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二氧化鈦納米管陣列電極的光電化學(xué)性能研究
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中圖分類(lèi)號(hào):

O649

基金項(xiàng)目:

國(guó)家自然科學(xué)基金（50271046）;教育部博士點(diǎn)基金（20030056034）


Photoelectrochemical Properties of TiO2 Nanotube Arrays Electrodes
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    摘要:

    采用陽(yáng)極氧化法在鈦片上制備了垂直排列的TiO2納米管陣列，利用SEMXRD對(duì)納米管陣列的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，并通過(guò)電化學(xué)交流阻抗譜、光照開(kāi)路電位譜和瞬態(tài)光電流譜技術(shù)對(duì)納米管陣列電極的光電化學(xué)特性進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，TiO2納米管的內(nèi)徑約為90nm，管壁約為10nm，納米管陣列厚度約為500nm，經(jīng)600℃退火處理后，轉(zhuǎn)變?yōu)殇J鈦礦型與金紅石型的混晶結(jié)構(gòu)。光電測(cè)試結(jié)果表明，隨著退火溫度升高，TiO2納米管陣列電極的界面電荷轉(zhuǎn)移電阻減小，光電流逐漸增大，光照開(kāi)路電壓增大，至600℃達(dá)到最大，當(dāng)退火溫度繼續(xù)升高，電極的光電性能急劇下降。與TiO2納米多孔膜電極相比，光電性能顯著提高，這主要?dú)w因于TiO2納米管陣列更大的孔隙率和比表面積。

    Abstract:

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    引證文獻(xiàn)
引用本文

李賀 姚素薇 張衛(wèi)國(guó) 王宏智 賁宇恒.二氧化鈦納米管陣列電極的光電化學(xué)性能研究[J].稀有金屬材料與工程,2007,36(10):1749~1753.[Li He, Yao Suwei, Zhang Weiguo, Wang Hongzhi, Ben Yuheng. Photoelectrochemical Properties of TiO2 Nanotube Arrays Electrodes[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(10):1749~1753.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2006-10-16
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