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摘要:

摘要:快淬雙相納米復合稀土永磁材料非晶晶化過程決定了材料的微觀組織和磁性能。從形核規(guī)律出發(fā)，提出了持續(xù)形核長大和“爆炸式形核長大”的非晶晶化模型。討論了快淬速度、添加合金元素、退火工藝以及外加磁場等對非晶晶化過程的影響，重點分析了合金元素在非晶晶化過程中的重新分布。在此基礎上，提出了利用中間相的分解細化晶粒等獲得理想材料的不同方法。

摘要:對貴金屬二次資源的特點、來源、預處理方法以及金銀鉑鈀等貴金屬的回收利用方法等進行綜合評述，提出了在無害化處置貴金屬廢料時應充分考慮回收利用工藝的全面性、盡可能以廢治廢、生物處理、集中處理、政府積極參與協(xié)調并加大投入，對于目前暫時無法做到無害化處置的貴金屬廢料，將這些廢料暫時集中放置，滯后處理等有價值的建議。

摘要:熱電材料是能夠使熱能與電能直接相互轉化的材料，它的出現(xiàn)為制造無污染、無機械運動、高效率的發(fā)電和制冷設備提供了廣闊前景。隨著環(huán)境和能源問題日益突出，熱電材料越來越受到人們重視。在其發(fā)展過程中熱電材料涌現(xiàn)出諸多種類，本文對熱電材料近年來研究進展進行了介紹和簡要評述。

摘要:分別以Miedema坐標、合金自擴散激活能ΔHs與形成焓ΔHf為參數(shù)坐標，將多元合金分解為若干相應的二元合金疊加，對有實驗結果的128個二元和153個多元機械合金化(MA)非晶合金的形成規(guī)律進行了研究。結果：以上2種坐標中，分別可由一直線或曲線將非晶形成與非形成區(qū)分割，方程為：Miedema坐標，二元系，y=2．8600x 0．22；多元系，y=2．7900x 0．27，總區(qū)分率均為80％：ΔHs～ΔHf坐標，二元系，y=0．0005x^2 0．20x-23；多元系，y=0．0005x^ 0．21x-25，總區(qū)分率分別為85％和83％。合金包含過渡族金屬、涵蓋非過渡族金屬及類金屬，并擴展至多元系，同時與已有定性以及半定量結果進行了比較。

摘要:研究了粘結劑配方，粉末裝載量，喂料熱力學性質，注射成形工藝等多個因素對金屬注射成形17-PH不銹鋼脫脂保形性的影響。結果表明具有較高熱分解溫度，較低熔解熱的HDPE作為第2組元的蠟基粘結劑，具有比采用EVA為第2組元的粘結劑更好的保形性能。試樣變形率隨著粉末裝載量，注射壓力，注射溫度的增加而下降，而且存在一最佳的工藝條件，包括粉末裝載量，注射壓力，注射溫度，此時試樣最不容易變形，試樣變形比例最小。

摘要:采用化學鍍鎳、鍍鈷、機械混合以及球磨幾種方法對Zr-Ti系貯氫合金進行了表面改性。XRD結果表明，隨著鍍鎳量的增加，合金越趨向微晶化；球磨時間越長，合金的衍射峰更加彌散化，充放電試驗結果表明，當鍍鎳量為15％(質量分數(shù)，下同)時，貯氫合金在60mA.g^-1的電流密度下初始容量比未處理的合金高出130mAh．g^-1，經過6次～8次循環(huán)完全活化，最大放電容量可達400mAh．g^-1，隨著鍍鎳量的增加，抗自放電能力增加；當鍍鈷量為5％時，貯氫合金在60mA．g^-1的電流密度下初始容量比未處理的合金高出40mAh．g^-1，經過7次～9次循環(huán)完全活化，最大放電容量可達390mAh．g^-1，但隨著鍍鈷量的增加，初始容量上升較快，但放電容量在減少；而機械混合僅提高初始容量，對最大放電容量沒有改善；球磨不僅改善貯氫合金的活化性能，并且其最大放電容量可達450mAh．g^-1。

摘要:采用粘性流體的運動微分方程分析工作介質在錐模中的擠壓流動，通過分析工作介質的粘度對熱靜液擠壓的影響，指出了合理的選擇工作介質的成分使得粘度適宜，可以使熱靜液擠壓力最小，而且能夠避免擠壓件缺陷的產生。擠壓介質的粘度是關系到坯料變形流動的潤滑性能及擠壓變形流動性能的關鍵。在此基礎上，給出了擠壓介質的粘度的數(shù)學關系式，為熱靜液擠壓工藝奠定重要的理論基礎。

摘要:利用有限元法，采用彈塑性理論對Al2O3陶瓷／Nb接頭的應力場進行了數(shù)值模擬。得出了接頭部位應力σx，σy和τxy的分布狀態(tài)，研究發(fā)現(xiàn)在當接頭界面結合良好時在界面附近的陶瓷側的殘余主應力(σ1)出現(xiàn)極大值，裂紋最有可能從此處開啟，然后在殘余主應力(σ2)的作用下向陶瓷內部延伸。

摘要:通過磁性測量和X-射線衍射研究了Gd2(Co，Al)17化合物的結構和磁晶各向異性。當x≤4時，樣品具有菱方Th2znl7型結構，x=5時，具有六方CaCu5型結構。隨著Al濃度增加，晶格常數(shù)和單胞體積單調增大，而居里溫度和自發(fā)磁化強度近似線性地減??；在x≥l時，觀察到Co亞點陣的磁晶各向異性變號，室溫易磁化方向由易面轉變?yōu)橐纵S，且易軸各向異性場和各向異性常數(shù)隨Al原子濃度增加出現(xiàn)極大值；基于補償溫度(65K)下自由粉末顆粒的磁化曲線，導出了亞點陣間的分子場系數(shù)和Gd-co交換耦合常數(shù)，結果表明，Al原子對Gd-Co交換耦合作用的影響較小。根據(jù)Al原子在Co亞點陣4種晶位的擇優(yōu)占位，分析了磁晶各向異性的演變。

摘要:基于離散格點形式的微擴散方程(Langevin方程)和非平衡自由能函數(shù)，編制了引入原子間相互作用能變化的Al3Li(δ′)相沉淀原子層面計算機模擬程序。該程序包容亞穩(wěn)區(qū)到失穩(wěn)區(qū)的全部溫度、成分范圍，孕育期至粗化的全過程，可以處理與時間相關的過程問題。開展了不同原子間相互作用勢下原子圖像、序參數(shù)的計算機模擬，進而探討了最近鄰原子相互作用能(W1)對有序相沉淀的影響機制。探明過渡區(qū)合金先發(fā)生等成分有序化，后進行失穩(wěn)分解；隨W1的增大，有序相沉淀的孕育期縮短，單相有序疇數(shù)量增多，面積減小，合金達到最大有序化的時間早，所能達到的最大有序化程度大。W1值較大，會促進合金有序化和原子簇聚，阻礙無序相的形成。

摘要:通過熱力學平衡相計算方法并采用相應的Ni基數(shù)據(jù)庫，對1種新型高鉻的Ni-Cr基GH648合金成分對平衡相析出的影響規(guī)律進行系統(tǒng)研究。結果認為GH648合金析出的主要平衡相為α-Cr，γ′相和M23C6碳化物(主要為Cr23C6)，并進一步計算了合金成分對這些相的析出行為及合金初熔點和終熔點的影響規(guī)律。計算結果表明，Cr含量主要影響α-Cr的析出量及開始析出溫度，并影響合金的初熔點，對以Cr為主的M23C6的析出行為沒有明顯影響。C顯著影響碳化物的析出量，而Al，Ti增加顯著增加γ′相的析出量和開始析出溫度。

摘要:采用X射線粉末衍射Rietveld精修方法和高分辨電子顯微方法分析了六鈦酸鉀納米線的品體結構。X射線精修結果表明納米線的晶體結構與六鈦酸鉀晶須結構相同。高分辨電子顯微像模擬計算所得的像與高分辨像匹配良好，且與X射線結構精修所得結構模型相符。納米線的生長方向平行于K2Ti6O13結構的[010]方向。

摘要:彈性變形范圍內,在采用三維有限元模型分析了顆粒增強Mg基復合材料(PRMMCs)中,顆粒的分布形態(tài)對材料微區(qū)力學狀態(tài)的影響。結果表明,在保持顆粒長徑比(2:1)和顆粒間距(d)不變的情況下,隨著θ的變化,不存在顆粒斷裂的危險,材料的主要失效方式為界面脫離和基體開裂。增強體相對夾角θ=15o時的結果優(yōu)于其它情況,這更有利于充分發(fā)揮材料的性能。

摘要:為了推進從俄羅斯引進的田灣VVER-1000型核電站用Zr-1Nb合金燃料包殼和端塞棒材的國產化進程，研究了焊接及隨后的真空熱處理對Z4-1Nb合金抗360℃，18．6MPa水和500℃，10.3MPa蒸汽腐蝕性能的影響。實驗結果表明焊接嚴重惡化Zr-1Nb合金在2種介質中的腐蝕抗力，主要是因為焊區(qū)中出現(xiàn)了粗大的馬氏體組織；隨后的真空退火對腐蝕抗力的影響取決于退火溫度和腐蝕實驗溫度。但即使在最佳溫度退火也不能使焊接態(tài)的腐蝕抗力恢復到非焊接態(tài)的水平。

摘要:通過等溫壓縮特性及微觀組織演變研究，提出了有效的γ-TiAl基合金晶粒細化方法。研究發(fā)現(xiàn)，如果γ-TiAl合金錠具有一定的細晶組織便可以在(α2 γ)2相區(qū)完成等溫變形而不產生裂紋。動態(tài)再結晶和靜態(tài)球化數(shù)量的增加是提高γ-TiAl合金變形能力的主要原因。將等溫變形的模擬鍛件在不同相區(qū)進行熱處理獲得了具有細小尺寸的3種(全片層、近片層和雙態(tài))組織。

摘要:通過在不同溫度下氨化ZnO／Ga2O3膜，在Si襯底上成功制備了GaN納米結構材料。氨化前，ZnO層和Ga2O3膜分別通過射頻磁控濺射法依次濺射到Si襯底上。用X射線衍射(XRD)、紅外傅里葉變換光譜(FTIR)分析了GaN晶體的結構和組分，利用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察了樣品的形貌。通過對測試結果的分析可知在Si襯底上由ZnO揮發(fā)輔助生長出六方纖鋅礦GaN納米結構晶體，并且ZnO／Ga2O3的氨化溫度對形成GaN納米材料具有明顯的影響。

摘要:研究了不同能量界面動態(tài)共混過程中的界面反應及其對沉積在GCr15和45鋼基體的IBAD CrN薄膜結合強度的影響。用AFM和GDOES分析了不同能量共混界面的形貌和成分。用循環(huán)滾動接觸法使薄膜在膜基最薄弱處產生剝落，用以分析界面反應產物，同時對膜基結合強度加以評價。用SEM，EDAX和XPS分析了滾動接觸疲勞試驗后的疲勞剝落區(qū)的形貌、成分及結構。結果表明40kV共混后的界面粗糙度高并出現(xiàn)了碳含量的升高，而20kv時界面碳含量和基體差不多?；w碳化物在離子轟擊引起的熱峰效應的作用下發(fā)生分解，而對基體和碳化物的選擇濺射導致了碳含量的升高以及粗糙度的增加。分解后的碳以石墨態(tài)的形式存在。在滾動接觸疲勞試驗時循環(huán)載荷的作用下，界面處的石墨相當于孔洞引起應力集中。疲勞裂紋起始于界面石墨富集處表明它是引起結合強度差的主要原因。

摘要:研究了放電等離子燒結(SPS)納米WC-10%Co-0.8%VC硬質合金的致密化機理,并與真空燒結的制品顯微組織及性能進行對比。SPS特殊的直流脈沖電壓使燒結中蒸發(fā)-凝固、塑性流動、表面擴散等過程得到加強,使制品在低溫下快速致密,有效抑制了晶粒的長大,如在1200℃燒結5min的制品平均晶粒尺寸<100nm。與真空燒結相比,SPS可以使制品在低溫、短時間內獲得高密度、高硬度,如1300℃燒結3min,制品相對密度達97.7%,HV30比相同燒結溫度下真空燒結30min的相對密度92.8%的制品高近16.4%。SPS燒結溫度降低至1200℃,雖然密度有所降低,但HV30和KIC分別提高了15.4%和12.2%。

摘要:選用了分散性能較差的4種商業(yè)氮化硅粉料，系統(tǒng)研究了表面水解及熱氧化處理對氮化硅粉料表面特性及分散性能的影響，并結合粉料的DRIFT光譜、離子電導率和可溶性離子濃度、以及表面氧含量的分析，總結了氮化硅粉料分散性能較差的限制性因素，提出1種普適性的制備氮化硅水基濃懸浮體的新方法。

摘要:用料漿熔燒法在鈮基體表面制備了。MoSi2高溫抗氧化涂層。利用SEM，EDS，XRD等儀器分析研究了涂層的結構、元素分布、相分布與抗氧化性能的關系。結果表明：涂層與基體之間達到了冶金結合，通過擴散形成了過渡層，涂層的復合結構有利于提高抗氧化性能，用料漿熔燒法在鈮基體表面制備MoSi2涂層是可行的。在氧化環(huán)境下，MoSi2涂層能在表面自生成一層SiO2玻璃層，阻止氧的進一步擴散。經2h以上高溫氧化后，Si的擴散使涂層主體中形成多孔疏松組織。涂層元素與基體發(fā)生互擴散，在界面處形成大量集中孔洞并橫向貫穿，使涂層從其主體與過渡層接觸的界面處發(fā)生橫向內部斷裂，導致涂層失效。

摘要:研究了添加0．5at％和1．0at％Zr對釤鐵合金微結構和相組成的影響。添加和不添加Zr的Sm-Fe合金相比，發(fā)現(xiàn)添加1．0at％Zr可以基本消除鑄態(tài)組織中的α-Fe，并且能同時減少富釤相。多添加18at％Sm的Sm-Fe合金退火后，仍殘留少量的α-Fe，而添加1．0at％Zr的Sm-Fe-Zr合金退火后主相Sm2Fe17以及α-Fe的量沒有明顯的變化，因此有可能避免過長的均勻化退火過程。

摘要:采用差示掃描量熱儀(DSC)研究了大塊金屬玻璃Pd40Ni10Cu30P20的結構弛豫。結果表明金屬玻璃Pd40Ni10Cu30P20的結構馳豫可分為2個階段：在400K～520K的溫度范圍，樣品發(fā)生的是低溫結構弛豫，所伴隨的結構變化是局域的和短程的，自由體積沒有發(fā)生明顯湮滅，所以樣品的密度變化不大。而在520K～玻璃轉變溫度Tg的溫度范圍，樣品發(fā)生的是高溫結構弛豫，在這一過程中發(fā)生原子的中長程擴散，部分自由體積通過樣品表面發(fā)生湮滅，因而導致樣品的密度顯著增加。實驗還表明，在Tg以下進行預退火處理使得大塊金屬玻璃Pd40Ni10Cu30P20的玻璃轉變激活能明顯降低，但對后續(xù)的晶化過程的影響不大。

