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摘要:西部超導(dǎo)材料科技有限公司是由西北有色金屬研究院控股的高新技術(shù)企業(yè)。公司的宗旨是以高科技產(chǎn)品的開發(fā)和生產(chǎn)為先導(dǎo)，以科技成果產(chǎn)品化、產(chǎn)業(yè)化和國際化為主體，融資訊、人才、成果和市場四位一體，全力開拓和培育國內(nèi)和國際市場，使公司發(fā)展成為技術(shù)領(lǐng)先、工藝先進(jìn)、科研與生產(chǎn)相結(jié)合的高科技實(shí)業(yè)公司。

摘要:介紹了耐熱鎂合金的研究現(xiàn)狀。Cu,Ca,Sc,Sr和稀土元素合金化可以改善鎂合金的耐熱性能。合金化、擠壓和半固態(tài)加工等熱塑性變形技術(shù)能促使鎂晶胞中的棱柱面（1010^-)和棱錐面（1011^-）參與滑移，提高該類鎂合金的力學(xué)性能。超塑成型技術(shù)是制備高性能耐熱鎂合金部件的有效途徑

摘要:分析了爆炸粉末燒結(jié)技術(shù)的高溫、高壓、瞬時(shí)作用及其在新材料開發(fā)，特別是在粉末冶金中不可替代的特點(diǎn)和發(fā)展前景。從粉末材料狀態(tài)方程、宏觀機(jī)理和細(xì)觀機(jī)理出發(fā)，綜述了爆炸粉末燒結(jié)機(jī)理的研究進(jìn)展。最初作為多孔材料本構(gòu)模型提出的p-α模型經(jīng)過不斷修正已能反映孔隙的完全閉合并計(jì)入熔化效應(yīng)；在宏觀機(jī)理的研究上，除實(shí)驗(yàn)外，數(shù)值模擬已被用丁分析燒結(jié)機(jī)理及各種實(shí)際因素對燒結(jié)質(zhì)量的影響；在細(xì)觀機(jī)理上，綜述了對爆炸粉末燒結(jié)過程中顆粒間結(jié)合機(jī)制和沉能方式的由淺入深的認(rèn)識(shí)過程，簡單閘述了各種沉能機(jī)制，分析了以往研究成果的不足，對其今后的發(fā)展方向進(jìn)行了展望。

摘要:從甲醇在Nafion膜中的傳質(zhì)和甲醇滲透對電池性能的影響2方面綜述了甲醇滲透研究的最新進(jìn)展，并從對新的固體電解質(zhì)膜的開發(fā)和新的陰極催化劑的開發(fā)2方面概述了近年來為降低或克服甲醇滲透所開展的研究的現(xiàn)狀。通過比較各種不同類型的固體電解質(zhì)膜和陰極催化劑的優(yōu)缺點(diǎn)以及它們對甲醇滲透的影響，指出了目前甲醇滲透研究中存在的一些問題，并提出了未來甲醇滲透的研究方向。

摘要:對Cu-Al合金內(nèi)氧化的熱力學(xué)條件進(jìn)行了分析，繪制了內(nèi)氧化的熱力學(xué)條件區(qū)位圖。結(jié)果表明：區(qū)位圖中擇優(yōu)氧化區(qū)位很大，范圍由上、下限氧分壓確定，其中：lgPO2(max)=(-1761l／T) 12．91,lgPO2(min)=(-55830／T)-(4／3)Ig[％Al] 19．95，但實(shí)際的內(nèi)氧化區(qū)位是靠近上限PO2，的1個(gè)很小區(qū)域；溶度積Ksp和殘余Al濃度都是極小量，內(nèi)氧化可進(jìn)行得很徹底；內(nèi)氧化控制中溫度和氧分壓的調(diào)節(jié)必須同步；理想的內(nèi)氧化工藝條件應(yīng)是：采用1223K左右的高溫，介質(zhì)中的氧分壓力求接近或等于上限PO2；為了避免氧化，降溫過程宜采用通H2急冷的方法。

摘要:通過對不同狀態(tài)的7075鋁合金以不同的應(yīng)變速率和不同的應(yīng)變鍛造，并利用了光鏡(OM)、透射電鏡(TEM)對熱變形顯微組織進(jìn)行觀察。實(shí)驗(yàn)表明：對于7075鋁合金，較高的應(yīng)變速率有利于出現(xiàn)動(dòng)態(tài)再結(jié)晶，動(dòng)態(tài)再結(jié)晶的方式為不連續(xù)動(dòng)態(tài)再結(jié)晶，當(dāng)應(yīng)變速率較低時(shí)，只出現(xiàn)動(dòng)態(tài)回復(fù)。彌散的第二相粒予在動(dòng)態(tài)再結(jié)晶過程中起了重要作用。

摘要:采用軸對稱和三維模型對鍍環(huán)激光束焊接過程的溫度場和應(yīng)力場進(jìn)行了有限元分析，表明2種模型分析結(jié)果的趨勢基本一致，軸對稱模型可以得到焊接準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)時(shí)的溫度場和應(yīng)力場分布，三維模型可以得到整個(gè)移動(dòng)焊接過程的溫度場和應(yīng)力場分布，焊接起弧和收弧部位的殘余應(yīng)力比準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)時(shí)約高20％。

摘要:使用MEVVA源對純鋯表面注入1×1016 ions/cm2至5×1017 ions/cm2劑量的鉬離子,研究離子注入后其在水溶液中耐蝕性;注入時(shí)的最高溫度為160℃,加速電壓為40 kV。用X光電子譜(XPS)分析表面元素價(jià)態(tài);3次極化掃描評價(jià)注入樣品在0.5 mol/L硫酸水溶液中的耐蝕性,并對3次極化后的樣品進(jìn)行掃描電鏡(SEM)觀察。實(shí)驗(yàn)表明:隨著鉬離子注入劑量的增大,注入樣品的耐蝕性反而下降。劑量越大,耐蝕性下降越多。注入樣品的自然腐蝕電位與未注入純鋯相比發(fā)生了正移,總的趨勢是隨著劑量的加大,自然腐蝕電位越正。最后討論了鉬離子注入純鋯后耐蝕性下降的原因。

摘要:根據(jù)Clemente R A計(jì)算電磁懸浮熔煉最低溫度的辦法，導(dǎo)出存考慮輻射散熱和保護(hù)性氣體自然對流散熱聯(lián)合作用情況下，球形試樣電磁懇浮熔煉最低溫度的計(jì)算模型。利用該模犁計(jì)算了不考慮氣體散熱、氬氣自然對流散熱、氦氣自然對流散熱3種情況下電磁懇浮熔煉球形試樣的最低溫度范圍。通過對比，發(fā)現(xiàn)對于冷卻能力籌的氬氣，溫度計(jì)算時(shí)可以不考慮氣體散熱；而對于冷卻能力較大的氦氣，對于高密度、高電阻率、低輻射率試樣只考慮輻射散熱計(jì)算球形試樣最低電磁懸浮熔煉溫度可行；而對于低密度、低電阻率、高輻射率試樣，則必須考慮氦氣散熱與輻射散熱聯(lián)合作用計(jì)算球形試樣最低電磁懸浮熔煉溫度。不存存外部強(qiáng)制冷卻的情況下，高熔點(diǎn)、低電阻率、低密度、高輻射率的試樣，保護(hù)性氣體冷卻能力較強(qiáng)，試樣易于在重力環(huán)境下實(shí)現(xiàn)懸浮過冷；而低熔點(diǎn)、高電阻率、高密度、低輻射率的試樣，保護(hù)性氣體冷卻能力較差，試樣難以在重力環(huán)境下實(shí)現(xiàn)懸浮過冷。

摘要:研究了鉻膜和鈮膜的復(fù)合對鋯合金基體上制備的商流磁控濺射薄膜附著性的影響。使用掃描電鏡(SEM)觀察了膜層界面，用原子力顯微鏡(AFM)觀察了膜層表而，用劃痕法測定了薄膜的附著性。結(jié)果表明：膜／基界面結(jié)合良好，界面成分升降區(qū)狹窄；鉻膜與鈮膜組成的復(fù)合薄膜結(jié)合緊密；鉻膜的組織為致密、邊界孔洞少的纖維狀晶粒，鉻膜厚度為2μm時(shí)，晶粒仍為業(yè)微米級，但晶粒頂而已出現(xiàn)拱形；膜厚同為2μm時(shí)，外層1μm鈮膜 內(nèi)層1μm鉻膜組成的復(fù)合膜的附著性分別是外層1μm鉻膜 內(nèi)層1μm鈮膜組成的復(fù)合膜的2．35倍、2μm鉻膜附著性的3倍，其原因在于膜層組織及力學(xué)性能變化、鈮膜韌性好和復(fù)合順序。因此，依靠鉻膜厚度的增加米提高鉻膜保護(hù)性的方法具有較大局限性，通過在一定厚度的鉻膜外復(fù)合鈮膜的方法則有較好的可行性。

摘要:采用溶膠-凝膠前驅(qū)體法合成了正尖晶石結(jié)構(gòu)的LiMn2O4,研究了產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)、性能以及最佳的制備條件.結(jié)果表明,原料的配比和干膠的焙燒溫度對產(chǎn)物的組成、結(jié)構(gòu)以及顆粒形態(tài)有重要的影響.進(jìn)一步的研究表明,LiMn2O4在1.0 mol·L-1HCl中酸浸120 h可得高純度的λ-MnO2,λ-MnO2浸鋰后得到Li+與LiMn2O4所形成的固溶體Li1.01Mn2O4,其鋰離子脫嵌/嵌入在結(jié)構(gòu)上是可逆的.固溶體Li1.01Mn2O4的形成可提高材料的鋰離子篩分性能.

摘要:合成了3種不同Eu摻雜量的Sr4Al14O25，Dy^3 發(fā)光粉體，發(fā)現(xiàn)當(dāng)Eu摻雜量低于0．012mol時(shí)，發(fā)射光譜中存在2個(gè)主發(fā)射峰，分別位于407nm和494nm。隨著Eu摻雜濃度增加，407nm發(fā)射峰逐漸消失，而494nm主發(fā)射峰增強(qiáng)。結(jié)合Sr4Al14O25，晶體結(jié)構(gòu)和激發(fā)．發(fā)射光譜，建立了2種Eu發(fā)光中心之間的能量傳遞模型，對實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象進(jìn)行了合理的解釋。余輝衰減曲線測試結(jié)果表明，3種磷光體試樣均具有長余輝性能，尤其Sr4Al14O25：Eu0.0l2，Dy0.024試樣，其余輝時(shí)間在人眼可視亮度水平可持續(xù)20h以上。

摘要:研究了AlCl3-SiCl4-H2-CO2氣相系統(tǒng)不同溫度化學(xué)氣相沉積Al2O3-SiO2系氧化物相組成及顯微結(jié)構(gòu)，分析了化學(xué)氣相沉積過程機(jī)理。結(jié)果表明，CVD過程不能實(shí)現(xiàn)Al-Si化合物的均勻混合，不同溫度沉積產(chǎn)物為不同變體Al2O3結(jié)合非晶SiO2或其固溶體復(fù)合氧化物，1050℃以下，隨沉積溫度提高，沉積物顆粒尺寸減小，1050℃可沉積出晶化較為完全的莫來石結(jié)合α—Al2O3，t—Al2O3和非晶SiO2致密涂層。

摘要:用循環(huán)Ar^ 轟擊-磁控濺射離子鍍（MSIP）法在U表面上鍍Al,Ti/Al,并采用俄歇電子能譜儀（AES）、掃描電鏡（SEM）、電化學(xué)實(shí)驗(yàn)和平面磨耗實(shí)驗(yàn)，研究了其表面、剖面形貌和耐磨耐蝕性能，以及Al/U和Ti/Al鍍層界面。結(jié)果表明：U上循環(huán)Ar^ 轟擊-磁控濺射離子度Al,Ti/Al界面存在較寬的原子共混區(qū)，且Ti/Al鍍層的耐磨蝕性能明顯優(yōu)于單一磁控濺射離子鍍Al層。

摘要:利用表面機(jī)械處理技術(shù)在純鈦表面制備出50μm厚納米表面層，采用金相顯微鏡(OM)、透射電鏡(TEM)研究了處理層的微觀結(jié)構(gòu)。隨著應(yīng)變增加，晶粒逐漸細(xì)化。晶粒的細(xì)化機(jī)制為：孿晶的形成和孿晶碰撞；孿晶轉(zhuǎn)變成取向不同的片狀晶；片狀晶轉(zhuǎn)變成含有位錯(cuò)的胞狀晶、取向不同的小角度塊狀晶以及取向不同的多邊形亞細(xì)晶；亞細(xì)晶和片狀晶轉(zhuǎn)變成納米晶。微觀結(jié)構(gòu)觀察證實(shí)了動(dòng)態(tài)再結(jié)晶促使晶粒細(xì)化。

摘要:研究了TP-650顆粒增強(qiáng)鈦基復(fù)合材料的性能與組織。結(jié)果表明復(fù)合材料的室溫靜拉伸強(qiáng)度隨熱處理溫度的升高而增加。經(jīng)爐冷處理TP-650棒材的室溫拉伸強(qiáng)度比油冷或空冷處理的要高。TP-650的使用溫度比傳統(tǒng)高溫鈦合金IM1834，Ti-1100要高50℃～100℃。500℃以上，復(fù)合材料表現(xiàn)出良好的高溫穩(wěn)定性能。顯微組織顯示了TiC顆粒彌散分布，復(fù)合材料組織均勻，TiC和基體冶金結(jié)合，界面較小。

摘要:分別采用3種方法在不同燒結(jié)溫度下制備Gd211粉末。利用X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、激光粒度分析等手段對3種制備方法進(jìn)行比較研究。Gd211的成相溫度約在900℃以上。隨著燒結(jié)溫度的升高，粉末的碳含量明顯降低，但粒子尺寸逐漸增人，且由均勻的球形顆粒變成越來越來規(guī)則的大顆粒。3種制備方法相比，草酸鹽共沉淀法相對復(fù)雜，但合成的材料顆粒較細(xì)且均勻，碳含呈很低，是最理想的制備Gd211的方法。

摘要:介紹了1種新的制備納水石墨粉的方法——炸藥爆轟法。對合成的粉末進(jìn)行X射線衍射相分析，確認(rèn)其為石墨結(jié)構(gòu)，平均晶粒徑為1．86nm～2.58nm。用透射電子顯微鏡和激光拉曼儀作進(jìn)一步的分析，結(jié)果表明炸藥爆轟法制備的粉末為納米石墨粉，顆粒呈球形或橢球形。用小角X光散射儀對納米石墨粉進(jìn)行了粒度分布測量，粒徑分布在1nm～60nm之間，屬于納米級。

摘要:碳化物和α相是Ti-25V-15Cr-2Al-0．2C-x（x=0.2%Mo,2%Nb等）阻燃β鈦合金基體上的2種主要析出相。采用OM，SEM，TEM等方法研究了具有不同碳化物分布狀態(tài)的Ti-25V-15Cr-2Al-0．2C-x合金的熱處理及熱暴露后的微觀組織。結(jié)果表明，細(xì)小、彌散分布的碳化物顆粒不僅能細(xì)化合金的β晶粒，而且能明顯抑制對合金組織穩(wěn)定性有害的α沉淀相的析出，碳化物顆粒越細(xì)小、彌散，抑制α相析出的作用就越強(qiáng)，合金的組織穩(wěn)定性也越高。

