晶向與熱流方向偏離角較大的晶粒逐漸被淘汰,到達(dá)距引晶段底部26 mm處時(shí),<001>取向的晶粒與熱流方向之間的夾角平均值小于10°。螺旋選晶段的主要作用是獲得單一晶粒,其對(duì)晶粒的取向沒(méi)有優(yōu)化作用。螺旋選晶過(guò)程中,靠近螺旋通道外側(cè)的晶粒因受到螺旋通道較強(qiáng)的幾何阻礙逐漸失去生長(zhǎng)空間,而靠近螺旋通道內(nèi)側(cè)的晶粒通常被選為最終的單晶。螺旋選晶段對(duì)晶粒的選擇或淘汰與該晶粒在螺旋通道內(nèi)所處的位置(螺旋通道的內(nèi)側(cè)或外側(cè))有密切關(guān)系,而與晶粒的晶體學(xué)取向沒(méi)有必然聯(lián)系"/>
國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(2010CB631202,2011CB610406);國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(50827102,50931004);中國(guó)博士后科學(xué)基金(201104680)
王 檸,劉 林,高斯峰,趙新寶,張 軍,傅恒志.鎳基單晶高溫合金螺旋選晶過(guò)程的數(shù)值模擬[J].稀有金屬材料與工程,2013,42(12):2558~2562.[Wang Ning, Liu Lin, Gao Sifeng, Zhao Xinbao, Zhang Jun, Fu Hengzhi. Simulation of Grain Selection during Solidification of Ni base Single Crystal Superalloy in Spiral Grain Selector[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2013,42(12):2558~2562.]
DOI:[doi]