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摘要:

摘要:綜述了TiAl基合金板材的元素粉法和預(yù)合金粉法2種粉末冶金制備工藝，介紹了元素粉末法、金屬箔片法、預(yù)合金粉熱軋法、物理氣相沉積法和等離子噴涂法等工藝的制備過程和材料性能，論述了上述方法的特點(diǎn)和發(fā)展趨勢。

摘要:介紹了Ti-V-Ni，Ti-V-Mn和Ti-V-Cr3種固溶體合金作為儲氫合金或電極材料的研究現(xiàn)狀。對無電化學(xué)活性的基質(zhì)合金，用元素取代、合成復(fù)合合金和多相合金等多種方法，得到一些性能較好的負(fù)極材料。同時(shí)指出了固溶體合金的特點(diǎn)和研究工作的方向。

摘要:介紹了鈦基梯度功能材料復(fù)合結(jié)構(gòu)的概念和開發(fā)背景，回顧了近些年來在鈦基梯度功能材料宏細(xì)觀尺度研究方面所取得的研究成果，并對鈦基梯度功能材料復(fù)合結(jié)構(gòu)的發(fā)展趨勢作一展望。由于這種材料中，各組分材料的體積含量在空間位置上是連續(xù)變化的，其物理性能沒有突變，因而可較好地避免諸如在纖維增強(qiáng)復(fù)合材料中經(jīng)常出現(xiàn)的層間應(yīng)力問題或降低應(yīng)力集中現(xiàn)象。梯度功能材料目前已被發(fā)展用來作高溫環(huán)境下的結(jié)構(gòu)用件，本文著重論述了鈦基梯度功能材料復(fù)合結(jié)構(gòu)在材料優(yōu)化分析領(lǐng)域的研究現(xiàn)狀及其應(yīng)用前景，并提出需要進(jìn)一步研究的方向。

摘要:應(yīng)用小角度X射線散射技術(shù)結(jié)合TEM分析定量的描述Al-Zn-Mg-Cu-Li合金時(shí)效過程中析出相尺寸分布和形貌等信息。通過分析確定合金在幾種時(shí)效狀態(tài)下析出相為軸比在0．2～0．4之間的扁回轉(zhuǎn)橢球形。確定了析出相特征尺寸的對數(shù)正態(tài)分布和質(zhì)量依回轉(zhuǎn)半徑的Maxwell分布。并分析分布曲線隨動(dòng)力強(qiáng)度Ks的變化特征，可以看出，析出相尺寸和質(zhì)量分布曲線基本滿足隨動(dòng)力強(qiáng)度增加，幾何平均值增加，分布范圍變寬。

摘要:通過研究GPS燒結(jié)氮化硅陶瓷的室溫和高溫抗彎強(qiáng)度、晶界相含量和成分以及晶界析晶相隨氮化硅粉料表面氧含量的變化規(guī)律，發(fā)現(xiàn)當(dāng)粉料表面氧含量低于1．35mg／m^2時(shí)，氮化硅陶瓷在室溫下的抗彎強(qiáng)度基本保持不變。試樣在1200℃時(shí)的抗彎強(qiáng)度明顯低于室溫強(qiáng)度，且隨著粉料表面氧含量的增加有一最高值。由于燒結(jié)助劑引入的O和Si在燒結(jié)過程中的還原氣氛下發(fā)生反應(yīng)而損失，燒結(jié)體中晶界相的實(shí)際含量顯著低于粉料中燒結(jié)助劑的加入量。隨粉料表面氧含量的增加，氮化硅陶瓷燒結(jié)體中的二次析晶相α-Y2Si2O7和β-Y2Si2O7消失，只有β-Si3N4晶相和晶界玻璃相存在。

