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銥薄膜的MOCVD沉積效果研究
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National Natural Science Foundation of China (50171031)


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    摘要:

    以乙酰丙酮銥為前驅(qū)體，采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)在Mo基體上制備Ir薄膜。研究Ir的沉積效果與沉積溫度及反應(yīng)氣體(O2)間的關(guān)系。Ir薄膜的沉積速率與沉積溫度之間的關(guān)系不符合Arrhenius方程，沉積速率與沉積溫度絕對溫度的倒數(shù)呈拋物線關(guān)系，當(dāng)溫度為750 ℃時，Ir的沉積速率達(dá)到最大值，沉積溫度對Ir薄膜的顯微形貌有顯著影響；O2的流量對薄膜的成分、形貌及結(jié)構(gòu)等均有顯著影響

    Abstract:

    Ir films were deposited on molybdenum substrates by MOCVD using iridium tri-acetylacetonate as precursors. The effects of deposition temperature and oxygen on deposition effectiveness of iridium were discussed. The relationship between the deposition rate and the deposition temperature does not accord with Arrhenius formula; however, there exists a parabola relation between them. The deposition rate of iridium will reach maximum at 750 oC. The deposition temperature greatly affects the film properties. The component, the surface morphology and the structure of Ir films will be influenced by the addition of oxygen

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引用本文

蔡宏中,陳 力,魏 燕,胡昌義.銥薄膜的MOCVD沉積效果研究[J].稀有金屬材料與工程,2010,39(2):209~213.[Cai Hongzhong, Chen Li, Wei Yan, Hu Changyi.[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2010,39(2):209~213.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:2009-11-06
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