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三元缺陷化合物CuGa3Te5的熱電性能
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國家自然科學(xué)基金資助（51171084, 50871056）；寧波市國際合作項(xiàng)目（2011D10012）


Thermoelectric Properties of a Ternary Defect Compound CuGa3Te5
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    摘要:

    采用放電等離子燒結(jié)法（SPS）制備了三元缺陷化合物CuGa3Te5熱電半導(dǎo)體，并分析研究了其結(jié)構(gòu)和熱電性能。XRD分析結(jié)果表明，該半導(dǎo)體為單相化合物CuGa3Te5，直接帶隙寬度 (Eg) 約為1.0 eV。經(jīng)熱電性能測試分析，在717 K時(shí)CuGa3Te5的ZT值達(dá)到最大值0.3。

    Abstract:

    A ternary defect compound CuGa3Te5 was synthesized by a spark plasma sintering technique and its structures and thermoelectric properties were evaluated at 318~717 K. The XRD analysis indicates that the compound is single phase CuGa3Te5 with a direct band gap (Eg) of ~1.0 eV. The maximum thermoelectric figure of merit ZT is 0.3 at 717 K.

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引用本文

任 偉,孟慶森,陳少平,孫 政,崔教林.三元缺陷化合物CuGa3Te5的熱電性能[J].稀有金屬材料與工程,2014,43(12):3129~3132.[Ren Wei, Meng Qingsen, Chen Shaoping, Sun Zheng, Cui Jiaolin. Thermoelectric Properties of a Ternary Defect Compound CuGa3Te5[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2014,43(12):3129~3132.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2013-12-04
  • 最后修改日期:
  • 錄用日期:
  • 在線發(fā)布日期: 2015-04-16
  • 出版日期: