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乙醇鉭化學氣相沉積制備Ta2O5薄膜研究進展
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中圖分類號:

TG154.5

基金項目:

國家自然科學基金(50404011);國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃項目(2007AA03Z425);中國博士后科學基金(20040350187)


Recent Progress in Preparation of Ta2O5 Film by CVD Using Ta(OC2H5)5 as Precursor
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    摘要:

    Ta2O5薄膜層具有較高的介電常數(shù)、折射率以及和ULSI加工過程中的相容性，因而將在硅芯片柵層材料、動態(tài)隨機存儲器、減反膜、氣敏傳感器、太陽能光伏電池面板介電層等方面得到應用。對以Ta（OC2H5）5為原料，通過常規(guī)金屬有機化合物氣相沉積、光致化學氣相沉積、等離子增強化學氣相沉積、原子層化學氣相沉積和脈沖化學氣相沉積法制備Ta2O5薄膜進行了評述，并對這些方法存在的問題進行了分析。

    Abstract:

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    引證文獻
引用本文

楊聲海,劉銀元,邱冠周,唐謨堂.乙醇鉭化學氣相沉積制備Ta2O5薄膜研究進展[J].稀有金屬材料與工程,2007,36(12):2075~2079.[. Recent Progress in Preparation of Ta2O5 Film by CVD Using Ta(OC2H5)5 as Precursor[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(12):2075~2079.]
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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2007-01-09
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