byte (10) 評論 (0) 收藏

      摘要:用射頻磁控濺射工藝在室溫?cái)U(kuò)鎵硅襯底上沉積Ga2O3膜,然后在氨氣氣氛下氮化Ga2O3膜得到GaN微米帶,用X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、選區(qū)電子衍射(SAED)、X射線光電子能譜(XPS)及光致發(fā)光譜(PL)對薄膜樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)、表面形貌、組分及發(fā)光特性分析.SEM圖像顯示直徑約為100 nm~300 nm微米帶隨機(jī)分布在GaN薄膜表面.XRD、XPS及SAED分析表明GaN微米帶呈六方閃鋅礦多晶結(jié)構(gòu),擇優(yōu)沿[001]方向生長.P1顯示了可能由量子限制效應(yīng)引起的發(fā)光峰,其相對于報(bào)道的GaN晶體發(fā)光峰有顯著藍(lán)移.

    • 真空退火對濺射淀積ZnO:Ga透明導(dǎo)電膜性能的影響

      2005, 34(7):1166-1168.

      摘要 (1285) HTML (145) PDF 0.00 Byte (1) 評論 (0) 收藏

      摘要:采用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上低溫制備出了鎵摻雜氧化鋅(ZnO:Ga)透明導(dǎo)電膜,研究了真空退火對薄膜結(jié)構(gòu)、電學(xué)和光學(xué)特性的影響。結(jié)果表明:真空退火后,薄膜結(jié)構(gòu)得到明顯改善,電阻率由退火前的1.13×10-3?·cm下降到5.4×10-4?·cm,在可見光區(qū)的平均透過率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上。

    • 膠體法制備透明導(dǎo)電ITO薄膜

      2005, 34(7):1169-1172.

      摘要 (1428) HTML (138) PDF 0.00 Byte (0) 評論 (0) 收藏

      摘要:以錫鹽和金屬銦為原料采用膠體法制備ITO前驅(qū)物漿料,通過提拉法在鍍有SiO2薄層的浮法玻璃基片上制備透明導(dǎo)電ITO薄膜。用TEM測定ITO前驅(qū)物漿料顆粒大?。挥肵RD、SEM、AES分別對ITO薄膜的結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行表征;用分光光度計(jì)和四探針電阻儀檢測ITO薄膜光電性能。結(jié)果表明:ITO前驅(qū)物漿料的顆粒粒徑為2nm~15nm,具有較好的分散性和穩(wěn)定性:ITO薄膜厚度越大,方電阻越小,平均透過率下降;ITO薄膜在波長為360nm~800nm區(qū)的透過率隨膜厚增加有不同的影響;退火溫度越高,膜方電阻越低;當(dāng)膜厚為300nm、退火溫度600℃時(shí),膜方電阻達(dá)到2581Ω/n,其透過率在波長550nm處達(dá)到89.6%,且薄膜表面平整。

    • 三維立體顯示用稀土摻雜氧鹵碲酸鹽玻璃

      2005, 34(7):1173-1176.

      摘要 (1505) HTML (150) PDF 0.00 Byte (22) 評論 (0) 收藏

      摘要:制備了一種新的Er^3 /Tm^3 /Yb^3 共摻氧鹵碲酸鹽玻璃。研究了基質(zhì)玻璃的熱穩(wěn)定性能、Raman光譜和上轉(zhuǎn)換發(fā)光。發(fā)現(xiàn):氧鹵碲酸鹽玻璃具有好的熱穩(wěn)定性能和低的聲子能量,在980nmLD激發(fā)下,可同時(shí)觀察到明顯的藍(lán)色(476nm)、綠色(530nm和545nm)和紅色(656nm)上轉(zhuǎn)換發(fā)光。上轉(zhuǎn)換藍(lán)光(476nm)是由于Tm^3 離子1^G4→3^3H6躍遷,上轉(zhuǎn)換的綠光(530nm和545nm)是由于Er^3 離子2^H11/2→4^I15/2和4^S3/2→4^I15/2躍遷,上轉(zhuǎn)換紅光(656nm)是由于Er^3 離子4^F9/2→4I15/2躍遷。

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