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金屬預(yù)置層后硒化法制備CIGS薄膜的研究進(jìn)展
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國家自然科學(xué)基金(21073029, 51102039, 51211140045)；新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃(NCET-10-0296)；西部之光人才培養(yǎng)計(jì)劃聯(lián)合學(xué)者項(xiàng)目(LHXZ200902)；中國博士后科學(xué)基金(20100481375, 201104640)；中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)(103.1.2 E022050205)


A Review of Selenization of Metal Precursors for the Deposition of CIGS Thin Film
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    摘要:

    系統(tǒng)綜述了國內(nèi)外采用金屬預(yù)置層后硒化法制備Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜的研究進(jìn)展，重點(diǎn)從預(yù)置層制備過程中靶材的選擇、疊層方式以及后硒化過程中硒源種類和硒化方式的選擇等幾個(gè)方面對(duì)各種工藝的優(yōu)點(diǎn)、存在的問題和可能的解決方案進(jìn)行討論，并對(duì)金屬預(yù)置層后硒化法的發(fā)展前景和趨勢進(jìn)行了展望。

    Abstract:

    This paper reviewed the recent development of the Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) layer in terms of the target sources and the layer structures of the as-deposited metallic precursors, the Se-sources and selenization techniques for the post-selenization. The advantages, problems and possible solutions of each technique involved were discussed.

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
    引證文獻(xiàn)
引用本文

王 影,周愛軍,戴新義,馮利東,徐曉輝,杜敬芳,李晶澤.金屬預(yù)置層后硒化法制備CIGS薄膜的研究進(jìn)展[J].稀有金屬材料與工程,2014,43(2):506~512.[Wang Ying, Zhou Aijun, Dai Xinyi, Feng Lidong, Xu Xiaohui, Du Jingfang, Li Jingze. A Review of Selenization of Metal Precursors for the Deposition of CIGS Thin Film[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2014,43(2):506~512.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2013-01-15
  • 最后修改日期:
  • 錄用日期:
  • 在線發(fā)布日期: 2014-06-03
  • 出版日期: