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摘要:簡要介紹了Eu^2 作為堿土鋁酸鹽激活劑的熒光特性和影響材料發(fā)光特性的因素。綜述了國內(nèi)外在制備技術(shù)和機理方面的研究現(xiàn)狀和該類材料的應(yīng)用現(xiàn)狀。最后指出了目前材料研究中存在的問題，并對今后的研究方向作了展望。

摘要:采用棒基組合的裝配方法，用熱擠壓和冷加工相結(jié)合的工藝制備了島狀Ti5Nb人工釘扎中心NbTi超導體，其中Ti5Nb體積含量為10％。通過對此超導體進行詳細的磁通釘扎機制分析，認為樣品的磁通釘扎力特征主要由正常相釘扎和Δκ扎相結(jié)合的機制決定。根據(jù)分析的結(jié)果，采用多源標度方法，很好地擬合了不同線徑樣品的磁通釘扎力密度隨磁場變化的曲線。擬合的結(jié)果表明：樣品在較低場下的性能主要由正常相釘扎機制決定，而在較高場下的性能主要由Δκ釘扎機制決定。并且隨著線徑的減小，正常相釘扎力密度和Δκ釘扎力密度均有不同程度的提高。

摘要:將微觀彈性應(yīng)變能理論和微觀擴散方程相耦合，建立起時效過程微觀晶格動力學模型。對溶質(zhì)濃度為14at％的二元立方點陣模型合金的共格沉淀粗化行為進行模擬。研究發(fā)現(xiàn)：該合金沉淀機制以形核長大為主，兼有失穩(wěn)分解特征；由于共格失配，沉淀相為片狀，趨于沿彈性軟化方向排列。其粗化作為伴隨過程進行，位于軟方向上的顆粒繼續(xù)長大和粗化，位于軟方向外的顆粒逐漸消失；而位于同一行或列上的顆粒則遵循：小顆粒溶解，大顆粒長大。

摘要:在對LaNi5晶體結(jié)構(gòu)進行分析之后，認為一個晶胞是由3個十二面體，9個八面體，6個六面體和36個四面體所組成。四面體間隙太小，不能儲存氫原子。這樣，一個晶胞內(nèi)可以儲存18個氫原子，氫原子與金屬原子比為H／M=1。LaNi5最大儲氫量為1．379％。

摘要:基于多元素靶濺射的Andersen-Sigmund關(guān)系式，在分析了大量的二、三元素合金濺射穩(wěn)定態(tài)靶表面化學成分的變化之后，發(fā)現(xiàn)各元素之間表面結(jié)合能之比幾乎與靶體化學成分無關(guān)。只要給各元素之間設(shè)定適當?shù)谋砻娼Y(jié)合能比，就可以很容易地計算出三元合金靶穩(wěn)定態(tài)表面化學成分，至少對于用2keV氬離子轟擊的Ag-Pd-Au三元合金靶系來說，其計算結(jié)果都與實驗值一致。所分析的實驗數(shù)據(jù)是在常溫下取得的，所以可不考慮離子轟擊誘發(fā)的Gibbs偏析，其結(jié)論很可能是多元合金靶濺射的一般規(guī)律。此外，由Gaidikas等最近所提出的所謂擇優(yōu)濺射中的“基體效應(yīng)”理論是無實驗依據(jù)的。

摘要:水冷銅坩堝非自耗電極電弧爐熔煉出的鈦合金試樣沿徑向方向晶體組織由激冷層的等軸晶與柱狀晶混合轉(zhuǎn)化為柱狀晶、樹枝晶一直到等軸晶?；谝痪S溫度場方程，建立了實驗條件下液固界面的溫度梯度隨時間的關(guān)系及溫度梯度與凝固速度之商和時間的關(guān)系，利用這些關(guān)系結(jié)合固液界面穩(wěn)定性動力學原理解釋了徑向上晶體組織變化的原因。不同位置上的硬度不同，結(jié)合相應(yīng)位置上的單位面積上的晶界長度LA及單位體積內(nèi)的界面積Sv，基于塑性變形理論進行了合理解釋。

摘要:通過B2O3蒸汽摻雜，鈦酸鋇晶胞膨脹，表明硼離子可以進入鈦酸鋇晶格中形成硼間隙。B2O3蒸汽摻雜使含Y鈦酸鋇陶瓷室溫電阻率下降，升阻比提高。同樣的燒結(jié)條件下，鈦酸鋇陶瓷的PTCR效應(yīng)隨B2O3蒸汽摻雜源的濃度升高而升高。硼間隙和／或相關(guān)缺陷絡(luò)合物可以形成電子捕獲中心，從而提高PTCR效應(yīng)。

摘要:研究了形變對Ni-Mn-Ga合金馬氏體相變及其組織形態(tài)的影響，并應(yīng)用馬氏體相變熱力學和動力學探討了適當塑性變形后馬氏體相變滯后得以大幅度提高的微觀本質(zhì)。結(jié)果表明，隨著應(yīng)變量的增加，馬氏體相變溫度幾乎保持不變，而其逆相變溫度則迅速升高，塑性應(yīng)變導致儲存在界面處的彈性應(yīng)變能的釋放是塑性變形提高合金相變滯后的主導因素。

摘要:利用熱重分析(TGA)測量了原位生成的TiC／Ti-6Al復合材料在600，700和800℃下經(jīng)連續(xù)20h的氧化增重特性，利用SEM，EDS和XRD研究了復合材料經(jīng)氧化試驗后表面氧化層的結(jié)構(gòu)，相組成及成分。結(jié)果表明，原位生成的Ti基復合材料在高溫氧化時遵循拋物線規(guī)律在800℃時的氧化增重量遠大于600℃和700℃時的，計算獲得該復合材料的氧化激活能為255．7kJ／mol。研究發(fā)現(xiàn)經(jīng)20h的600℃或700℃氧化形成的氧化物呈現(xiàn)不連續(xù)的島嶼狀，主要成分為金紅石型的Ti02，而在800℃氧化20h后，氧化物是均勻連續(xù)的致密膜，由TiO2，A12O3組成。該復合材料的氧化首先發(fā)生在TiC顆粒的表面上，而不是象均質(zhì)Ti材料一樣氧化在整個表面上均勻地發(fā)生。

摘要:研究了快速凝固處理對鈦釩系貯氫電極合金Ti0.8Zr0．2V2．4Mn0．48Cr0．72Ni0．9的相結(jié)構(gòu)、特別是電化學性能的影響規(guī)律。XRD研究表明：合金主要由六方結(jié)構(gòu)的C14 Laves相和體心立方結(jié)構(gòu)的釩基固溶體相所組成，快速凝固減少了合金中C14 Laves相的含量。電化學性能分析表明：快速凝固降低了合金電極的最大放電容量，增加了電極的活化次數(shù)，提高了電極表面的反應(yīng)阻抗，惡化了電極的動力學性能，但是卻大大改善了合金電極的循環(huán)穩(wěn)定性。

摘要:研制了新型集成電路引線框架Cu-Cr-Zr系列合金，通過電導率、硬度、抗拉強度測試以及透射電鏡觀察，考察了微量合金元素La，F(xiàn)e／Ti，Co／Ti元素以及時效工藝對合金性能的影響。結(jié)果表明：稀土元素La可以改善A合金(Cu-Cr-Zr-Zn)的硬度及導電率；加入Fe／Ti，Co／Ti元素，大大提高了合金的強度和硬度，并使其時效的強度及硬度峰值延后。在970℃固溶處理、70％冷變形及不同溫度時效2h后，A合金(Cu-Cr-Zr-Zn)及B合金(Cu-Cr-Zr-Zn-La)在450℃時達到硬度和強度峰值，分別為HV1770MPa和525MPa及HV1840MPa和554MPa，電導率分別為78％和80％IACS；在970℃固溶處理，60％冷變形，500℃時效2h，50％冷變形及不同溫度2次時效2h后，C合金(Cu-Cr-Zr-Zn-Fe-Ti-La)及D合金(Cu-Cr-Zr-Zn-Co-Ti-La)在450℃時達到硬度和強度峰值，分別為HV2120MPa，683MPa及HV2040MPa和651MPa，電導率分別為65％和70％IACS。

摘要:采用重鉻酸鉀法對Cu-Zn-Al形狀記憶合金進行鈍化。應(yīng)用化學浸泡和電化學方法研究了鈍化Cu-Zn-Al形狀記憶合金在Tyrodes 人工體液中的耐蝕性能。俄歇電子能譜(AES)和X射線能譜(EDX)分析表明,鈍化CuZnAl 形狀記憶合金表面膜層主要由(CrCu)2O3(CuZn)OxH2O的水合尖晶石氧化物組成,該膜層附著力良好、平整、均勻、呈彩虹色花紋。鈍化改善和提高了CuZnAl 形狀記憶合金在Tyrodes 人工體液中的耐蝕性能、化學穩(wěn)定性和抗色變能力,這是由于鈍化合金表面形成熱力學穩(wěn)定的阻礙膜層及其化學效應(yīng),有效地抑制了合金的脫鋅腐蝕。

摘要:采用懸浮熔煉和球磨方法制備了CoSb2合金粉末,并研究了它的電化學吸放鋰性能.研究結(jié)果表明,具有marcasite結(jié)構(gòu)的CoSb2 的首次可逆容量為263 mAh·g-1, 相應(yīng)的體積比容量為2 130 mAh·cm-3.經(jīng)過 15 個循環(huán)后,其可逆容量衰減到 123 mAh·g-1.在本實驗中發(fā)現(xiàn),把中間相微碳球(MCMB)加入到CoSb2 中不僅能改善其循環(huán)壽命,而且也能夠明顯提高其可逆容量.非原位XRD 測試的結(jié)果表明,雖然 marcasite 結(jié)構(gòu)的CoSb2 本身并不能存儲鋰,但其結(jié)構(gòu)破壞后形成的銻能與鋰進行可逆的電化學反應(yīng).

摘要:采用單輥旋鑄技術(shù)制備Al-2．5Ti-2．5Fe和A1-2．5Ti-2．5Fe-2．5Cr合金薄帶，利用X射線衍射、EDS、透射電鏡和高分辨電鏡來分析該兩種合金的急冷態(tài)和退火態(tài)顯微組織，研究了Cr對快速凝固Al-2．5Ti-2．5Fe合金顯微組織和顯微硬度的影響。

摘要:通過對合金的收縮應(yīng)變和熱裂抗力及準固態(tài)拉伸行為進行測試，研究了合金元素(Si，La)對Al-4．5Cu合金凝固行為的影響。結(jié)果表明，Si，La能使Al-4．5Cu的熱裂傾向性降低；加入2％Si使合金的再輝現(xiàn)象非常嚴重，導致合金不可能有很高的強度而很快斷裂：與其它Al-4．5Cu-Si合金相比，Al4．5Cu3Si合金具有很強的補縮能力，斷裂應(yīng)力值最高：La的加入能縮小二次枝晶間距，明顯提高合金的抗熱裂性能。

摘要:研究了大塑性變形-反應(yīng)燒結(jié)TiAl合金的高溫壓縮屈服強度。結(jié)果表明：高能球磨顯著改善了燒結(jié)TiAl合金的壓縮性能，同時其壓縮性能還取決于燒結(jié)工藝。球磨1h粉末擠壓坯經(jīng)1250℃燒結(jié)4h后，800℃時的壓縮屈服強度最高，達到620MPa，且與其實溫值相當：而經(jīng)1250℃燒結(jié)不同時間的未球磨粉末燒結(jié)體，800℃時壓縮屈服強度最高僅為485MPa。因此，采用大塑性變形-反應(yīng)燒結(jié)工藝制備高性能TiAl合金是可行的。

