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從SiBONC陶瓷粉體中生長(zhǎng)β-SiC納米線
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TB321

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國(guó)家自然科學(xué)基金


Growth of β-SiC Nanowires from SiBONC Nano Powder Compacts
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    摘要:

    通過有機(jī)聚合物先驅(qū)體法使用四氯化硅(SiCl4)、苯甲醛(PhCHO)、烷基胺(RNH2)、三氯化硼(BCl3)為原料,通過有機(jī)-無機(jī)裂解轉(zhuǎn)化制備了SiBONC陶瓷的納米粉體.在對(duì)SiBONC陶瓷粉末坯體進(jìn)行高溫氣壓處理時(shí),發(fā)現(xiàn)在坯體表面生長(zhǎng)出大量β-SiC納米線.通過XRD、FT-IR、SEM、TEM等分析測(cè)試手段分析了該納米線的微觀結(jié)構(gòu)和物相組成,并初步推斷了其生長(zhǎng)機(jī)制.結(jié)果表明:該納米線為結(jié)晶良好的β-SiC,其主要組成元素為Si、C及少量的O;其直徑在20～200 nm之間,其平均長(zhǎng)度在1 mm左右.

    Abstract:

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引用本文

溫廣武,李峰,韓兆祥,白宏偉.從SiBONC陶瓷粉體中生長(zhǎng)β-SiC納米線[J].稀有金屬材料與工程,2008,37(3):561~564.[Wen Guangwu, Li Feng, Han Zhaoxian, Bai Hongwei. Growth of β-SiC Nanowires from SiBONC Nano Powder Compacts[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2008,37(3):561~564.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2007-03-03
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