摘要:采用Cu68Ti20Ni12釬料進行了Si3N4／Si3N4的活性釬焊連接。結果表明：釬焊溫度和時間對連接強度有重要影響；在1373K，10min的連接條件下，Si3N4/Si3N4連接強度達到最大值289MPa。通過對Si3N4／Cu68Ti20Ni12界面區(qū)的微觀分析：發(fā)現(xiàn)Ti，Ni明顯向Si3N4方向富集，相對Ni而言，Ti的富集區(qū)更靠近Si3N4陶瓷，而Si則向釬料方向擴散，Cu在接頭中心富集：界面區(qū)存在2層反應層，反應層Ⅰ為TiN層，而反應層Ⅱ則由TiN，Ti5Si4，Ti5Si3，Ni3Si及NiTi化合物組成。

摘要:為了研究高能氪離子轟擊對純鋯水溶液中耐蝕性能的影響,純鋯樣品用LC-4型離子注入機在40℃溫度下進行高能氪離子轟擊,注入劑量從1×1015ions/cm2到3×1016ions/cm2,注入能量為300keV。用X-射線光電子譜(XPS)分析注入表層元素價態(tài),俄歇電子譜(AES)測試氧化膜的深度分布,用透射電鏡(TEM)觀察轟擊樣品的形貌和結構轉變,轟擊樣品在1N硫酸溶液中的耐蝕性能用動電位極化測量曲線表征。結果表明:高能氪離子轟擊樣品后其耐蝕性能大大降低,轟擊劑量越大,耐蝕性越差。最后討論了輻照腐蝕的機理。

摘要:采用機械合金化法制備了MgNi非晶，并對不同制備工藝下的MgNi儲氫合金的電化學性能進行了測試。對球磨參數(shù)、合金微觀結構和合金電化學性能之間關系的分析結果表明，球磨過程中的轉速、球料比R和球磨時間3個參數(shù)對合金電化學的影響是通過對合金微觀結構的控制來實現(xiàn)的。

摘要:研究了FU105大功率廣播發(fā)射管用碳化鑭鉬陰極，參照碳化釷鎢陰極FU105管的制備工藝，實現(xiàn)了鑭鉬陰極的碳化以及鑭鉬陰極FU105管的排氣和老煉。通過鑭鋁陰極FU105管的性能測試，對碳化鑭鉬陰極的發(fā)射能力和穩(wěn)定性進行了分析。結果認為：FU105管碳化鑭鉬陰極的發(fā)射能力可以達到碳化釷鎢陰極的水平，但其穩(wěn)定性還有待改進。

摘要:摘要：利用真空甩帶機制備了Fe84Zr2．08Nb1．92Cu1B11金屬快淬薄帶。X射線衍射結果表明：薄帶經570℃退火后析出納米化結構bccα-Fe相，晶粒大小約為20nm～40nm，利用HP4294A阻抗分析儀測量了此納米晶薄帶中的巨磁阻抗效應。結果顯示在低頻下阻抗隨外磁場單調減小，這主要是由于磁導率隨外磁場的變化導致的，高頻下阻抗隨外磁場變化出現(xiàn)1個峰值，這主要是由于橫向各向異性的原因。運用計算機模擬了這一結果，發(fā)現(xiàn)磁導率隨外磁場的變化在外場與各向異性場的比值約為0．9處出現(xiàn)了峰值，巨磁阻抗效應也在此位置出現(xiàn)峰值。并且隨著驅動電流頻率的增大峰值變大。

摘要:采用檸檬酸溶膠-凝膠法制備了具有鈣鈦礦結構的稀土復合氧化物DyFeO3，X射線粉末衍射和透射電鏡觀察表明該材料為粒徑約26nm的納米顆粒，由于粒徑的減小、表面積的增大而造成其晶體結構中呈現(xiàn)出一定的晶格畸變率。將材料制成氣敏元件并測試了其對H2S，乙醇，CO，H2等多種氣體的氣敏特性，結果發(fā)現(xiàn)該材料對H2S有較高的靈敏度和選擇性，因而有較高的實用價值。

