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雙層Mo薄膜的制備工藝與性能
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國家自然科學基金（50588201，50872116，51271155）；國際熱核聚變實驗堆（ITER）計劃專項（2011GB112001）；四川省科技計劃項目（2011JY0031, 2011JY0130）；中央高?；究蒲袠I(yè)務費專項資金（SWJTU12CX016, SWJTU11ZT16, SWJTU11ZT31, SWJTU11BR185）


Sputtering Parameters and Properties of Mo Bilayer Thin Films
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    摘要:

    利用直流磁控濺射法在普通鈉鈣玻璃（SLG）襯底上沉積雙層Mo薄膜，對不同條件下沉積的薄膜通過X射線衍射（XRD）儀、掃描電子顯微鏡（SEM）、四探針電阻儀等對其相結構、表面形貌以及電性能進行測試。結果表明：雙層Mo薄膜呈體心立方結構；由于非晶玻璃基底的影響以及沉積時間較短，緩沖層結晶質量差，薄膜表面粗糙，有空洞、裂紋，電阻率大，隨溫度的升高電阻率減小，薄膜表現(xiàn)出半導體的特性。隨著頂層薄膜（濺射工作氣壓0.1 Pa）沉積時間的增加，薄膜厚度增加，結晶性能變好，表面更加平整、致密，總體電阻率變小，導電性能提高，隨溫度的升高電阻率增大，薄膜表現(xiàn)出金屬特性。與單層膜相比，雙層膜具有更低的電阻率，且濺射時間短，厚度薄，能夠降低成本，節(jié)省源材料，更符合CIGS電池背電極的需求

    Abstract:

    Molybdenum (Mo) bilayer thin films were deposited on soda-lime glass using DC magnetron sputtering process. The structure, morphology, and electrical properties of Mo films have been studied by XRD, SEM, four-probe tester, etc. The results show that all bilayer films exhibit a body-centered cubic structure. The buffer layer with rough surface and many defects is initially made on the substrate, whose R-T relationship reflects the characteristics of the semiconductor. The resistivity of the thin film decreases with the top layer’s deposition time increasing. In addition, the R-T relationship of these films shows a metal feature. Compared with the monolayer film, bilayer films have lower resistivity and shorter sputtering time, so it greatly satisfies the requirement of CIGS solar cell back electrode.

    參考文獻
    相似文獻
    引證文獻
引用本文

張艷霞,閆 勇,李莎莎,黃 濤,劉 連,張 勇,趙 勇,余 洲.雙層Mo薄膜的制備工藝與性能[J].稀有金屬材料與工程,2013,42(10):2107~2111.[Zhang Yanxia, Yan Yong, Li Shasha, Huang Tao, Liu Lian, Zhang Yong, Zhao Yong, Yu Zhou. Sputtering Parameters and Properties of Mo Bilayer Thin Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2013,42(10):2107~2111.]
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  • 收稿日期:2012-10-12
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