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半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)界面處Sb/As交換反應(yīng)研究
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國家自然科學(xué)基金項目(50502014)；教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才計劃資助項目(NCET)


Sb/As Exchange at the Interface of Heterostructures
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    摘要:

    利用分子束外延(MBE)技術(shù)，在GaAs襯底上生長了高質(zhì)量的GaAs/GaAsSb超晶格，并通過高分辨X射線衍射(HRXRD)技術(shù)對Sb/As交換反應(yīng)進(jìn)行研究。實驗表明，隨著襯底溫度的升高，Sb解吸附速度增加，在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降。而Sb束流大小和暴露在Sb 束流中的時間對GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影響很小。這說明Sb與GaAs中的As原子的交換反應(yīng)僅發(fā)生在GaAs表層，Sb原子在GaAs中的擴(kuò)散距離很短

    Abstract:

    High quality GaAs/GaAsSb superlattices were grown by molecular beam epitaxy (MBE) and the Sb/As exchange action was characterized by high resolution X-ray diffraction (HRXRD). The Sb desorption from the GaAs surface increases with the increase of substrate temperature, causing a net decrease in Sb composition. The Sb flux and the Sb soak time have no obvious effects on the Sb/As exchange. It is shown that the exchange action was restrained on the surface and the Sb diffusion in GaAs was limited

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引用本文

邱永鑫,李美成,熊 敏,張寶順,劉國軍,趙連城.半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)界面處Sb/As交換反應(yīng)研究[J].稀有金屬材料與工程,2009,38(11):1983~1986.[Qiu Yongxin, Li Meicheng, Xiong Min, Zhang Baoshun, Liu Guojun, Zhao Liancheng. Sb/As Exchange at the Interface of Heterostructures[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2009,38(11):1983~1986.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2008-11-12
  • 最后修改日期:2009-08-19
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  • 出版日期: