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n型摻雜BaSnO3的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的第一性原理研究
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國(guó)家自然科學(xué)基金（61078057，51172183，51202195）；湖北民族學(xué)院博士人才基金；湖北民族學(xué)院博士科研啟動(dòng)基金


First-Principles Calculations of Electronic Structure and Optical Properties of n-type Doped BaSnO3
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    摘要:

    基于密度泛函理論，從頭計(jì)算了La以及Nb摻雜BaSnO3的穩(wěn)定性、電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)。結(jié)果表明La以及Nb摻雜BaSnO3體系結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，均為n型導(dǎo)電材料，在可見(jiàn)光區(qū)透過(guò)率大于80%，且La以及Nb摻雜BaSnO3明顯改善了體系的導(dǎo)電性。計(jì)算結(jié)果為實(shí)驗(yàn)制備n型BaSnO3基透明導(dǎo)電材料提供了理論指導(dǎo)。

    Abstract:

    Based on density functional theory calculations, the stability, the electronic structure and optical properties of La and Nb doped BaSnO3 were investigated. The calculated results reveal that due to the electron doping, the Fermi level shifts into conduction bands and the system shows n-type degenerate semiconductor features. At the same time, the density of states (DOS) of the two systems shift towards low energies and the optical band gaps are broadened. The optical transmittance is higher than 80% in the visible range for La and Nb doped BaSnO3 systems.

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引用本文

譚興毅,高雁軍,陳長(zhǎng)樂(lè),金克新. n型摻雜BaSnO3的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的第一性原理研究[J].稀有金屬材料與工程,2014,43(6):1387~1391.[Tan Xingyi, Gao Yanjun, Chen Changle, Jin Kexin. First-Principles Calculations of Electronic Structure and Optical Properties of n-type Doped BaSnO3[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2014,43(6):1387~1391.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2013-06-29
  • 最后修改日期:
  • 錄用日期:
  • 在線發(fā)布日期: 2014-11-13
  • 出版日期: