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Li摻雜對Mn-ZnO薄膜結(jié)構(gòu), 電學和磁學性能的影響
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國家自然科學基金（61078057, 11102164, 51172183）；西工大基礎(chǔ)研究基金（JC201155, JC 20110237, JC201048）；航空基金（2011ZF53065）


Effect of Li-Doping on the Structure and Electrical and Magnetic Properties of Mn-ZnO Film
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    摘要:

    利用磁控濺射法在Si（110）基片上制備了Zn0.95-xLixMn0.05O (x=0, 0.05)薄膜，研究了Li摻雜對Mn-ZnO薄膜結(jié)構(gòu)、電學和磁學性能的影響。XRD結(jié)果表明，樣品薄膜具有高度的c軸擇優(yōu)取向，并且沒有發(fā)現(xiàn)其他雜相。AFM表明，Li摻入Mn-ZnO使得薄膜顆粒均勻、質(zhì)地致密?；魻枩y試表明，Li摻入Mn-ZnO使載流子濃度增加，然而沒有改變其n型導電類型。磁性測試表明，Li摻入Mn-ZnO使得室溫鐵磁性增強，可由束縛極化極子（BMP）模型解釋。

    Abstract:

    Zn0.95-xLixMn0.05O (x=0, 0.05) films were deposited on p-Si(110) by magnetron sputtering, and their structure, and electrical and magnetic properties were investigated. X-ray diffraction (XRD) results show that the films prefer the orientation along the c-axis and no second phase is found. The surfaces become smoother and denser with Li substitution.?The?Hall Effect measurement indicates the doping of Li in Mn-ZnO increases the concentration of the carrier without changing the n type conductivity. Li doping increases the magnetic property of the film at room temperature, which could be explained by a bound magnetic polaron model.

    參考文獻
    相似文獻
    引證文獻
引用本文

杜少鵬,趙晨威,羅炳成,邢 輝,金克新,陳長樂. Li摻雜對Mn-ZnO薄膜結(jié)構(gòu), 電學和磁學性能的影響[J].稀有金屬材料與工程,2013,42(6):1306~1309.[Du Shaopeng, Zhao Chenwei, Luo Bingcheng, Xing Hui, Jin Kexin, Chen Changle. Effect of Li-Doping on the Structure and Electrical and Magnetic Properties of Mn-ZnO Film[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2013,42(6):1306~1309.]
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  • 收稿日期:2012-06-15
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