摘要:用金相顯微鏡、定量金相、掃描電鏡(SEM)、能譜分析(EDX)及X射線衍射(XRD)研究了0％，4％，6％Ta(質(zhì)量分?jǐn)?shù))3種成分的低Cr高W鑄造鎳基高溫合金鑄態(tài)及熱暴露后的顯微組織，結(jié)果表明：Ta是強(qiáng)MC碳化物形成元素，它形成MC碳化物的傾向低于Nb、高于Ti，當(dāng)合金中Ta的原子百分含量超過Nb3倍時(shí)，Ta在MC碳化物中的原子百分含量超過Nb。Ta是強(qiáng)γ'形成元素，它促進(jìn)共晶γ’的形成，在合金成分中以等量原子百分含量的Ta代替Al不會改變合金的共晶γ'數(shù)量。在高W鑄造高溫合金中M6C是比MC更加穩(wěn)定的碳化物，Ta的加入不能抑制1100℃，500h長時(shí)熱暴露后MC完全轉(zhuǎn)變?yōu)榱罨蚱瑺頜6C。MC分解時(shí)釋放的碳還促使σ(W,Mo) C→M6C反應(yīng)。對Ni-1．5Cr-10Co-16W-2Mo-5Al-1Ti-1Nb基礎(chǔ)成分合金，其最佳的含Ta量為4％(質(zhì)量分?jǐn)?shù))，而且含碳量應(yīng)低于0．07％(質(zhì)量分?jǐn)?shù))。

摘要:基于余氏固體與分子經(jīng)驗(yàn)電子理論(EET)和程氏改進(jìn)的TFD理論提出了計(jì)算雙相TiAl合金層片狀結(jié)構(gòu)α2／γ界面電子結(jié)構(gòu)的計(jì)算模型與方法，計(jì)算了含常用合金元素的單相TiAl合金與雙相TiAl合金中的異相界面的電子結(jié)構(gòu)，利用界面電子結(jié)構(gòu)給出的信息-界面結(jié)合因子ρ，Δρ,σ，以合金元素Mn為例初步分析討論了雙相TiAl合金層片狀結(jié)構(gòu)增加韌性的微觀機(jī)制。

摘要:在已有的泡沫金屬雙向名義載荷強(qiáng)度與孔隙率關(guān)系的基礎(chǔ)上，分析了該材料的雙向等應(yīng)力拉伸加載情形，探討了泡沫金屬在該情形下發(fā)生破壞的力學(xué)行為。研究結(jié)果顯示，以“八面體模型”推導(dǎo)出來的有關(guān)力學(xué)關(guān)系，較好地表征了該材料在雙向等載條件下的行為特點(diǎn)。

摘要:利用熱重分析法、XRD和SEM(EDX)研究了1種新型鎳基高溫合金在950℃和1000℃的高溫氧化行為。合金在950℃氧化時(shí)，氧化增重遵循拋物線規(guī)律，表面氧化膜無剝落，在1000℃氧化時(shí)表面氧化膜出現(xiàn)剝落，仍近似遵循拋物線規(guī)律。氧化膜由Cr2O3，Ni，Co)Cr2O4，TiO2，SiO2和Al2O3組成，并有內(nèi)氧化現(xiàn)象發(fā)生。合金在1000℃的氧化速度比在950℃時(shí)約高出1個(gè)數(shù)量級。根據(jù)氧化膜的組成進(jìn)一步分析了合金的氧化機(jī)理。

摘要:為了提高低鈷AB5型貯氫合金的電化學(xué)循環(huán)穩(wěn)定性，在低鈷AB5型貯氫合金中加入微量的硼，用真空快淬工藝制備了稀土系低鈷AB5型MmNi3.8Co0.4Mn0.6Al0.2Bx(x=0，0．1，0．2，0．3，0．4)貯氫合金，分析測試了鑄態(tài)及快淬態(tài)合金的電化學(xué)性能及微觀結(jié)構(gòu)，研究了硼對鑄態(tài)及快淬態(tài)合金微觀結(jié)構(gòu)及循環(huán)壽命的影響。結(jié)果表明，硼能大幅度提高鑄態(tài)及快淬態(tài)低鈷AB5型貯氫合金的電化學(xué)循環(huán)穩(wěn)定性，但其作用機(jī)理是完全不同的。

