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錫摻雜量對膠體法制備ITO薄膜光電性能的影響
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TB321

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國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863計劃)


Effect of Sn-Doping Content on the Electrical and Optical Properties of ITO Films by Colloid Method
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    摘要:

    以金屬銦和錫鹽為原料采用膠體法制備Sn摻雜三氧化二銦(ITO)前驅(qū)物漿料,通過提拉法在鍍有SiO2薄層的浮法玻璃基片上制備透明導(dǎo)電ITO薄膜.研究了不同Sn摻雜量5%～20%(質(zhì)量分數(shù),下同)對ITO薄膜光電性能的影響.用分光光度計和四探針電阻儀檢測ITO薄膜,樣品的光電性能,并對其進行X射線衍射分析.結(jié)果表明:當(dāng)Sn摻雜量為10%時薄膜的方電阻最小,為153 Ω/□,不同Sn摻雜的ITO膜均為單一的立方鐵錳礦結(jié)構(gòu);薄膜在可見光區(qū)平均透過率≥82%.基于對不同Sn摻雜量的ITO薄膜XRD數(shù)據(jù)分析,研究了ITO薄膜的結(jié)構(gòu)特性,并討論了薄膜的導(dǎo)電機制.結(jié)果表明:膠體法制備的ITO薄膜的自由載流子主要來源于氧缺位提供的導(dǎo)電電子.通過對ITO薄膜吸收系數(shù)的線性擬合表明,薄膜中自由電子由價帶至導(dǎo)帶的躍遷屬于直接躍遷,且光學(xué)能隙值隨Sn摻雜量的增加呈先增加后減小的趨勢,在Sn摻雜量為15%時為最大值3.65 eV.

    Abstract:

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引用本文

張楠,劉家祥,曾勝男.錫摻雜量對膠體法制備ITO薄膜光電性能的影響[J].稀有金屬材料與工程,2008,37(1):164~168.[Zhang Nan, Liu Jiaxiang, Zeng ShengNan. Effect of Sn-Doping Content on the Electrical and Optical Properties of ITO Films by Colloid Method[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2008,37(1):164~168.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2007-11-30
  • 最后修改日期:2007-11-30
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