摘要:在空氣和真空(10^-5Pa)條件下對TC4合金進行了系統(tǒng)的磨損性能測試，研究了載荷和滑動速度對TC4合金磨損率的影響。對TC4合金磨損后的表面層進行了顯微組織分析。試驗結果表明，空氣磨損后表面層的顯微組織在較低滑動速度下呈現(xiàn)位錯的滑移帶，在較高滑動速度下出現(xiàn)顯微裂紋。真空磨損后表面層的顯微組織發(fā)生細化并具有50nm～100nm尺寸，顯微組織中呈現(xiàn)大量的位錯，在較高滑動速度下有孿晶出現(xiàn)。

摘要:利用放電等離子燒結技術研究了SHS的Ti3AlC2粉體的燒結過程。燒結溫度1450℃，壓力20MPa，真空燒結，保溫5min，可獲得相對密度達98．4％的致密燒結體，HV可達3．8GPa；燒結溫度為l500℃，則可獲得完全致密的燒結體，HV可達4．2GPa；燒結體的維氏硬度隨燒結溫度(1300℃～1500℃)的升高而增大；SEM分析表明，SPS技術燒結制備的Ti3AlC2陶瓷，片層大小隨燒結溫度的升高而增大。

摘要:采用電化學測試技術和化學浸泡試驗對生物醫(yī)用TiNi基形狀記憶合金在生理鹽水中的腐蝕行為進行了研究。結果表明，TiNi合金比TiNiCu合金陽極鈍化區(qū)拓寬，孔蝕電位正移，腐蝕率減小。通過EDX分析和SEM觀察發(fā)現(xiàn)，TiNi合金蝕孔內存在富Ti貧Ni的Ti2Ni析出相，而TiNiCu合金存在Cu原子富集的CuNi相，從而驗證了這些析出相是萌生孔蝕的敏感位置。在生理鹽水中TiNiCu合金的耐蝕性比TiNi合金劣，其原因是TiNiCu合金有較多的殘余奧氏體及單斜和斜方的馬氏體結構，存在不同晶體結構區(qū)域，造成電化學性質不均勻性，從而形成了腐蝕微電池，加速了活性溶解。

摘要:在不通入活性氣體的條件下，采用三乙酰丙酮銥金屬有機物化學氣相沉積方法制備銥薄膜。結果表明：低于190℃長時間加熱使先驅體分子結構改變，其C-H和C-O鍵斷裂活性升高，導致沉積薄膜中含有顯著數(shù)量的碳雜質；高于220℃加熱先驅體和550℃沉積，可獲得致密連續(xù)、無雜質碳并且呈亮銀白色的銥薄膜。

摘要:在半導體制造工藝中，Al焊盤表面的氧化膜會阻礙金絲鍵合。針對某公司新半導體工藝中出現(xiàn)鍵合失效問題的芯片，采用SEM，EDS和AES對切片前后的芯片進行了分析，結果發(fā)現(xiàn)，切片前后Al焊盤表面的元素成分基本一致?？梢哉J為清洗工藝對金絲鍵合基本沒有影響，它不是導致金絲鍵合失效的原因；通過AES對焊盤進行深度剖析，在深度接近Al焊盤高度的一半時，氧的含量仍然高達40%左右，如此高含量的氧已經足以將Al完全氧化，其所形成的氧化膜阻礙了金絲鍵合所必需的金屬連接和擴散過程，從而導致鍵合質量差，甚至無法實現(xiàn)鍵合。

摘要:對Ti(C，N)基金屬陶瓷硬質相粉末TiC，TiN和WC的分散行為進行了研究。探討了不同液體介質和不同表面活性劑對硬質相粉末分散的影響，結果表明：以蒸餾水作液體介質優(yōu)于以無水乙醇作液體介質；對TiC，TiN粉末，選用聚氧乙烯十二烷基醚作為分散劑具有較好分散效果，而對WC粉末，聚乙二醇是較好的分散劑。

