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摘要:

摘要:通過對(duì)鐵電陶瓷疲勞失效研究現(xiàn)狀的文獻(xiàn)綜述，概述了國(guó)內(nèi)外存電疲勞和電致疲勞的機(jī)理、影響因素和實(shí)驗(yàn)手段等方面的研究進(jìn)展。通過分別對(duì)各類電疲勞機(jī)理和各種電致疲勞模犁進(jìn)行討論，比較了各種理論和模型之間的不同之處，指出了為掌握鐵電陶瓷疲勞失效機(jī)理尚需解決和澄清的問題。

摘要:介紹了1種新型的鋰離子電池正極活性材料LiFePO4并解釋了材料的結(jié)構(gòu)特征和電化學(xué)過程。LiFePO4具有較高的比容量和良好的循環(huán)穩(wěn)定性等優(yōu)良的電化學(xué)性能，但是目前還存在著制約容量釋放的鋰離子擴(kuò)散系數(shù)小以及材料導(dǎo)電性能不太好等問題。在回顧該材料研究狀態(tài)的基礎(chǔ)上，說明了只要通過選取適當(dāng)?shù)闹苽涔に嚭瓦M(jìn)行合適的表面改性可以制備出具有優(yōu)良電化學(xué)性能的LiFePO4粉體。這種粉體具有環(huán)境相容性、便宜以及資源豐富等諸多優(yōu)點(diǎn)，是1種頗具潛力的鋰離子電池正極替代材料。

摘要:概述了當(dāng)前Mg2Ni型儲(chǔ)氫合金的研究狀況以及提高M(jìn)g2Ni型合金電極性能所采用的主要方法，指出納米非晶化、調(diào)整合金成分并復(fù)合改性是改善合金性能最有效的途徑。

摘要:報(bào)道了從水溶液中電沉積稀上含量高于30％的Ni-RE-P(RE=Ce，Nd)合金，其中Ni-P，Ni-Ce-P及Ni-Nd-P合金鍍層均為非晶態(tài)結(jié)構(gòu)，玻璃化溫度約為385℃；用DTA測(cè)定了3種合金的晶化活化能分別為：523．3kJ／mol，574．4kJ／mol，558．9kJ／mol；利用二維Miedema坐標(biāo)(△φ^*和△nws^-1.3)以及加入尺寸因素(△R/RA)構(gòu)成的三維化學(xué)坐標(biāo)分析了合金的非晶形成規(guī)律，探討了實(shí)現(xiàn)稀土合金電沉積的途徑，具體為：選擇適當(dāng)?shù)慕j(luò)合劑、合適的電極材料及合適的共沉積元素。

摘要:這是(Cu-Al合金內(nèi)氧化的熱力學(xué)分析》一文的第Ⅱ部分。對(duì)Cu-Al合金內(nèi)氧化的熱力學(xué)條件進(jìn)行了分析，繪制了內(nèi)氧化的熱力學(xué)條件區(qū)位圖。結(jié)果表明：區(qū)位圖中擇優(yōu)氧化區(qū)位很大，范圍由上、下限氧分壓確定，其中：lgPo2max=(-17611／T) 12．91，lgPo2min=(-55830／T)-(4／3)lg[％Al] 19．95，但實(shí)際的內(nèi)氧化區(qū)位是靠近上限Po2的一個(gè)很小區(qū)域；溶度積Ksp和殘余Al濃度都是極小量，內(nèi)氧化可進(jìn)行得很徹底；內(nèi)氧化控制中溫度和氧分壓的調(diào)節(jié)必須同步：理想的內(nèi)氧化工藝條件應(yīng)是：采用1223K左右的高溫，介質(zhì)中的氧分壓力求接近或等于上限Po2;為了避免氧化，降溫過程宜采用通H2急冷的方法。

摘要:系統(tǒng)研究了A側(cè)稀土元素中Ce含量對(duì)AB5犁貯氫合金La0．8（1-x)Ce0．8x(PrNd)0．2B5的結(jié)構(gòu)、熱力學(xué)性能、電化學(xué)性能和動(dòng)力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明：Ce含量對(duì)合金的結(jié)構(gòu)基本上沒有明顯的影響，合金的晶胞參數(shù)a、c及晶胞體積與Ce的含量的變化呈線性關(guān)系；隨著Ce含量增加，合金的吸放氫平臺(tái)壓力升高，滯后效應(yīng)減小，吸氫量減小，合金氫化物的熱力學(xué)穩(wěn)定性變差：Ce含量的變化對(duì)合金的電化學(xué)活化速度影響很小，但Ce含量的增加可以明顯提高合金的放電中值電位，改善合金的高倍率、高功率放電性能和動(dòng)力學(xué)性能。

