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表面損傷層對Hg1-xMnxTe晶片電學(xué)參數(shù)的影響
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TN304.7 TN307

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國家自然科學(xué)基金資助項目（50336040）


Effect of Surface Damaged Layers on the Electronic Properties of Hg1-xMnxTe Wafers
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    摘要:

    采用范德堡法在77K下對多個Hg1-xMnxTe晶片化學(xué)拋光前后的電學(xué)性能進行了Hall測量。結(jié)果發(fā)現(xiàn)：與化學(xué)拋光后所測值相比，拋光前所測得的電阻率和霍爾系數(shù)值相對較小，而霍爾遷移率和載流子濃度相對較大，其中電阻率和霍爾遷移率在化學(xué)拋光前后變化幅度分別高達(dá)25％和31％，而霍爾系數(shù)和載流子濃度的變化幅度只有2％左右?；瘜W(xué)拋光前，晶片表面損傷層內(nèi)存在大量位錯，對載流子的遷移造成散射，使得損傷層中的霍爾遷移率降低，但化學(xué)拋光前所測得的霍爾遷移率反而比拋光后的大，增幅最小的也達(dá)到了21％。本研究在3層模型的基礎(chǔ)上，通過理論分析和計算，對這一反?，F(xiàn)象以及化學(xué)拋光前后其它電學(xué)參數(shù)的變化進行了解釋。

    Abstract:

    Electronic properties of several Hg1-xMnxTe wafers before and after chemical polish were characterized by Van Der Pauw method at 77 K. Results showed that values of resistivity and Hall coefficient of the wafers before etching are lower than those after etching, while Hall mobility and carrier density were higher. The maximum of resistivity decreased by 25%, the maximum of Hall mobility increased by 31%, but Hall coefficient and carrier density changed only by about 2% before and after etching. There existed a lot of dislocations in surface damaged layer, resulting in the decrease of Hall mobility of charge carrier, but the values of Hall mobility of wafers before chemical polish were higher, the minimum of which increased by 21%. It is a abnormal phenomena. All the experimental results can be explained using a three-layer model.

    參考文獻
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    引證文獻
引用本文

王澤溫 介萬奇 李培森 谷智 劉長友 李強 查鋼強 汪曉芹.表面損傷層對Hg1-xMnxTe晶片電學(xué)參數(shù)的影響[J].稀有金屬材料與工程,2007,36(3):390~393.[Wang Zewen, Jie Wanqi, Li Peisen, Gu Zhi, Liu Changyou, Li Qiang, Zha Gangqiang, Wang Xiaoqin. Effect of Surface Damaged Layers on the Electronic Properties of Hg1-xMnxTe Wafers[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(3):390~393.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2006-01-13
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