2Te3;納米棒;"/> 2Te3和Bi4Te3薄膜。其中,Bi2Te3薄膜是由規(guī)則的長(zhǎng)度為100 nm左右,平均寬度為10 nm的納米棒組成。其具有非常大的比表面積,非常有利于其作為熱電材料的應(yīng)用。而B(niǎo)i4Te3薄膜是由納米顆粒團(tuán)聚而成的不規(guī)則多面體組成的。本文的研究證明通過(guò)改變沉積參數(shù),有可能在Bi-Te二元系統(tǒng)的沉積過(guò)程中對(duì)生成物的相組成和形貌進(jìn)行調(diào)控。"/>
臺(tái)州學(xué)院,臺(tái)州學(xué)院,臺(tái)州學(xué)院,臺(tái)州學(xué)院,臺(tái)州學(xué)院,西北有色金屬研究院
國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(面上項(xiàng)目,重點(diǎn)項(xiàng)目,重大項(xiàng)目)
Northwest Institute of Non-ferrous Metal Research
曹一琦,黃小華,吳建波,林燕,郭仁青,張勝楠.電化學(xué)沉積制備納米晶Bi-Te薄膜及其表征[J].稀有金屬材料與工程,2016,45(12):3108~3111.[CAO Yiqi, HUANG Xiaohua, WU Jianbo, LIN Yan, GUO Renqing, ZHANG SHENGNAN. Electrochemical deposition of nanocrystalline Bi-Te films and their characterizations[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2016,45(12):3108~3111.]
DOI:[doi]