摘要:基于三元合金沉淀動(dòng)力學(xué)相場(chǎng)方程的微觀離散格點(diǎn)形式建立模型。首次對(duì)Ni75Al11V14合金的γ′和θ2個(gè)有序相析出的早期過程進(jìn)行了模擬，并計(jì)算了γ′有序相的成分序參數(shù)和長(zhǎng)程序參數(shù)。結(jié)果表明：Ni75Al11V14合金中γ′相的沉淀機(jī)制為非經(jīng)典形核長(zhǎng)大兼有失穩(wěn)分解特征，先形成非化學(xué)計(jì)量比有序相，然后才形成化學(xué)計(jì)量比有序組；非化學(xué)計(jì)量比θ有序相在γ′相界處形成，距離γ′相界越遠(yuǎn)，其有序程度越低，θ有序疇存在2種類型：水平分布和垂直分布，和它所依附的γ′相界面取向有關(guān)。

摘要:用電鍍工藝在不銹鋼基體上鍍制了Cu,Ag,Ni膜的Ti基體上制備了Ni膜，并用懸臂梁法和X射法測(cè)量了膜中的殘余應(yīng)力。并基于改進(jìn)的TFD模型，對(duì)任意膜厚下由界面電子轉(zhuǎn)移引起的膜內(nèi)應(yīng)力作了理論估算。結(jié)果表明，理論估算所給出的膜內(nèi)應(yīng)力與實(shí)驗(yàn)測(cè)量值具有可比性，這說明理論計(jì)算模型具有較高的準(zhǔn)確性和膜內(nèi)殘余應(yīng)力主要由界面電子轉(zhuǎn)移引起。

摘要:通過熱力學(xué)計(jì)算，繪制了298K溫度條件下Zr-H2O系電位-pH平衡圖及升溫條件(333，373，423K)下Zr-H2O系電位-pH平衡圖。所繪制的298K溫度下Zr-H2O系電位-pH平衡圖與M．Pourbaix繪制的相同溫度條件下Zr-H2O系電位-pH平衡圖很好地吻合。比較分析不同溫度條件下Zr-H2O系電位-pH平衡圖發(fā)現(xiàn)，隨著溫度的升高，鋯金屬的免蝕區(qū)變化不大，而鈍化區(qū)則明顯縮小。從理論上說明了鋯金屬用于高溫條件的局限性。

摘要:考察了Ni-Cr-CaF2，Ni-Cr-PbO合金分別與Si3N4配副下的摩擦學(xué)性能，運(yùn)用掃描電鏡分析了固體潤(rùn)滑劑在Ni-Cr合金／Si3N4摩擦副界面的轉(zhuǎn)移行為。結(jié)果表明，轉(zhuǎn)移膜中CaF2的存在有利于在Si3N4陶瓷上形成有效的轉(zhuǎn)移膜，但是CaF2未在摩擦界面優(yōu)先轉(zhuǎn)移，而軟金屬Pb與Si3N4陶瓷的潤(rùn)濕較差，不能存Si3N4陶瓷上形成軟金屬Pb的完整轉(zhuǎn)移膜。

