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堿性化學鍍銅以及酸、堿結(jié)合化學鍍銅方法研究
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TG153.1

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Study on Alkaline and Acid-Alkaline Chemical Plating of Cu
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    摘要:

    討論了堿性化學鍍銅成分中CuSO4、還原劑HCHO以及NaOH的濃度對化學鍍效果的影響，得到了適合超大規(guī)模集成電路銅金屬化的化學鍍?nèi)芤撼煞帧Ｈ缓笱芯苛怂嵝院蛪A性化學鍍銅結(jié)合方法在銅布線制造辦面的應用。首先采用分離酸性化學鍍方法在TiNi／Ti／SiO2／Si基板的TiN進行化學鍍，制造一層銅籽晶層，向后采用堿性化學鍍銅方法制造銅膜。通過對化學鍍銅膜形貌和結(jié)晶方面的研究發(fā)現(xiàn)：籽晶層對銅膜最終形貌和擇優(yōu)取向有較人的影響。

    Abstract:

    In this paper the influence of CuSO4, HCHO and NaOH concentrations on the alkaline chemical plating of Ca is discussed and an applicable plating solution for the fabrication of copper interconnect tfor ULSI is then derived. The application of acid-alkaline combined chemical plating of Ca to ULSI interconnect is studied. At first the acid chemical plating of Cu is employed to fabricate the copper seed layer on TiN barrier, and then the alkaline chemical plating of Cu is followed to achieve Cu films. Through the study, we find that the morphology and crystallography orthe seed layer has an important effect on the as-deposited Cu films.

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    引證文獻
引用本文

鐘聲 李厚民 楊志剛 王靜.堿性化學鍍銅以及酸、堿結(jié)合化學鍍銅方法研究[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(9):1428~1431.[Zhong Sheng, Li Houmin, Yang Zhigang, Wang Jing. Study on Alkaline and Acid-Alkaline Chemical Plating of Cu[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(9):1428~1431.]
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  • 收稿日期:2005-09-28
  • 最后修改日期:2005-09-28
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