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CVD溫度對鉭沉積層性能的影響
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國家自然科學基金 (50171031);云南省自然科學基金 (2010zc251)


Effect of Chemical Vapor Deposition Temperature on Properties of Tantalum Coatings
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    摘要:

    介紹了化學氣相沉積(CVD)制備難熔金屬鉭涂層的原理及方法。采用冷壁式化學氣相沉積法,在鉬基體上沉積出難熔金屬鉭層。分析研究了CVD溫度對沉積層的沉積速率、組織、結(jié)構(gòu)和硬度等的影響。結(jié)果表明:在1000~1200 ℃溫度范圍,沉積速率隨溫度升高而增大;當溫度超過1200 ℃時,沉積速率隨溫度的升高反而略有減?。怀练e層組織呈柱狀晶并隨溫度的升高逐漸增大;沉積層的硬度及密度隨溫度的升高而逐漸降低?;瘜W氣相沉積鉭的最佳溫度在1100 ℃左右。

    Abstract:

    The principle and method of chemical vapor deposition tantalum were proposed. Through the cold wall deposition, tantalum coatings were deposited on molybdenum substrates. The effect of CVD temperature on deposition rate, microstructure and hardness of Ta coatings was investigated. The results show that with the increasing of the deposition temperature, the deposition rate increases in the range of 1000~1200 °C; above 1200 °C, the deposition rate decreases; the microstructure of the deposition layer is of columnar grain and the grain size increases with the increasing of the deposition temperature. Meanwhile the hardness and density of the deposition layer decreases. The optimal deposition temperature of CVD tantalum layer is about 1100 °C.

    參考文獻
    相似文獻
    引證文獻
引用本文

蔡宏中,魏巧靈,魏 燕,陳 力,鄭 旭,胡昌義. CVD溫度對鉭沉積層性能的影響[J].稀有金屬材料與工程,2012,41(11):2037~2040.[Cai Hongzhong, Wei Qiaoling, Wei Yan, Chen Li, Zheng Xu, Hu Changyi. Effect of Chemical Vapor Deposition Temperature on Properties of Tantalum Coatings[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2012,41(11):2037~2040.]
DOI:[doi]

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  • 收稿日期:2011-11-28
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