摘要:采用Sol-gel法制備出氣敏材料La0．68Pb0．32FeO3納米粉體。該粉體材料具有正交鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，晶胞參數(shù)a=0．55562nm，b=0．55965nm，c=0．78185nm，晶胞體積v=0．2431nm^3，平均粒徑約為20nm。用該粉體制成氣敏元件，并測試了該粉體材料在乙醇、丙酮和汽油中的氣敏特性，測試結(jié)果表明：相比空氣而言，在乙醇氣氛中的La0．68Pb0．32FeO3電導值升高，呈現(xiàn)出n．型半導體載流子的導電特性；在丙酮和汽油氣氛中的La0．68Pb0．32FeO3的電導值降低，呈現(xiàn)出p-型半導體載流子的導電特性。該材料對乙醇具有極高的氣敏靈敏性，在0．01％的乙醇氣氛中，靈敏度可達51；在0．1％的乙醇氣氛中，靈敏度高達522。最佳工作溫度區(qū)間在180℃～220℃。La0．68Pb0．32FeO3對丙酮和汽油也具有一定的靈敏性，在0．05％丙酮氣氛中的靈敏度為30，最佳工作溫度區(qū)間在220℃～260℃在0．1％汽油氣氛中的靈敏度為5．0。La0．68Pb0．32FeO3納米粉體具有電子與空穴復合導電機制。

摘要:在NH4OH-(NH4)2CO3沉淀體系中用相轉(zhuǎn)移分離法制備了La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O2.85(LSGM1020)固體電解質(zhì)前驅(qū)體,并在較低的燒結(jié)溫度得到了純度較高,雜質(zhì)含量低的電解質(zhì)陶瓷.用XRD,Raman光譜,直流四電極,交流阻抗譜和掃描電鏡分析了電解質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu),電化學性能和顯微結(jié)構(gòu).XRD和Raman分析表明LSGM1020電解質(zhì)具有菱方鈣鈦礦結(jié)構(gòu),800oC時測量得到的氧離子電導率達到0.12S?cm-1.SEM和交流阻抗分析表明,燒結(jié)體具有良好的微觀結(jié)構(gòu).采用相轉(zhuǎn)移分離法合成LSGM1020有利于降低燒結(jié)溫度,改善電解質(zhì)的性能.

摘要:清華大學核能研究院屏蔽實驗反應(yīng)堆池殼用A0純鋁制成，并于1964年對池殼進行了全部陽極氧化處理。至2001年，反應(yīng)堆運行了37年，池殼表面仍然有一層發(fā)亮的氧化膜，與國內(nèi)外同類型的未經(jīng)陽極氧化處理的反應(yīng)堆相比較，說明氧化膜極好地保護了池殼。該反應(yīng)堆池殼容積大于50m^3。表面積達100m^2，把這樣大的鋁制設(shè)備在完全安裝完畢后進行全部表面陽極氧化處理，在處理工藝上是很困難的。本文闡明了解決這些問題的方法。對A0純鋁在草酸中的陽極氧化做了許多實驗，獲得了A0純鋁在3％(w／％)草酸中的陽極氧化的基本規(guī)律，并確定了最終的工藝參數(shù)。包括氧化電流密度，氧化時間和電解液的溫度。在鋁池殼的陽極氧化過程中解決了許多關(guān)鍵的工藝：如大型工件陽極氧化工藝、氧化機制、性能；分層處理與薄膜密封技術(shù)；電源的選擇；電解液的循環(huán)冷卻；氧化膜的質(zhì)量檢測等。

摘要:在Ar惰性保護氣氛中，采用陽極弧放電等離子方法用自行研制的裝置制備出了高純Ni納米粉末。研究了在制備過程中電弧電流、氣體壓力等工藝參數(shù)對納米粉產(chǎn)率及粒度的影響。利用XRD、TEM對制得的樣品的形貌、晶體結(jié)構(gòu)、粒度及其分布進行測定。結(jié)果表明，適當控制某些工藝參數(shù)就能制取粒徑范圍在20nm～100nm的納米粉，在其它工藝參數(shù)不變條件下，氣壓升高或電弧電流增大，都會使粒度增大，產(chǎn)率提高。

