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脈沖偏壓對電弧離子鍍非晶氧化鈦薄膜性能的影響
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TG174

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國家自然科學基金資助項目(50390060)


Effect of Pulsed Bias on the Properties of Amorphous Titanium Dioxide Films by Arc Ion Plating
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    用脈沖偏壓電弧離子鍍技術在玻璃基片上制備均勻透明的氧化鈦薄膜,通過改變脈沖偏壓幅值,考察其對氧化鈦薄膜性能的影響。結果表明,沉積態(tài)薄膜為非晶態(tài);脈沖偏壓對薄膜性能有明顯的影響。隨偏壓的增加,薄膜厚度、硬度和彈性模量均先增大后減小,前者峰值出現(xiàn)在-100-200V負偏壓范圍,后兩者則在-150~250v范圍:-300v偏壓時的薄膜硬度最高;達到原子級表面光滑度,RRMs為0.113nm,薄膜折射率也最高,在λn=550nm達到已有報道的最高值2.51,此時薄膜具有最好的綜合性能。文中對脈沖偏壓對薄膜性能的影響機理也進行了分析。

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引用本文

張敏,林國強,董闖,聞立時.脈沖偏壓對電弧離子鍍非晶氧化鈦薄膜性能的影響[J].稀有金屬材料與工程,2007,36(11):1909~1914.[. Effect of Pulsed Bias on the Properties of Amorphous Titanium Dioxide Films by Arc Ion Plating[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(11):1909~1914.]
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  • 最后修改日期:2007-05-24
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