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GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生長(zhǎng)與發(fā)光特性
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中圖分類號(hào):

TN304.055

基金項(xiàng)目:

國(guó)家自然科學(xué)基金（50272019）及國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃（“863”計(jì)劃）項(xiàng)目資助（2003AA305860）


MBE Growth and Luminescence Property of GaSb Thin Film Based on GaAs
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    摘要:

    研究了用分子束外延（MBE）在GaAs襯底上生長(zhǎng)GaSb薄膜的工藝。為了減小因晶格失配度較大所引起的位錯(cuò)密度，采用低溫GaSb作為緩沖層，有效降低了外延層中的位錯(cuò)密度，提高了晶體質(zhì)量。通過(guò)X射線雙晶衍射儀和原子力顯微鏡測(cè)試分析，得到低溫GaSb緩沖層的優(yōu)化生長(zhǎng)參數(shù)：厚度為20nm，生長(zhǎng)速率為1．43μm／h，Ⅴ／Ⅲ束流比為2．0。并在此基礎(chǔ)上研究了GaSb薄膜的發(fā)光特性：GaSb薄膜的光致發(fā)光光譜主要由束縛激子（BE4）和施主-受主對(duì)（D-A）輻射復(fù)合發(fā)光峰組成，在50K時(shí)其發(fā)光峰強(qiáng)度最強(qiáng)，半峰寬最窄。

    Abstract:

    參考文獻(xiàn)
    相似文獻(xiàn)
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引用本文

熊麗 李美成 邱永鑫 張保順 李林 劉國(guó)軍 趙連城. GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生長(zhǎng)與發(fā)光特性[J].稀有金屬材料與工程,2007,36(2):339~343.[Xiong Li, Li Meicheng, Qiu Yongxin, Zhang Baoshun, Li Lin, Liu Guojun, Zhao Liancheng, Weihai, China;. Harbin Institute of Technology, Harbin, China;. Changchun University of Science, Technology, Changchun, China). MBE Growth and Luminescence Property of GaSb Thin Film Based on GaAs[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(2):339~343.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2005-11-30
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