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寬帶隙n-型半導(dǎo)體CuIn5Se8的熱電性能研究
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國家自然科學(xué)基金（51171084，50871056）；浙江省自然科學(xué)基金（Y4100182）；寧波市自然科學(xué)基金（2011A610093）


Thermoelectric Properties of n-Type Semiconductor CuIn5Se8 with Wide Band Gap
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    摘要:

    利用放電等離子燒結(jié)技術(shù)制備了寬帶隙三元半導(dǎo)體化合物CuIn5Se8，并對其熱電性能進(jìn)行了研究。物相分析表明，化合物為單相CuIn5Se8，帶隙寬度為1.13 eV，比In2Se3合金的低。電學(xué)性能測試結(jié)果表明，隨溫度升高Seebeck系數(shù)絕對值從370.0 μV·K-1降低到263.0 μV·K-1，而電導(dǎo)率則隨溫度迅速增大。在818 K時(shí)，其電導(dǎo)率達(dá)到最大值 2.92′103 W-1·m-1，熱導(dǎo)率為0.50 W·K-1·m-1，最高熱電優(yōu)值ZT值達(dá)到0.33。

    Abstract:

    Wide-gap ternary semiconductor CuIn5Se8 was prepared by the spark plasma sintering technique, and its thermoelectric properties were evaluated at 318~818 K. XRD analysis and band gap measurement indicate that this ternary compound is single phase CuIn5Se8 with its band gap of 1.13 eV, about 0.2 eV smaller than that of In2Se3. The magnitude of Seebeck coefficient decreases from 370.0 to 263.0 mV·K-1, and electrical conductivity increases from 1.44′102 to 2.92′103 W-1·m-1 with the temperature increasing. The thermal conductivity is 0.50 W·K-1·m-1, and the maximum thermoelectric figure of merit ZT is 0.33 at 818 K

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引用本文

周 紅,應(yīng)鵬展,崔教林,王 晶,高榆嵐,李亞鵬,李奕沄.寬帶隙n-型半導(dǎo)體CuIn5Se8的熱電性能研究[J].稀有金屬材料與工程,2013,42(7):1474~1477.[Zhou Hong, Ying Pengzhan, Cui Jiaolin, Wang Jing, Gao Yulan, Li Yapeng, Li Yiyun. Thermoelectric Properties of n-Type Semiconductor CuIn5Se8 with Wide Band Gap[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2013,42(7):1474~1477.]
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歷史
  • 收稿日期:2012-07-17
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