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外加電壓對陽極氧化鈦納米陣列結構的影響
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TG146.4

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國家自然科學基金（50371044）;教育部新世紀優(yōu)秀人才資助項目


Effect of Applied Voltage on the Microstructure of Aligned Titania Nanotubes Fabricated by Anodic Oxidation Method
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    采用陽極氧化在鈦基體上原位合成了自組裝有序的納米管TiO2薄膜材料，采用的電解質(zhì)溶液為0．5mol／L NH4HF2＋1mol／LNH4H2PO4水溶液。通過XRD，SEM對TiO2納米管進行表征。研究表明，外加電壓對TiO2薄膜的微觀結構有很大的影響。在外加電壓為20V時，氧化8h可得到長度為2pm，內(nèi)徑為80nm，外徑為100nm的TiO2納米陣列。經(jīng)300℃熱處理后，可得到銳鈦礦型的TiO2。通過對成膜工藝的研究，提出了陽極氧化法制備有序TiO2納米管的成膜機制。

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引用本文

李洪義 白新德 凌云漢 李娟 張岱嵐 王金淑.外加電壓對陽極氧化鈦納米陣列結構的影響[J].稀有金屬材料與工程,2007,36(7):1257~1259.[Li Hongyi, Bai Xinde, Ling Yunhan, Li Juan, Zhang Dailan, Wang Jinshu. Effect of Applied Voltage on the Microstructure of Aligned Titania Nanotubes Fabricated by Anodic Oxidation Method[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(7):1257~1259.]
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  • 最后修改日期:2006-06-27
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