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采用動(dòng)態(tài)蒙特卡羅（kinetic Monte Carlo，簡(jiǎn)稱KMC）方法研究物理氣相沉積（physical vapor deposition，簡(jiǎn)稱PVD）制備Ni薄膜過程中入射角度對(duì)薄膜微觀結(jié)構(gòu)的影響。該KMC模型中既包括入射原子與表面之間的碰撞，又包括被吸附原子的擴(kuò)散。模擬中用動(dòng)量機(jī)制確定被吸附原子在表面上的初始構(gòu)型，用分子穩(wěn)態(tài)（molecular statics，簡(jiǎn)稱MS）計(jì)算方法計(jì)算擴(kuò)散模型中躍遷原子的激活能。對(duì)于模擬結(jié)果，采用表面粗糙度和堆積密度作為沉積構(gòu)型評(píng)價(jià)指標(biāo)。研究結(jié)果表明：當(dāng)沉積速率是5μm／min，基板溫度是300K和500K時(shí)，表面粗糙度和堆積密度曲線在入射角度等于35°時(shí)出現(xiàn)拐點(diǎn)；入射角度小于35°時(shí)，入射角度增大對(duì)表面粗糙度增加和堆積密度減小的影響很少；但是入射角度大于35°時(shí)，隨入射角度增大表面粗糙度迅速增加、堆積密度迅速減小。另外，當(dāng)基板溫度是300K時(shí)，入射角度對(duì)薄膜微觀結(jié)構(gòu)的影響程度大于基板溫度為500K時(shí)的影響程度。說明高基板溫度促使原子更加充分地?cái)U(kuò)散，從而能削弱自陰影效應(yīng)的作用。但是，在保證足夠高基板溫度和合理沉積速率的情況下，入射角度過大同樣不利于致密結(jié)構(gòu)形成。