摘要:研究了真空熒光顯示屏陣列材料FeNi42Cr6合金在高溫濕氫氣氛中的氧化行為。其氧化過程為：首先形成Cr2O3，然后(Fe,Mn)Cr2O4氧化物形核、生長，形成完整氧化膜，成熟氧化膜由顆粒狀剛玉型氧化物Cr2O3和塊狀尖晶石型(Fe,Mn)Cr2O4氧化物組成。實驗同時表明，陣列板電阻率隨氧化膜厚度增加而增大，電阻率過高會導致與之焊接的Ni絲熔斷，氧化膜厚度應控制在1μm～2μm。借助掃描電鏡、X射線衍射研究了氧化時間、氫氣流量、氫氣露點等工藝參數(shù)對陣列板氧化增重、氧化膜相結構及、氧化膜表面形貌的影響。得出氧化溫度為950℃，時間40min～60min，氫氣露點(dp)35℃，流量8L／mm為最佳陣列材料氧化工藝。

摘要:研究了微量Nd2O3添加劑對氧化鋅壓敏閥片的壓敏電位梯度的影響，并對其微觀組織進行了分析研究，從理論上探討了Nd2O3影響氧化鋅壓敏閥片壓敏電位梯度與組織的機理。研究結果表明，在0m01％～0．04mol％成分范圍內，隨著Nd2O3含量的增加，氧化鋅壓敏閥片的壓敏電位梯度明顯提高；當Nd2O3含量超過0．04mol%時，隨其含量的增加，氧化鋅壓敏閥片的壓敏電位梯度又呈降低趨勢。其原因是Nd2O3加入到氧化鋅壓敏閥片中，使晶粒尺寸減小所致。

摘要:采用熱壓燒結的方法制備了鎳鐵尖晶石基金屬陶瓷試樣,用于鋁電解的惰性陽極。實驗制得了相對密度大于98%的陽極試樣,并研究了試樣的導電性能和抗電解質腐蝕性能。結果表明,所得的陽極試樣的電導率隨溫度的升高而增大,在900℃時電導率在40Ω-1·cm-1~60Ω-1·cm-1之間。在電解過程中,陽極電壓降平穩(wěn)(2.8V~3.2V),表明陽極的電阻在電解過程中沒有明顯變化,導電性能穩(wěn)定。用反電動勢法測量電解反應的分解電壓為2.2V~2.5V,表明電解反應為2Al2O3=4Al+3O2,電極呈現(xiàn)良好的惰性。電子顯微分析表明,試樣抗冰晶石-氧化鋁熔鹽腐蝕的性能良好,電解質通過對Fe2O3的溶解來腐蝕陽極。

摘要:利用雙層輝光離子滲金屬技術，在Ti-6Al-4V的表面滲入Cu元素，在其表面形成Ti-Cu阻燃合金層。阻燃合金層的成分及硬度呈梯度分布，顯微組織為基體組織加彌散分布的Ti2Cu金屬間化合物。初步阻燃試驗證明，滲銅合金層起到了預期的阻燃效果。

摘要:研究了Ga2O3／Al2O3膜氫化反應自集結制備GaN薄膜的光致發(fā)光特性，討論了發(fā)光機制以及生長條件對其光致發(fā)光特性的影響。樣品的熒光光譜在347nm有一強發(fā)光峰，在412nm有一弱發(fā)光峰，這兩個峰的強度都隨著氨化溫度的升高和氨化時間的增長而增強，但峰的位置保持不變。我們認為347nm的峰是GaN的帶邊發(fā)光峰由于薄膜中晶粒尺寸的減小而藍移造成的，而412nm的發(fā)光峰則來源于導帶到雜質受主能級的輻射復合。