99.995%）為原料，采用真空熱壓燒結(jié)工藝制備高純W-Si合金靶材。研究燒結(jié)溫度、熱壓壓力、保溫時(shí)間等工藝條件對(duì)靶材密度、微觀組織性能的影響。結(jié)果表明，燒結(jié)溫度在1350~1380 ℃，熱壓壓力25~30 MPa，保溫時(shí)間1.5~2 h，可制備出相對(duì)密度99%以上、平均晶粒尺寸100 μm以內(nèi)的高性能W-Si合金靶材。"/>

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真空熱壓燒結(jié)對(duì)高純W-Si合金靶材性能影響
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Effects of Vacuum Hot Pressing Sintering on the Performance of High Purity W-Si Alloy Target
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    摘要:

    以高純W-Si合金粉（>99.995%）為原料，采用真空熱壓燒結(jié)工藝制備高純W-Si合金靶材。研究燒結(jié)溫度、熱壓壓力、保溫時(shí)間等工藝條件對(duì)靶材密度、微觀組織性能的影響。結(jié)果表明，燒結(jié)溫度在1350~1380 ℃，熱壓壓力25~30 MPa，保溫時(shí)間1.5~2 h，可制備出相對(duì)密度99%以上、平均晶粒尺寸100 μm以內(nèi)的高性能W-Si合金靶材。

    Abstract:

    Using high purity W-Si alloy powder (> 99.995%) as raw material, high purity W-Si alloy target was prepared by vacuum hot pressing sintering process. The effects of process parameters, including sintering temperature, hot pressing pressure and holding time, on the target performance of density and microstructure were investigated. The results show that under the process parameters of sintering temperature of 1350~1380 oC, hot pressing pressure of 25~30 MPa, and holding time of 1.5~2 h, high performance W-Si alloy target could be prepared with more than 99% relative density and average grain size less than 100 μm.

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引用本文

丁照崇,何金江,羅俊鋒,李勇軍,熊曉東.真空熱壓燒結(jié)對(duì)高純W-Si合金靶材性能影響[J].稀有金屬材料與工程,2014,43(6):1403~1406.[Ding Zhaochong, He Jinjiang, Luo Junfeng, Li Yongjun, Xiong Xiaodong. Effects of Vacuum Hot Pressing Sintering on the Performance of High Purity W-Si Alloy Target[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2014,43(6):1403~1406.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2013-06-05
  • 最后修改日期:
  • 錄用日期:
  • 在線發(fā)布日期: 2014-11-13
  • 出版日期: