2/MoSi2復(fù)合涂層。利用X射線衍射、掃描電子顯微鏡、能譜儀和熱力學(xué)計(jì)算對(duì)涂層進(jìn)行了表征與反應(yīng)機(jī)理分析。結(jié)果表明,共沉積法無法實(shí)現(xiàn)Ti的有效沉積。先滲Ti、再滲Si的兩步沉積工藝能有效制備Ti改性硅化物涂層。涂層分為3層,最外層為(Ti,Mo)Si2三元化合物層,次外層為MoSi2層,次外層與基體間為Mo5Si3過渡層。滲硅溫度對(duì)涂層結(jié)構(gòu)無明顯影響。Ti改性硅化物涂層的生長(zhǎng)速率略低于單一滲硅涂層的生長(zhǎng)速率。(Ti,Mo)Si2/MoSi2復(fù)合涂層的形成由Ti、Si內(nèi)擴(kuò)散控制。Ti元素集中在涂層表層,Si元素通過(Ti,Mo)Si2化合物層與基體作用形成MoSi2層和Mo5Si3過渡層。滲Ti過程中,埋滲料間反應(yīng)會(huì)引入游離態(tài)鋁氟化物AlF3。在隨后的滲硅過程中,游離態(tài)Al以Al3Mo的形式在(Ti,Mo)Si2層中靠近MoSi2層的上界面處析出。在1200 ℃周期性氧化過程中,(Ti,Mo)Si2/MoSi2復(fù)合涂層持續(xù)循環(huán)氧化180 h后未出現(xiàn)明顯失重。(Ti,Mo)Si2層氧化形成的SiO2與TiO2致密復(fù)合氧化層能填充涂層表面裂紋,持續(xù)阻礙氧擴(kuò)散,因此其在周期性氧化環(huán)境下的抗氧化性能顯著優(yōu)于單一滲硅涂層。"/>
1.重慶材料研究院有限公司,重慶 400707;2.國(guó)家儀表功能材料工程技術(shù)研究中心,重慶 400707;3.重慶理工大學(xué) 化學(xué)化工學(xué)院,重慶 400054
重慶市基礎(chǔ)研究與前沿探索(cstc2019jcyj-msxm2574),核電重大科技專項(xiàng)(2017ZX06004004),北碚區(qū)技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用示范類項(xiàng)目(2020-4)
1.Chongqing Materials Research Institute Co., Ltd, Chongqing 400707, China;2.National Engineering Research Center for Instrument Function Materials, Chongqing 400707, China;3.School of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University of Technology, Chongqing 400054, China
Sponsored by Basic Research and Frontier Exploration of Chongqing (cstc2019jcyj-msxmX0795); Major Science and Technology Projects of Nuclear Power (2017ZX06004004); Technology Innovation and Application Demonstration Project of Beibei (2020-4)
何浩然,劉奇,薄新維,王小宇,王焱輝,姚志遠(yuǎn),韓校宇,劉成超.鉬表面包埋滲法制備
DOI:10.12442/j. issn.1002-185X.20200678