2薄膜; 薄膜厚度; 光電特性"/> 2薄膜,繼而采用光刻技術(shù)在薄膜上生長了Ag叉指電極,獲得了MSM結(jié)構(gòu)TiO2基紫外探測器。I-V特性測試結(jié)果表明Ag與TiO2之間表現(xiàn)出優(yōu)良的歐姆接觸特性,所制備探測器為歐姆接觸。此外,TiO2薄膜厚度對探測器的光電性能影響顯著,當(dāng)薄膜厚度達到197 nm時,光電性能達到最高。此時,光電流高出暗電流近2.5個數(shù)量級,紫外光區(qū)的響應(yīng)度高出可見光區(qū)近2個數(shù)量級。所制備Ag/TiO2MSM紫外探測器表現(xiàn)出高靈敏度和可見盲特性。"/>
北京航空材料研究院 鋼與稀貴金屬研究所,北京航空材料研究院 鋼與稀貴金屬研究所,北京航空材料研究院 鋼與稀貴金屬研究所,北京航空材料研究院 鋼與稀貴金屬研究所
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Department of Steel and Rare-Noble Metals,Beijing Institute of Aeronautical Materials,Department of Steel and Rare-Noble Metals,Beijing Institute of Aeronautical Materials,Department of Steel and Rare-Noble Metals,Beijing Institute of Aeronautical Materials,Department of Steel and Rare-Noble Metals,Beijing Institute of Aeronautical Materials
祁洪飛,戴松喦,劉大博,王錦鵬. MSM結(jié)構(gòu)TiO2基紫外探測器的制備及光電特性研究[J].稀有金屬材料與工程,2017,46(10):2781~2784.[Qi Hongfei, Dai Songyan, Liu Dabo, Wang Jinpeng. Preparation and Photoelectric Properties of Metal-Semiconductor-Metal TiO2 Ultraviolet detectors[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2017,46(10):2781~2784.]
DOI:[doi]