摘要:研究了回歸溫度(180℃，200℃，220℃)及預(yù)時(shí)效時(shí)間(12h，18h，24h)對(duì)含Ag的7055鋁合金回歸再時(shí)效后的強(qiáng)度和微觀組織的影響。結(jié)果表明，由于微量Ag的添加，120℃，l8h預(yù)時(shí)效處理后180℃回歸再時(shí)效的強(qiáng)度穩(wěn)定性較高，而隨著回歸溫度的提高，再時(shí)效強(qiáng)度下降較快，這種現(xiàn)象歸因于Ag的添加提高了GP區(qū)和η′相的穩(wěn)定性，使得GP區(qū)溶解溫度升高，因而180℃回歸時(shí)只發(fā)生GP區(qū)和η′相的緩慢粗化，而200℃和220℃回歸時(shí)發(fā)生GP區(qū)的溶解并促進(jìn)，η′相快速粗化形成η相；實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，預(yù)時(shí)效時(shí)間對(duì)回歸再時(shí)效后的強(qiáng)度也有較大的影響：預(yù)時(shí)效時(shí)間較長(zhǎng)或較短時(shí)(12h，24h)，再時(shí)效強(qiáng)度隨回歸時(shí)間的變化較大，而經(jīng)18h預(yù)時(shí)效，再時(shí)效強(qiáng)度穩(wěn)定性較高。這種差別是由于預(yù)時(shí)效后析出相的種類和體積分?jǐn)?shù)不同所致。

摘要:采用電化學(xué)測(cè)試技術(shù)研究了Ce對(duì)新研制的口腔用Ti-Fe-Mo-Mn-Nb-Zr合金在人工體液中耐腐蝕性能影響，采用浸泡試驗(yàn)探討了Ce對(duì)Ti-Fe-Mo-Mn-Nb-Zr合金在不同pH值乳酸中耐腐蝕性能的影響。研究表明，含Ce與不含Ce的合金在Hank’s人工模擬體液浸泡的自腐蝕電位均高于0．42V，且隨Ce加入量的增加合金的自腐蝕電位先降低再升高然后再降低；Ce的加入沒有改變合會(huì)的陽極化曲線類型，均為典型的鈍化類型陽極化；Ce的加入使合金在乳酸中的腐蝕由點(diǎn)蝕轉(zhuǎn)變?yōu)辄c(diǎn)蝕和晶界腐蝕；原子發(fā)射光譜(ICP)分析表明隨乳酸酸性增強(qiáng)，含Ce與不含Ce合金的耐腐蝕性能差異增大；Ce的加入不利于提高該材料在人工體液和乳酸中的耐腐蝕性能。如果為了提高合金力學(xué)性能，Ce的最佳加入量為0．1％(按質(zhì)量）。

摘要:將Zr-4合金樣品分別放在盛有350℃，0．1mol／L的LiOH和KOH水溶液的高壓釜中進(jìn)行腐蝕，當(dāng)2種樣品的氧化膜厚度相同時(shí)，用二次離子質(zhì)譜儀(SIMS)測(cè)量Li^ ,K^ 和OH^-在氧化膜剖面上的濃度分布，發(fā)現(xiàn)進(jìn)入氧化膜的Li^ 比K^ 深而且記數(shù)強(qiáng)度高，同時(shí)在LiOH水溶液中腐蝕的樣品，其氧化膜中OH^-的強(qiáng)度也比在KOH水溶液中腐蝕的樣品高，這表明OH^-在氧化膜中的分布和擴(kuò)散與其對(duì)應(yīng)的陽離子有關(guān)。根據(jù)以上結(jié)果討論了Zr-4合金在LiOH水溶液中耐腐蝕性能降低的原因。

摘要:通過對(duì)Ti-2．5Cu，Ti-3Fe，Ti-3Cr鈦合金進(jìn)行微區(qū)成分和宏觀成分的對(duì)比研究，得出了3種合金鑄錠中合金元素宏觀和微觀偏析規(guī)律。在等軸晶內(nèi)，3種元素含量均沿晶粒生長(zhǎng)方向增加，其中Cu，F(xiàn)e元素偏析明顯，Cr元素偏析程度??；柱狀晶內(nèi)，Cu，F(xiàn)e，Cr的含量均沿晶粒生長(zhǎng)方向增加，但偏析均不明顯；晶界處的平均Cu，F(xiàn)e含量明顯低于晶內(nèi)，而Cr含量則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于晶內(nèi)，Cr在晶界偏析明顯。宏觀方面，3種元素均向鑄錠的頂部和中心富集，其中Cu和Fe的偏析程度較大而Cr的偏析程度小，徑向的偏析程度比軸向嚴(yán)重。