摘要:對定向凝固DZ4合金760℃和800℃下的低周疲勞行為進(jìn)行了研究，并結(jié)合斷口觀察，對其疲勞裂紋的萌生與擴(kuò)展進(jìn)行了分析。結(jié)果表明，DZ4合金760℃和800℃下的低周疲勞屬應(yīng)力疲勞，其損傷以彈性損傷為主，彈性損傷與疲勞壽命具有很好的相關(guān)性。定向凝固DZ4合金高壽命低周疲勞裂紋易于萌生于試樣內(nèi)部或亞表面的柱狀晶界。其疲勞裂紋的穩(wěn)定擴(kuò)展也較難形成典型的疲勞條帶。

摘要:采用粉末冶金和壓力加工方法制備了不同La2O3含量Mo-La2O3板材。Mo-La2O3板材和純鋁(PMo)板材經(jīng)高溫?zé)崽幚砗笤谑覝叵逻M(jìn)行靜態(tài)拉伸試驗(yàn)。結(jié)果表明，La2O3的添加不僅提高了鋁板的強(qiáng)度，而且對鋁板的延性具有顯著的改善作用，Mo-La2O3板材的縱向塑性在20％以上，最高達(dá)到46％。采用SEM和TEM的觀察結(jié)果對鋁板的拉伸行為進(jìn)行了解釋。

摘要:用金相顯微鏡，掃描電鏡，X射線衍射及密度測定，研究了90W-7Ni-3Fe和80W-10Ta-7Ni-3Fe2種成分合金。結(jié)果表明，含Ta合金在1400℃燒結(jié)時(shí)密度可達(dá)96.3％，合金密度隨燒結(jié)溫度提高而增加，在1460℃時(shí)密度達(dá)到最大；Ta原子固溶到硬質(zhì)相W和粘結(jié)相中，使得合金硬度明顯提高；含Ta合金斷口形貌中，粘結(jié)相呈沿晶斷裂、W晶粒穿晶斷裂及其脫出具有相當(dāng)比例；Ta粉末粒度對合金力學(xué)性能、微觀組織及斷裂方式均產(chǎn)生顯著影響。

摘要:利用電阻爐加熱，采用電子顯微鏡及圖象分析儀，研究了近液相線鑄造A356鋁合金在二次加熱過程中的組織變化。結(jié)果表明：近液相線鑄造鋁合金A356在580℃～590℃加熱，保溫10min，晶粒仍保持細(xì)小、近似等軸的組織特點(diǎn)。隨著加熱溫度的升高和保溫時(shí)間的延長，初生相尺寸增加較小，具有較高的熱穩(wěn)定性。

摘要:綜述了包晶合金定向凝固中包晶相的形核與生長機(jī)制，討論了利用最高界面生長溫度假設(shè)以及成分過冷和充分形核判據(jù)下包晶合金的微觀組織與相選擇規(guī)律，對包晶相的3種生長機(jī)制進(jìn)行了分析，并在Sn-Cu包晶合金定向凝固實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)其包晶反應(yīng)不僅存在于凝固界面處，在后續(xù)冷卻過程中也能進(jìn)行，最后針對國內(nèi)外包晶合金定向凝固研究的現(xiàn)狀，提出了其需要進(jìn)一步研究的問題。

摘要:測定了LaNi5-xAlx(x=0，0．1，0．2，0．3)系合金在吸放氫過程中的貯氫性能。結(jié)果表明，貯氫容量隨合金中Al含量的增加而降低，平臺壓力和熱力學(xué)焓變和熵變隨合金中Al含量的增加而降低，合金形成氫化物的穩(wěn)定性增強(qiáng)；LaNi5-xAlx系合金在吸放氫過程中的平臺壓力存在一定的差異，即滯后現(xiàn)象，滯后系數(shù)隨合金中Al含量的增加而降低，這是LaNi5-xAlx系的晶胞體積隨合金中Al含量的增加而增加的必然結(jié)果;LaNi5-xAlx系合金的吸放氫動(dòng)力學(xué)參數(shù)也與合金中的Al含量有關(guān)，活化能隨Al含量的增加而降低，但活化能不存在數(shù)量級的差異。

