S//(100)a和(010)S// a及(001)S//(021)a面的共價電子密度差Dr分別為0.003%、3.564%和5.811%,(100)S//(100)a面上的共價電子密度為10.3915 nm-2和10.3918 nm-2,(010)S// a面上的共價電子密度為0.0486 nm-2和0.0469 nm-2,(001)S//(021)a面上的共價電子密度為0.0486 nm-2和0.0459 nm-2。與(001)S//(021)a和(010)S// a面相比,(100)S//(100)a面的原子鍵合力與共價電子密度均最大,共價電子密度差最小,界面連續(xù)性最好,界面的應力最小。"/>
遼寧工業(yè)大學
遼寧省科學技術計劃項目資助(SY2016008)
Liaoning University of Technology
屈華,徐巧至,劉偉東,齊健學. Al-Cu-Mg合金S相及S/a相界面價電子結構分析[J].稀有金屬材料與工程,2020,49(11):3816~3821.[Qu Hua, Xu Qiaozhi, Liu Weidong, Qi Jianxue. Valence electron structures analysis of S phase and the S/a interface in Al-Cu-Mg alloy[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2020,49(11):3816~3821.]
DOI:10.12442/j. issn.1002-185X.20200264