摘要:采用機(jī)械合金化(MA)的方法將B和FeMo粉末與金屬Ti的粉末混合均勻，球磨10h后，真空熱壓燒結(jié)制備原位生成TiB增強(qiáng)Ti-4．0Fe-7．3Mo復(fù)合材料。在金相顯微鏡(OM)下觀察，復(fù)合材料由TiB增強(qiáng)區(qū)與不含TiB的基體所組成。TEM研究表明：增強(qiáng)區(qū)足由反應(yīng)生成的TiB增強(qiáng)的α和β-Ti2相共同組成，在α和β-Ti相交界處分布的TiB不僅尺寸較人，而且數(shù)量也較兩相內(nèi)部的TiB多。在α鈦中觀察到少量的平行于α相板條的特殊TiB的存在。反應(yīng)生成的TiB呈截面為六邊形的針狀，與基體的界面清潔、平直匹配良好。復(fù)合材料的三點(diǎn)彎曲強(qiáng)度和楊氏模量均隨反應(yīng)生成TiB體積含量的增加而降低。

摘要:采用Fe含量相同，但Cr含量不同的鋯合金板與Zr-4板對接焊，腐蝕后不同樣品中的氫含量差別很在，與氧化膜的厚度不成比例，說明合金元素Cr對鋯合金的吸氫性能有著非常明顯的影響，當(dāng)不含Cr時(shí)，焊接樣品腐蝕后的氫含量明顯減少：Zr．4經(jīng)不同熱處理后Zr(Fe，Cr)2第二相的大小和多少與氫含量有關(guān)，說明合金中存在Cr時(shí)形成的Zr(Fe，Cr)2第二相是引起吸氫量增加的主要原因。在不含Cr的鋯合金中添加合金元素Nb，不僅改善了焊接區(qū)的耐腐蝕性能，而且不會(huì)引起腐蝕時(shí)吸氫增加。氯化鋯會(huì)在對接焊樣品中未焊透的前端析出，這是張應(yīng)力引起氫的擴(kuò)散富集并誘發(fā)氫化物析出的結(jié)果。氫化鋯還會(huì)沿著熔區(qū)邊界集中析出，這將影響鋯合金力學(xué)性能的均勻性。

摘要:應(yīng)用穆斯堡爾譜，透射電子顯微鏡分析測定了FeCrCoVTiW永磁合金最佳磁性狀態(tài)下的2相成分α1相為78Fe-5Cr-17Co，α2相為13Fe-80Cr-7Co；相對量α1相為0．71，α2相為0．29。該合金的穆斯堡爾譜可以分解為8套亞譜，其中7個(gè)鐵磁性亞譜屬于合金中脫溶的α1相，它的平均超精細(xì)磁場約為24．6MA／m，一套順磁性亞譜對應(yīng)于合金中基體的α2相。按單疇粒子理論討論和計(jì)算了該合金矯頑力。

摘要:在交流條件下利用微等離子體氧化技術(shù)合成了氧化鋁陶瓷涂層。XRD分析結(jié)果顯示，涂層α-Al2O3相與y-Al2O3相的含量隨反應(yīng)時(shí)間而變化。氧化2．5h后可以得到由單一的α-Al2O3相組成的涂層。陶瓷涂層厚度的生長速率大約為0，7μm／min；在135min之后，涂層的厚度基本小變。氧化最初的15min之內(nèi)，涂層的表而密度僅為0.088mg／cm^2，然后表面密度增大。在氧化15min～60min之內(nèi)，表而密度(y)與氧化時(shí)間呈直線關(guān)系。在氧化60min之后，y的增長速率逐漸減小。

摘要:以氮化硅為基體，通過加入一定量的納米碳粉等添加劑，成功的制備出了具有高強(qiáng)度和較高氣孔率的氮化硅多孔陶瓷。采用阿摹米得法、一點(diǎn)彎曲法測試了材料的密度、氣孔率及強(qiáng)度；用X射線衍射儀及掃描電鏡對相組成及斷口進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：加入的納米碳粉同在Si3N4表面的SiO2或者同Si3N4顆粒本身反應(yīng)，生成了極細(xì)的SiC顆粒，釘扎在β型氮化硅的晶界，可以有效的增加材料的強(qiáng)度。在含碳量為5％(質(zhì)量分?jǐn)?shù))，1780℃下保溫60min，可以制得強(qiáng)度大于100MPa，氣孔率大于40％的氮化硅多孔陶瓷。

摘要:研究了熔體過熱處理對M963鑄造鎳基高溫合金凝固偏析的影響。結(jié)果表明，熔體過熱處理對Al，Co和Ni的偏析影響不磊；1923K，5min熔體過熱處理，使Ti，Nb和W的偏析增大，Mo和Cr的偏析減小。元素偏析程度的改變足由于合金熔體結(jié)構(gòu)的變化引起的。

摘要:聚酰業(yè)胺(PI)材料具有介電常數(shù)低，分解溫度高及化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，是很有前途的電子封裝材料。Cu具有低的電阻和高的抗電遷移能力，足PI基板金屬化的首選材料。采用物理氣相沉積(PVD)方法在PI基板上沉積Cu薄膜，利用TiN陶瓷薄膜阻擋Cu向PI基板內(nèi)部擴(kuò)散。研究熱處理?xiàng)l件下TiN陶瓷薄膜阻擋層的阻擋效果、Cu膜電阻變化以及Cu膜的結(jié)合強(qiáng)度，俄歇譜圖分析表明TiN可以有效地阻擋Cu向PI內(nèi)的擴(kuò)散。300℃熱處理消除了Cu膜內(nèi)應(yīng)力，提高了Cu膜的結(jié)合強(qiáng)度。

摘要:在H13鋼基體上制備了幾種成分的CrNx雙層膜和梯度膜。使用X光電子能譜(XPS)分析了膜層的成分，使用X射線衍射儀(XRD)分析膜層的主要相結(jié)構(gòu)：同時(shí)檢測了膜層的硬度與工藝參數(shù)的關(guān)系。系統(tǒng)地研究了膜層的動(dòng)電位極化曲線，梯度膜能夠明顯降低膜層的腐蝕電流密度。使用掃描電子顯微鏡(SEM)，研究了膜層顯微結(jié)構(gòu)和性能之間的關(guān)系，并提出了雙層膜和梯度膜的結(jié)構(gòu)模型。膜層的主要成分、結(jié)構(gòu)都隨著氮?dú)夥謮憾淖?。隨著氮?dú)夥謮簭?．05Pa提高到2Pa，CrNx膜層中的N／Cr原子比從0．08提高到0．67。氮?dú)夥謮?．05Pa時(shí)，雙層膜的成分包括Cr(bcc)和Cr2N(hex)，在分壓達(dá)到2Pa時(shí)，膜層主要成分為CrN(fcc)，在梯度膜中有一個(gè)CrN(220)擇優(yōu)取向。相對于CrN／Cr／H13雙層膜，梯度薄膜的抗腐蝕性能有明顯提高。在雙層膜上有較多較深的微孔，而在梯度膜表面比較鮮見。

摘要:用氨化濺射Ga2O3薄膜的方法，成功地合成了一維GaN納米線。用X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)和高分辨電鏡(HRTEM)對樣品進(jìn)行了分析。生成的GaN納米線平直光滑，其直徑為20nm～90nm，長可達(dá)50μm；納米線為高質(zhì)量的單晶六方纖鋅礦GaN，沿[110]方向生長。用此工藝制備GaN納米線，避免了在制備過程中引入雜質(zhì)，合成的納米線純度較高。