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用恒電位電化學(xué)沉積法，嘗試在氧化鋁模板納米孔內(nèi)制備超長(zhǎng)銅納米線。透射電子顯微鏡（TEM）和掃描電子顯微鏡（SEM）分析結(jié)果表明：在較低的沉積電位下，納米線表面較為光滑且呈現(xiàn)條紋結(jié)構(gòu)，直徑均勻，大約100nm，線長(zhǎng)可達(dá)40-50μm，放置一段時(shí)間后離解成顆粒狀；較高沉積電位下，納米線的邊緣粗糙不平，主要由晶粒連接而成，晶粒之間有空隙存在。金屬納米線的生長(zhǎng)實(shí)際上是金屬顆粒的堆積過程，金屬原子之間無較強(qiáng)的化學(xué)鍵存在。由X射線衍射（XRD）、高分辨透射電子顯微鏡（HRTEM）分析得知，低電位下所得納米線為單晶結(jié)構(gòu)，沿[111]方向生長(zhǎng)，而高電位下則出現(xiàn)了孿晶結(jié)構(gòu)。