摘要:用直流反應(yīng)磁控濺射法制備了玻璃基TiO2薄膜。濺射過程中，Ar氣的分壓保持在0．8SPa不變，而O2的分壓在0．10Pa～0．6SPa之間變化：鍍膜試樣在400℃～550℃之間進行熱處理。用掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)和紫外．可見光譜儀研究了薄膜的表面形貌、薄膜沉積速率和光學帶隙寬度。結(jié)果表明，隨著氧氣分壓從0．10Pa增加到0．6SPa，薄膜沉積速率從4．4nm／min下降到2．2nm／min，光學帶隙從3．67eV下降到3．59eV，薄膜表面呈現(xiàn)出均勻的納米晶粒和納米孔：550℃熱處理有助于較致密薄膜形成納米晶粒和納米孔，并降低帶隙寬度。

摘要:提出了一種在導電材料表面制備仿生生物活性鈣磷涂層的新方法，即首先經(jīng)陰極聲電化學處理材料使表面帶上含鈣離子的功能化基團，然后浸入過飽和溶液，鈣磷晶體在功能化表面上發(fā)生異相成核生長，從而形成薄膜或涂層。根據(jù)該方法，成功地在碳／碳復合材料表面制備了仿生五水磷酸八鈣涂層，實現(xiàn)了生物惰性碳／碳復合材料表面生物活化改性。

摘要:發(fā)展了一種新的VO2薄膜制備方法—V2O5熔化成膜法，其基本步驟為：基片預處理—涂粉—熔化成膜—真空退火—VO2薄膜。采用XRD和XPS等手段，對所得薄膜的物相組成與價態(tài)進行了分析，同時對薄膜進行了電阻隨溫度變化的測試。結(jié)果表明：通過該方法獲得的薄膜，其主要成分是VO2，電阻突變達到4個數(shù)量級，相變溫度為67．5℃。

摘要:為提高封裝基板銅導體層與陶瓷基板的結(jié)合強度，研究了在氧化鋁和氮化鋁的基板上進行化學鍍銅，對表面進行粗化和改性，經(jīng)過優(yōu)化工藝條件后，氧化鋁與鍍層的結(jié)合強度可以達到27MPa，氮化鋁與鍍層的結(jié)合強度可以達到22MPa。

摘要:采用氧化鈧與鎢機械混合、氧化鎢與鈧鹽水溶液固液摻雜法制備了氧化鈧-鎢基體，采用掃描電鏡及原位俄歇電子能譜方法研究了基體中鈧的分布及陰極基體的抗離子轟擊性能。結(jié)果表明，采用液固法制備的燒結(jié)體，氧化鈧分布均勻，這樣的結(jié)構(gòu)有利于鈧的擴散和補充，原位俄歇轟擊實驗結(jié)果表明，陰極基體具有良好的耐高溫和耐離子轟擊性。

摘要:采用機械合金化．放電等離子燒結(jié)工藝(MA-SPS)，在200℃～600℃之間制備了納米晶CoSb3合金塊體材料。采用XRD和TEM對材料的相組成和微觀組織進行了測試分析。實驗結(jié)果表明，燒結(jié)前粉末為高能球磨得到的平均晶粒尺寸為20nm～35nm的納米晶CoSb3粉末，SPS燒結(jié)后CoSb3合金塊體的平均晶粒尺寸小于100nm，其致密度達到了91．3％～99．6％。CoSb3塊體的晶粒尺寸隨著燒結(jié)溫度的降低而減小，而密度卻隨著燒結(jié)溫度的升高而增加。CoSb3納米晶塊體熱電材料的制備機理是MA使粉末晶粒細化到納米級，放電等離子燒結(jié)的快速、短時、低溫和特殊燒結(jié)機理顯著抑制了燒結(jié)時的晶粒長大。

摘要:以Sm和Sm2S3為靶材，采用雙靶子濺射系統(tǒng)，于單晶Si基板上成功制作了S-SmS和M-SmS微晶薄膜，并采用XRD，AFM和RBS及光學性能測定等測試手段對薄膜進行了分析測試。結(jié)果表明：基板溫度低于200℃的情況下；或者在基板溫度為400℃，薄膜組成中Sm過量的條件下均可以直接獲得在常溫常壓下穩(wěn)定存在的M-SmS微晶薄膜。S-SmS和M-SmS微晶薄膜表現(xiàn)出明顯不同的光學特性。