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高性能HfAlO介質薄膜的制備
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TN304

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Preparation of High-Quality Hf-Aluminate Films by EB-PVD
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    利用超高真空電子束蒸發(fā)法制備了可替代SiO2作為柵介質的HfAlO膜.薄膜的化學組成為(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火處理后仍然呈現(xiàn)非晶狀態(tài),而且表面平滑.介電常數(shù)為12.7,等效氧化物厚度2 nm,固定電荷密度4×1012cm-2,2 C柵偏壓下漏電流為0.04 m A/cm2.后退火處理能有效降低固定電荷密度和泄漏電流密度,但會造成界面SiO2的生長.

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引用本文

程新紅 宋朝瑞 俞躍輝.高性能HfAlO介質薄膜的制備[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(8):1192~1194.[Cheng Xinhong, Song Zhaorui, Yu Yuehui. Preparation of High-Quality Hf-Aluminate Films by EB-PVD[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(8):1192~1194.]
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歷史
  • 收稿日期:2005-05-19
  • 最后修改日期:2005-05-19
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  • 出版日期: