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低壓布里奇曼法CdZnTe晶體生長及其熱應(yīng)力模擬
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TG146.4

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國家自然科學(xué)基金項目(10175040);上海市科委重大項目(03DZl1006);上海市教委基金(02AK30)資助


Thermal Stress Simulation and CdZnTe Crystal Growth by Low Pressure Bridgman Method
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    摘要:

    采用有限元方法,對晶體結(jié)晶結(jié)束位置處的晶體內(nèi)部熱應(yīng)力分布進行了數(shù)值模擬,結(jié)果表明:晶體在石英安瓿內(nèi)壁附近,變徑處以及頭部尖端處的熱應(yīng)力較大,應(yīng)力值約在10^8N/m^2數(shù)量級,晶體中部熱應(yīng)力分布較小且比較均勻,約為10^7N/m^2。為了防止晶體在生長過程中頭部尖端處以及變徑處的位錯延伸至晶體內(nèi)部,提出了在不同生長階段采用不同下降速度,并且在晶體下降至變徑處采用“回熔”操作的新工藝。實驗結(jié)果表明:利用新工藝生長的晶體位錯密度明顯降低,約為2×10^2cm^-2,同時顯著地提高了晶體的利用率。

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引用本文

劉洪濤 桑文斌 袁錚 閔嘉華 詹峰.低壓布里奇曼法CdZnTe晶體生長及其熱應(yīng)力模擬[J].稀有金屬材料與工程,2007,36(6):1016~1019.[Liu Hongtao, Sang Wenbin, Yuan Zheng, Min Jiahua, Zhan Feng. Thermal Stress Simulation and CdZnTe Crystal Growth by Low Pressure Bridgman Method[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(6):1016~1019.]
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  • 最后修改日期:2006-07-31
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