摘要:采用凝膠注模技術(shù)原位合成造孔劑制備出開孔氣孔率為20％～30％的La0．8Sr0．2MnO3多孔陰極材料。結(jié)果表明，合適的燒結(jié)溫度為l100℃～1150℃；開口氣孔位于三角晶界，中位孔徑約為400nm；多孔材料的電導(dǎo)率隨著溫度的升高而升高，由ln(σT)-1／T曲線，可得電導(dǎo)活化能Ea為10．99kJ／mol。

摘要:采用橫流CO2激光，在Ni基高溫合金表面制備了納米Al2O3彌散強(qiáng)化(ODS)Ni基合金熔覆層。利用光學(xué)顯微鏡、掃描電鏡及EDS附件分析了熔覆層的組織結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明：界面晶粒的生長方向?yàn)榇怪庇诮缑娴摹巴庋邮健鄙L；加入納米Al2O3，界面的生長形態(tài)發(fā)生變化，由細(xì)長的柱狀樹枝晶轉(zhuǎn)變?yōu)檩^短的樹枝晶；納米Al2O3含量增大至1％時(shí)整個(gè)斷面獲得等軸枝晶組織；納米Al2O3作為異質(zhì)形核的核心，細(xì)化了組織。

摘要:研究了向原料粉中摻加Al粉對合成高純致密Ti3SiC2材料的影響。實(shí)驗(yàn)表明以2TiC／1Ti／1Si／0．2Al為起始原料組成，采用熱壓工藝在1200℃～1400℃的溫度范圍內(nèi)，可以制備得到密度達(dá)到理論密度98％以上的高純致密Ti3SiC2塊體材料。由XRD數(shù)據(jù)計(jì)算得到的晶格參數(shù)與文獻(xiàn)中的值接近。通過SEM和EPMA分析得知Ti3SiC2晶粒呈板狀結(jié)晶形貌，且發(fā)育良好，晶粒在平面內(nèi)的尺寸分別為3μm～8μm和4μm～10μm。

摘要:外延硅經(jīng)過碳注入、氫氣氛下高溫退火和電化學(xué)腐蝕相繼處理之后，發(fā)出位于431nm左右的藍(lán)色熒光峰。隨電化學(xué)腐蝕條件的增強(qiáng)，藍(lán)色熒光峰先變強(qiáng)后消失，并出現(xiàn)位于716nm處的紅光峰。樣品中隨碳注入而注入的雜質(zhì)C=O復(fù)合體鑲嵌在退火過程所形成的納米硅顆粒的表面，形成典型的納米硅鑲嵌結(jié)構(gòu)。正是這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了藍(lán)光發(fā)射。

摘要:采用磁控濺射方法在Si(111)基片上沉積Cu-Zr／ZrN薄膜體系作為擴(kuò)散阻擋層。通過比較Cu-Zr／ZrN薄膜體系和三元非晶(Mo，Ta，W)-Si-N的電阻率，同時(shí)比較Cu-Zr／ZrN薄膜體系和Ta，TaN的硬度，說明作為擴(kuò)散阻擋層的材料的選取，應(yīng)從整體性能上考慮，而不能僅僅考慮熱穩(wěn)定性等單一指標(biāo)。

摘要:采用示差掃描量熱法(DSC)，X射線衍射(XRD)和振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)研究了Nd60Fe20Al10-xCo10Bx(x=0，2，5)大塊非晶合金的結(jié)構(gòu)、磁性能和晶化行為。結(jié)果表明：Nd60Fe20Al10-xCo10Bx非晶合金在晶化前既沒有發(fā)生玻璃轉(zhuǎn)變也沒有過冷液相區(qū)；Nd60Fe20Al10Co10合金的DSC曲線上在360℃～475℃之間有1個(gè)寬的放熱峰，加入2at％～5at％的B后該放熱峰消失。鑄態(tài)Nd60Fe20Al10-xCo10Bx(x=0，2，5)大塊非晶合金在室溫具有硬磁性。隨B含量的增加，合金的內(nèi)稟矯頑力顯著增加，而飽和磁化強(qiáng)度和剩磁則有所下降。B的加入使Nd60Fe20Al10Co10合金的晶化行為發(fā)生明顯變化。

摘要:用磁懸浮冷坩堝提拉設(shè)備沿[001]方向生長了組分為Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6的單晶，通過磁增強(qiáng)相變應(yīng)變和磁感生應(yīng)變的測量研究了該材料磁控形狀記憶效應(yīng)和磁感生應(yīng)變的溫度穩(wěn)定性。結(jié)果發(fā)現(xiàn)該材料不但具有大的自發(fā)相變應(yīng)變、磁增強(qiáng)相變應(yīng)變和磁感生應(yīng)變，而且磁感生應(yīng)變具有很好的溫度穩(wěn)定性，從265K到100K，飽和磁感生應(yīng)變的最大減小量不超過10％。另外，實(shí)驗(yàn)也發(fā)現(xiàn)磁感生應(yīng)變量最大的方向是沿晶體母相的[001]方向(即單晶生長方向)。根據(jù)合金形狀記憶的特點(diǎn)和磁場誘導(dǎo)應(yīng)變的機(jī)理對實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了分析和討論。

摘要:采用粉冶法制備了添加Y2O3／CeO2(≤0．6w％)的復(fù)合強(qiáng)化鉬合金(MYC)絲。用XRD標(biāo)定合金相組成，用SEM觀察合金的顯微組織，用萬能電子拉伸機(jī)測定合金絲的力學(xué)性能并將測定結(jié)果與純鉬絲進(jìn)行了對比研究。研究結(jié)果表明：添加Y2O3／CeO2復(fù)合強(qiáng)化鉬合金的相組成為Mo，YMoO4和CeO2；MYC合金斷口具有典型的塑性斷裂特征，MYC合金絲在1600℃退火后仍然表現(xiàn)明顯的纖維狀織構(gòu)組織形態(tài)。

摘要:用H2和Ga2O3的高溫反應(yīng)形成元素Ga的恒定表面源，通過SiO2-Si復(fù)合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了Ga在Si中的高均勻性摻雜；利用二次離子質(zhì)譜分析(SIMS)、擴(kuò)展電阻(SRP)、四探針測試等方法，對P型雜質(zhì)Ga在SiO2薄膜、SiO2-Si兩固相接觸的內(nèi)界面、近Si表面的熱分布進(jìn)行分析；揭示出開管方式擴(kuò)散Ga的實(shí)質(zhì)是由SiO2薄膜對Ga原子的快速輸運(yùn)及其在SiO2-Si內(nèi)界面分凝效應(yīng)兩者統(tǒng)一的必然結(jié)果；并對該過程Ga雜質(zhì)濃度分布機(jī)理進(jìn)行了分析和討論。

摘要:采用涂覆法制備了作為光催化劑的TiO2薄膜。XRD和SEM分析表明：所制備的TiO2為銳鈦型；薄膜表面呈現(xiàn)均勻的結(jié)構(gòu)；微晶平均粒度為22．7nm。在體外對胃癌細(xì)胞進(jìn)行了紫外光照TiO2光催化的實(shí)驗(yàn)，并同僅用紫外光和僅用TiO2的空白實(shí)驗(yàn)作了對照。用盒子維模型計(jì)算了所制備的催化劑表面分形維數(shù)。結(jié)果表明：所制備的納米TiO2催化劑表面分形維數(shù)介于2．52～2．57。分形維數(shù)較大的TiO2薄膜，對胃癌細(xì)胞的殺傷效果較好，殺傷率達(dá)80％。

