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UFeGa5單晶生長及晶體結(jié)構(gòu)研究
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Single Crystal Growth and Crystal Structure of UFeGa5
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    摘要:

    采用鎵自助熔劑的方法生長出了UFeGa5單晶，采用X射線衍射技術(shù)和Rietveld方法對UFeGa5晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。結(jié)果表明：生長出的UFeGa5單晶體結(jié)構(gòu)完整，結(jié)晶性好。UFeGa5具有HoCoGa5型四方結(jié)構(gòu)，空間群為P4/mmm（No.123），其晶格常數(shù)為a= 0.42533(2) nm, c= 0.67298(3) nm，并得到了透射電鏡(TEM)實驗驗證

    Abstract:

    High-quality single crystals of UFeGa5 were grown by the Ga-flux method. The structure of UFeGa5 single crystal was studied by X-ray diffraction and Rietveld method. The results show that the structure of as-grown UFeGa5 single crystal is good and its crystallinity is well. The UFeGa5 has the HoCoGa5 type-structure with space group P4/mmm (No.123). The lattice constants are a=0.42533(2) nm and c=0.67298(3) nm. The crystal structure results are confirmed by transmission electron microscopy

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引用本文

謝東華,賴新春,陳秋云,張延志,徐欽英,羅麗珠. UFeGa5單晶生長及晶體結(jié)構(gòu)研究[J].稀有金屬材料與工程,2014,43(3):646~649.[Xie Donghua, Lai Xinchun, Chen Qiuyun, Zhang Yanzhi, Xu Qinying, Luo Lizhu. Single Crystal Growth and Crystal Structure of UFeGa5[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2014,43(3):646~649.]
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歷史
  • 收稿日期:2013-03-25
  • 最后修改日期:
  • 錄用日期:
  • 在線發(fā)布日期: 2014-06-27
  • 出版日期: