3N4;電化學性能"/> 4/g-C3N4復合粉體,并將粉體涂覆在泡沫鎳上制備了NiMoO4/g-C3N4電極材料。結果表明,NiMoO4/g-C3N4粉體形貌主要為NiMoO4納米棒和團狀g-C3N4,且NiMoO4納米棒生長在g-C3N4納米片上。在NiMoO4中加入30at%的g-C3N4能降低電容體系的等效串聯(lián)電阻和擴散阻抗,有利于氧化還原反應的進行。相比于其他g-C3N4含量的電極材料,g-C3N4含量為30at%的NiMoO4/g-C3N4電極材料具有更高的比電容(584.3F/g)和更好的倍率特性。"/>
南昌航空大學 材料科學與工程學院
國家自然科學基金(51861026);江西省教育廳科學(GJJ160688).
School of Materials Science and Engineering,Nanchang Hangkong University
楊先軍,聶午陽,白楊,張建軍,梁炳亮,陳衛(wèi)華,艾云龍. NiMoO4/g-C3N4的制備及電化學性能研究[J].稀有金屬材料與工程,2021,50(11):4045~4050.[Yang Xianjun, Nie Wuyang, Bai Yang, Zhang Jianjun, Liang Bingliang, Chen Weihua, Ai Yunlong. Study on preparation and electrochemical performance of NiMoO4/g-C3N4[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2021,50(11):4045~4050.]
DOI:10.12442/j. issn.1002-185X.20200887