摘要:研究了元素Ti對貯氫電極合金ZrMn0.7V0.2Co0.1Ni1.2的相結(jié)構(gòu)、相組成以及電化學(xué)性能的影響。結(jié)果表明，對于合金Zr1-xTix(Mn0.7V0.2Co0.1Ni1.2)，其母體合金的主相為C15型Laves相，并含有少量的非Laves相Zr7M10；但隨著摻Ti量的增加，合金中出現(xiàn)C14型Laves相，而且其含量逐漸增加；在x=0．1～0．2時(shí)，合金中還出現(xiàn)少量的TiNi相，而在x=0．4～0．5時(shí)，非Laves相Zr7M10和TiNi相全部消失，說明元素Ti大量的摻雜抑制了第二相的產(chǎn)生：而且隨著Ti含量的增加，合金中的C15型和C14型Laves相的晶格常數(shù)逐漸減小。電化學(xué)測試結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當(dāng)含Ti量x=0．2時(shí)，合金有最大放電容量Cmax為354mAh／g，在放電電流為300mAh／g條件下，高倍率放電性能比母體合金提高了15％。

摘要:采用水熱合成法，以TiO2粉體和NaOH為原料，成功地制備出了TiO2納米管。用XRD，SEM，HRTEM，紫外吸收光譜分析儀和光譜輻射分析儀等手段對納米管進(jìn)行微觀形貌、光學(xué)性能的表征，并探討了其生長機(jī)理。結(jié)果表明，所得產(chǎn)物為銳鈦礦和金紅石混晶型TiO2納米管，管壁為多層，管的外徑分布在10nm～50nm，長度可達(dá)幾微米甚至十幾微米，呈開口狀；TiO2納米管的生長機(jī)理符合3-2-1D的生長模型，其紫外吸收光譜和光致發(fā)光光譜相對于原料粉均呈現(xiàn)出藍(lán)移現(xiàn)象，光致發(fā)光光譜顯示TiO2納米管在可見光區(qū)的發(fā)光強(qiáng)度明顯增強(qiáng)。

摘要:用溶膠．凝膠(Sol-Gel)法制備了RE(RE=La，Y)-Mo復(fù)合氧化物粉末，工藝條件：初始溶液pH值=1，于550℃分解膠體，500℃，900℃ 2次還原粉末。采用XRD，TEM對還原后粉末的相組成、形貌、粒度進(jìn)行分析。結(jié)果表明：500℃還原后，單質(zhì)Mo衍射峰出現(xiàn)，RE以非晶態(tài)RE-O-Mo存在；900℃2次還原后，RE以氧化物形式存在。紅外光譜(FT-IR)分析結(jié)果表明，La和Y通過O與Mo鍵合，削弱Mo=O鍵，使稀土鉬復(fù)合氧化物可還原性增強(qiáng)。TEM分析表明，還原后稀土鉬粉末粒徑在70nm左右。

摘要:自行設(shè)計(jì)了電弧腐蝕速率的測量方法，避免了一般電弧腐蝕速率測量中存在的不足，并對真空斷路器中常用的CuCr25，CuCr50觸頭材料以及純Cu和純Cr的電弧腐蝕速率進(jìn)行了測量。研究結(jié)果表明，純Cu，CuCr25，CuCr50和純Cr的電弧腐蝕速率分別為52．9μg／C，33．2μg／C，31μg／C和25．9μg／C。CuCr25和CuCr50的電弧腐蝕速率相差不大，都較純Cu有大幅度的降低，而與純cr的電弧腐蝕速率比較接近。此外，用SEM對4種觸頭材料經(jīng)100次燃弧之后的電極表面進(jìn)行了現(xiàn)測，清楚地反映了經(jīng)電弧腐蝕之后觸角材料的表面特征。

摘要:采用DSC、彎曲實(shí)驗(yàn)和掃描電鏡分析研究了熱處理工藝對醫(yī)用TiNi合金細(xì)絲顯微組織、相變溫度和形狀記憶效應(yīng)的影響。結(jié)果表明，400℃～500℃，30min～120min熱處理時(shí)，隨著溫度的升高和時(shí)間的增長，TiNi合金細(xì)絲中Ti3Ni4析出相增多，相變溫度也升高。細(xì)絲經(jīng)500℃，30min處理后的最大可回復(fù)應(yīng)變量值最大。隨彎曲變形量的增加，疲勞壽命縮短。500℃處理的試樣疲勞壽命最長。

摘要:用熔體快淬法制備了納米復(fù)相結(jié)構(gòu)Nd9Fe85-xB6Inx永磁體，利用XRD和VSM等方法研究了In摻雜和熱處理溫度對其磁性能的影響。結(jié)果表明，在磁體Nd9Fe85-xB6Inx中In摻雜可以提高其矯頑力和剩磁比，可改善磁體磁滯回線矩形度；有助于改善磁體Nd9Fe85-xB6Inx的熱處理性能。在Nd9Fe85-xB6Inx中，不摻雜In和摻雜In為0．5mol％時(shí)，具有最佳的矯頑力和磁能積，其值分別為465kA／m和145kJ／m^3。

摘要:以單質(zhì)Zn，Se和H2為原料，采用低壓化學(xué)氣相沉積方法在溫度為630℃～750℃，壓力為300Pa～1000Pa條件下制備出了性能優(yōu)異的ZnSe多晶材料。性能測試表明，制備出的CVDZnSe多晶材料在0．55μm～22μm，及8μm～14μm波段的平均透過率超過70％(1mm厚)，在3．39μm處的應(yīng)力雙折射為54nm／cm。其光學(xué)透過性能與美國采用Zn和H2Se氣體為原料制備出的CVD ZnSe多晶非常接近。

摘要:采用電弧等離子體法成功制備了單晶態(tài)的納米鉭超微粒子，采用透射電子顯微鏡(TEM)、高分辨電子顯微鏡(HRTEM)對樣品進(jìn)行形貌、微觀結(jié)構(gòu)的觀察和分析，發(fā)現(xiàn)它具有規(guī)則的表面，平均粒徑大小在10am左右。并通過X射線衍射(XRD)分析其組成成分，發(fā)現(xiàn)在所制備的樣品中除鉭外還含有氧化鉭(δ-TaO)，估計(jì)是由于納米鉭粒子被氧化所形成的產(chǎn)物。

摘要:研究了Ga2O3／Al2O3膜反應(yīng)自組裝制備GaN薄膜。首先利用磁控濺射法在硅襯底上制備Ga2O3／Al2O3膜，再將Ga2O3／Al2O3膜在高純氨氣氣氛中氨化反應(yīng)得到了GaN薄膜。用X射線衍射(XRD)，X光光電子能譜(XPS)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)和熒光光譜(PL)對樣品進(jìn)行結(jié)構(gòu)、組分、形貌和發(fā)光特性的分析。測試結(jié)果表明：用此方法得到了六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN晶體膜。

摘要:利用Mg2Ni合金和不同質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的Mg粉(x=10％，30％，50％)混合后球磨制得Mgx／Mg2Ni復(fù)合合金。XRD分析證實(shí)，Mg2Ni合金和Mg粉混合球磨時(shí)無新相生成，Mg粉的添加可有效抑制Mg2Ni合金單獨(dú)球磨時(shí)存在的Mg2Ni相的分解反應(yīng)。采用模擬電池法測試了Mgx／Mg2Ni復(fù)合合金的電極性能，結(jié)果表明，Mg量的增加可顯著地提高復(fù)合合金的放電容量。在球磨的開始階段，復(fù)合合金的放電容量隨球磨時(shí)間的延長而增加，球磨一定時(shí)間后，其放電容量則隨球磨時(shí)間的延長而迅速降低。放電容量與球磨時(shí)間的變化關(guān)系體現(xiàn)了球磨對復(fù)合合金微結(jié)構(gòu)改變的影響。

摘要:討論了金屬-陶瓷復(fù)合材料超細(xì)銀包覆BaTiO3粉體的制備條件，采用掃描電鏡，激光粒度分布儀，比表面積分析儀及X射線熒光光譜儀表征了復(fù)合粉末顆粒的形貌和粉體的團(tuán)聚狀態(tài)。討論了銀在鈦酸鋇粉末表面的包覆形式。采用化學(xué)鍍的方法在BaTiO3表面沉積金屬銀。在天然高分子表面活性劑的保護(hù)下，Ag(NH3)2^ 被水合肼還原得到分散性良好的不同含銀量的復(fù)合粉體。最佳的反應(yīng)條件是：銀含量0．1％～0．5％，Sodium Alginate／Ag(質(zhì)量比)20％，粉末中Ag含量小于80％，反應(yīng)時(shí)間120min，水合肼濃度0．8％。實(shí)驗(yàn)表明所得顆粒是銀包覆在BaTiO3表面的形成一定銀層厚度的復(fù)合體系。

摘要:用溶膠-凝膠(Sol-Gel)法制備了低介低燒堇青石陶瓷材料。用X射線衍射、熱分析、掃描電鏡等方法研究了該材料的低溫?zé)Y(jié)行為、析晶過程、燒結(jié)性能等。結(jié)果表明，該類材料能夠在900℃下低溫?zé)Y(jié)，其燒結(jié)致密過程主要在750℃～900℃之間進(jìn)行。燒結(jié)體的微觀結(jié)構(gòu)主要由占85％(按體積)、大小為50nm～150nm的α堇青石、少量玻璃相和氣孔組成。該材料具有良好的介電性能(ε≤5，tgδ≤0．001：1GHz)，能夠和銀等電極低溫共燒，是應(yīng)用于高頻片式電感等電子元器件以及高頻陶瓷封裝的理想介質(zhì)材料。

摘要:采用交流窄脈沖微弧氧化法于Na2SiO3-KOH-（NaPO3)6溶液中在Ti6A14V表面形成了陶瓷化涂層。用常壓氧化方式(U=500V)，研究了正脈沖占空比對涂層生長速率、組織形貌和相組成的影響。為優(yōu)化工藝，采用常流氧化方式(J=60mA／cm^2)，并提出了占空比分級調(diào)節(jié)制度。結(jié)果表明：常壓方式下，隨正脈沖占空比的增大，涂層的生長速率增加，涂層的表面逐漸變得粗糙。涂層主要由TiO2(銳鈦礦相及金紅石相)相組成，隨占空比的增大，涂層中銳鈦礦相TiO2的相對含量減小，金紅石相TiO2的相對含量增加，并成為主晶相。正脈沖占空比為8％時(shí)可獲得組織結(jié)構(gòu)較致密且較厚的涂層。采用常流氧化方式，涂層的生長速率比常壓方式明顯增加，進(jìn)而對占空比進(jìn)行分級式調(diào)節(jié)可使涂層的表面結(jié)構(gòu)得到改善。

摘要:采用Ag-20Cu-5Ti對Al2O3P／Cu基復(fù)合材料與Nb的釬焊性進(jìn)行了初步探討。研究表明，通過在釬料中加入活性元素Ti，可以減少和消除釬縫中的Al2O3P顆粒，避免Al2O3P顆粒在釬縫中的聚集，實(shí)現(xiàn)離子共價(jià)鍵Al2O3P向類金屬鍵TiO轉(zhuǎn)化，從而提高釬縫基體與顆粒相之間的匹配性。