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采用射頻磁控濺射法制備了TbCo非晶垂直磁化膜，并就制備工藝及參數(shù)對其磁各向異性能的影響進行了研究。結(jié)果表明：磁性層組分、濺射氣壓、基片偏壓以及后退火溫度對TbCo非晶垂直磁化膜的磁各向異性能都有不同程度的影響。當Tb含量為30％左右，或濺射氣壓為0.53Pa時，TbCo薄膜的磁各向異性能Ku會呈現(xiàn)極大值。基片偏壓超過-60V以后，TbCo薄膜虬值開始顯著上升，但超過-120V以后，Ku值開始趨向飽和。200℃以上真空退火會使TbCo薄膜磁各向異性能凰值明顯下降。產(chǎn)生這些現(xiàn)象的原因與薄膜微觀結(jié)構(gòu)的改變有關(guān)。