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GaAs／AlAs DBR的GSMBE優(yōu)化生長及表征
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TN304.2

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國家重點基礎研究發(fā)展計劃(“973”計劃)(2003CB314903)


GaAs/AlAs DBR Optimized Growth by GSMBE and Its Characterization
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    摘要:

    采用氣態(tài)源分子束外延（GSMBE）技術(shù)優(yōu)化生長了GaAs／AlAs分布布拉格反射鏡（DBR）材料，并用X射線衍射（XRD）及反射光譜對其生長質(zhì)量進行了表征。結(jié)果表明，采用5S間斷生長的GaAs／AlAs DBR材料質(zhì)量和界面質(zhì)量優(yōu)于無間斷生長，并且10對GaAs／AlAs DBR的質(zhì)量優(yōu)于30對，說明DBR對數(shù)越多，周期厚度波動越大，材料質(zhì)量越差。優(yōu)化生長得到的30對GaAs／AlAsDBR的反射率大于99％，中心波長為1316nm，與理論設計結(jié)構(gòu)的模擬結(jié)果基本一致，可用作1．3μm垂直腔面發(fā)射激光器（VVSEL）直接鍵合的反射腔鏡。

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    參考文獻
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引用本文

謝正生,吳惠楨,勞燕鋒,劉成,曹萌. GaAs／AlAs DBR的GSMBE優(yōu)化生長及表征[J].稀有金屬材料與工程,2007,36(4):587~591.[Xie Zhengsheng, Wu Huizhen, Lao Yanfeng, Liu Cheng, Cao Meng. GaAs/AlAs DBR Optimized Growth by GSMBE and Its Characterization[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(4):587~591.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2006-08-16
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