摘要:采用固定床化學(xué)氣相法存800℃碳化納米α-W粉體制備成功晶粒尺寸為15nm左右的納米WC粉體。用XRD分析測(cè)量了不同退火溫度下納米WC的晶粒尺寸。結(jié)果表明，隨著退火溫度升高，納米WC粉體的晶粒尺寸隨之增大，從原始晶粒尺寸15nm長(zhǎng)大到1500℃時(shí)的47nm。同時(shí)在不同升溫速率下測(cè)量納米WC粉體的DSC曲線，并由Kissinger方程求得其晶粒長(zhǎng)大激活能為3．494eV。

摘要:用工業(yè)型脈沖等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備，在550℃的高速鋼基材表面沉積由納米晶TiN，納米非晶Si3N4以及納米或非晶TiSi2組成的復(fù)相薄膜。通過改變氯化物混合比例調(diào)節(jié)薄膜的成分。薄膜中的Si含量在0at％～35at％范圍內(nèi)變化。結(jié)果表明，當(dāng)加入少量Si元素后，由于非晶相的產(chǎn)生，TiN薄膜的耐腐蝕性能顯著提高，并在一定Si含量的薄膜中發(fā)生了負(fù)腐蝕現(xiàn)象。但由T-Si的低導(dǎo)電性能，致使高硅含量薄膜顆粒粗大，因此更高Si含量薄膜的耐腐蝕性能又有所下降。

摘要:采用Si3N4和SiC作為Al2O3／BN可加工陶瓷的添加劑，考察了添加劑種類和含量對(duì)材料力學(xué)性能及可加工性能的影響。研究表明，2種添加劑均對(duì)調(diào)節(jié)體系中由于熱膨脹失配所引起的人的內(nèi)應(yīng)力起到積極的作用。材料的抗彎曲強(qiáng)度隨添加劑含量的增加而提高，同時(shí)可加工性能略有降低。尤其是Si3N4的加入使體系在熱壓燒結(jié)過程中原位反應(yīng)生成液相x-Sialon，顯著降低了燒結(jié)溫度，促進(jìn)材料的致密化。

摘要:通過對(duì)樣品壓敏性能和介電性能的測(cè)定，研究了CeO2對(duì)Nb-TiO2電容-壓敏電阻器的影響。研究發(fā)現(xiàn)，晶界處硅鈦酸鈰相的生成使Ce02對(duì)Nb-TiO2電容-壓敏電阻的性能有顯著的影響。在1350℃燒結(jié)條件下，摻雜量為0．4m01％CeO2的樣品表現(xiàn)出優(yōu)良的綜合電性能，其壓敏電壓為15．84V／mm，非線性系數(shù)α為4．62，并具有很高的相對(duì)介電常數(shù)(εγ=158600)，較低的介電損耗(tgδ=0．32)，是1種具有較好潛力的新型電容-壓敏電阻器。

摘要:在不同的Ar和O2氣流量比下，利用射頻磁控濺射技術(shù)在載波片上制備了TiO2薄膜。利用X射線衍射(XRD)，原子力顯微鏡(AFM)，拉曼光譜和UV-VIS-NIR分光光度計(jì)等技術(shù)對(duì)薄膜進(jìn)行了表征。結(jié)果表明在Ar：O2=20sccm：5sccm下制備的薄膜具有較高的光催化活性。

摘要:利用低溫等離子體聚合的方法在超細(xì)ZrO2及SiC粉體表面聚合了聚乙烯、聚苯乙烯以及聚甲基丙烯酸甲酯等不同的聚合物層。透射電鏡(TEM)、熱重(TGA)及漫反射紅外光譜的結(jié)果表明3nm～8nm厚的聚合物膜存在于超細(xì)陶瓷粉體的表面。經(jīng)低溫等離子體聚合處理過的ZrO2粉體在有機(jī)載體中的分散性顯著提高。液體石蠟體系中，經(jīng)低溫等離子體聚合處理過的ZrO2粉體體系的粘度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于未處理的ZrO2粉體體系。

摘要:研究了SmCo薄膜的復(fù)合及熱處理對(duì)TbDyFe薄膜磁性及磁致伸縮性能的影響。XRD分析表明制備態(tài)的TbDyFe薄膜為非晶態(tài)，在450℃退火后，樣品仍保持非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。退火處理減少了薄膜的垂直各向異性，并且退火熱應(yīng)力有利薄膜的易磁化軸轉(zhuǎn)向膜面，從而提高了薄膜的磁導(dǎo)率和TbDyFe薄膜低場(chǎng)下的磁致伸縮值。磁控濺射的SmCo薄膜有良好的軟磁性能，它的復(fù)合也能有效地增強(qiáng)TbDyFe薄膜的低場(chǎng)磁致伸縮性能。

摘要:采用K2TiFe-KBF4-KF-KCl融鹽體系在石墨基體上電沉積制備TiB2鍍層?？疾炝祟A(yù)電解條件和電活性組分的含量對(duì)鍍層性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：預(yù)電解對(duì)鍍層的組成影響較大；在K2TiF6與KBF4的摩爾比為1：2．5，并且其總含量較高的條件下，鍍層與基體結(jié)合力好，重復(fù)性好，但是晶粒較大，含有少量雜質(zhì)；在K2TiF6與KBF4的摩爾比為1：7．5，并且其總含量較低的條件下，得到的鍍層晶粒細(xì)小，有金屬光澤，TiB2的純度很高，但是重復(fù)性較差。需要進(jìn)一步進(jìn)行電化學(xué)實(shí)驗(yàn)，明確電沉積的機(jī)理。

摘要:研究了TA15鈦合金β熱處理和α β兩相區(qū)熱處理后力學(xué)性能的變化規(guī)律，試驗(yàn)結(jié)果表明：β熱處理得到的片狀組織拉伸強(qiáng)度，塑性，沖擊韌性均低于兩相熱處理得到的雙態(tài)組織，在片狀組織的斷裂韌性，疲勞裂紋擴(kuò)展頻率優(yōu)于雙態(tài)組織，β熱處理提高了屈服強(qiáng)度與抗拉強(qiáng)度之間的差值。

摘要:應(yīng)用真空釬焊技術(shù)，分別采用含有強(qiáng)碳化物形成元素Cr，Ti的BNi2，CuSnNiTi活性釬料進(jìn)行金剛石的單層釬焊，通過微分掃描式熱分析(DSC)及界面能譜分析(EDS)表明，在一定的釬焊溫度、時(shí)間及真空度下，金剛石與釬料及基體之間均可形成化學(xué)冶金結(jié)合，但結(jié)合的狀況及鋸切性能隨釬料的不同而改變。磨削試驗(yàn)表明CuSnNiTi釬料制成的磨輪具有較高的鋒利度和工作壽命。

摘要:用輪番濺射工藝在多靶磁控濺射設(shè)備上制備了SmCo薄膜。通過改變Sm，Co純金屬靶的濺射時(shí)間間隔和濺射功率來調(diào)整薄膜的化學(xué)成分和均勻性。實(shí)驗(yàn)表明，可以通過調(diào)整濺射電流來優(yōu)化薄膜的化學(xué)成分。沿垂直膜面俄歇電子(AES)逐層分析證明，優(yōu)化濺射工藝制備的薄膜化學(xué)成分分布均勻。電子衍射表明薄膜濺射態(tài)為非晶結(jié)構(gòu)，經(jīng)過400℃退火處理，薄膜開始晶化。VSM分析表明濺射態(tài)的薄膜為軟磁特征。晶化后的薄膜表現(xiàn)為硬磁特征，450℃退火時(shí)薄膜的矯頑力最大，達(dá)80320A／m。薄膜呈現(xiàn)一定的各向異性。

摘要:用雙輥快淬法得到晶粒尺寸小于50nm、由均勻CaCu5相組成的富鈰稀土儲(chǔ)氫合金，在200mA／g充放電條件下，合金放電比容量達(dá)到295mAh／g，經(jīng)200循環(huán)后，容量衰減率為4．5％。將合金粉組裝成AAA550型電池，在1C充放電條件下，經(jīng)2次活化，比容量達(dá)到最大值547．4mAh／g，經(jīng)95次循環(huán)后，容量衰減率為2．48％。

摘要:為解決銀材自然時(shí)效軟化的問題，存99．999％Ag中添加0.004％A1和0．003％Mn(按質(zhì)量)制成純度為99．99％的Ag材，實(shí)驗(yàn)表明，采用變形率為90．90％所制備的銀材，在25℃溫度下，自然時(shí)效365d，其強(qiáng)度σb=370MPa，硬度HV=1030MPa保持穩(wěn)定不變，有效地抑制了純銀材自然時(shí)效80d，其力學(xué)性能便大幅度下降的問題。