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厚膜P型宏孔多孔硅陽極氧化電流優(yōu)化
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TN405.95

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Optimization of Anodic Current Density for Growth of Thickp-type Macropore Porous Silicon
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    采用電化學腐蝕的方法成功地制備了厚膜p型宏孔多孔硅。氫氟酸和二甲基甲酰胺按體積比1：4組成電化學腐蝕的溶液。通過在不同條件下制備的多組樣品，得出了多孔硅生長速度與電流密度以及腐蝕厚度與腐蝕時間的函數關系。通過ESEM對所制樣品進行了表面的截面形貌分析，得出30mA/cm^2-50mA/cm^2的陽極電流密度是制備高質量厚膜p型宏孔多孔硅的最佳條件。

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引用本文

楊利 張國艷 周毅 廖懷林 黃如 張興 王陽元.厚膜P型宏孔多孔硅陽極氧化電流優(yōu)化[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(9):1501~1503.[Yang Li, Zhang Guoyan, Zhou Yi, Liao Huailin, Huang Ru, Zhang Xing, Wang Yangyuan. Optimization of Anodic Current Density for Growth of Thickp-type Macropore Porous Silicon[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(9):1501~1503.]
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  • 收稿日期:2005-08-14
  • 最后修改日期:2005-08-14
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