0.5CoCrFeNi合金拉伸和抗輻照性能的影響。通過位錯分析及點缺陷分析闡明了相關(guān)影響機(jī)理。結(jié)果表明,錯配度越高的晶界其晶界處的元素偏聚越明顯?;瘜W(xué)短程有序能夠提升雙晶的拉伸性能及抗輻照能力,特別是對于含錯配度較大晶界的雙晶,晶界能夠有效吸收輻照產(chǎn)生間隙原子。"/>
西南交通大學(xué)材料先進(jìn)技術(shù)教育部重點實驗室
四川省重大科技專項(項目號2021ZDZX0001)
Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials Ministry of Education,Southwest Jiaotong University
柴小松,袁力軍,李光磊,李婧,李達(dá).化學(xué)短程有序在晶界處的作用及其對Al0.5CoCrFeNi合金拉伸和抗輻照性能影響的分子模擬[J].稀有金屬材料與工程,2024,53(8):2267~2274.[Chai Xiaosong, Yuan Lijun, Li Jing, Li Guanglei, Li Da. Molecular Simulation of Chemical Short-range Ordering at Grain Boundaries and Its Effect on Tensile and Radiation Resistance of Al0.5CoCrFeNi Alloy[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2024,53(8):2267~2274.]
DOI:10.12442/j. issn.1002-185X.20230412