2H2-O2焰中的燒蝕行為。結(jié)果表明:無(wú)緯布、穿刺纖維束由CVI+PIC制備的碳基體填充而形成致密C/C區(qū)域,RMI生成的SiC主要位于網(wǎng)胎層中,其含量37.3wt%。復(fù)合材料表面因過(guò)量硅化而形成了SiC富集層。燒蝕距離20mm、O2:C2H2=2:1時(shí),燒蝕600s后材料X-Y、Z向線燒蝕率分別為:0.8×10-4 mm/s、3.6×10-4 mm/s,比PIP工藝制備C/C-SiC材料燒蝕率小一個(gè)數(shù)量級(jí)。燒蝕面SiC富集層保護(hù)及被動(dòng)氧化作用是材料具有優(yōu)異抗氧化燒蝕性能的主要原因。隨燒蝕距離由20mm向10mm減小,復(fù)合材料燒蝕率先緩慢變化后快速增大,燒蝕率快速增長(zhǎng)階段復(fù)合材料發(fā)生主動(dòng)氧化燒蝕。"/>
西安航天復(fù)合材料研究所
TB332
國(guó)家自然科學(xué)基金(21676163)、中國(guó)航天青年拔尖人才項(xiàng)目(2019.1-2021.12)
1.Xi’an Aerospace Composites Research Institute,Xi’an 710025;2.China
吳小軍,劉明強(qiáng),張兆甫,謝棟,郭春園. RMI法制備穿刺C/C-SiC復(fù)合材料的微結(jié)構(gòu)及燒蝕性能研究[J].稀有金屬材料與工程,2021,50(11):4023~4030.[WU Xiaojun, LIU Mingqing, ZHANG Zhaofu, XIE Dong, GUO Chunyuan. Microstructure and ablation properties of the pierced C/C-SiC composites[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2021,50(11):4023~4030.]
DOI:10.12442/j. issn.1002-185X.20200877