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Si/C/N納米微波吸收劑的制備
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TG24

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國家自然科學(xué)基金（90305016）及航空科學(xué)基金（02G53045）資助項目


Preparation of Nano-Sized Si/C/N Microwave Absorber
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    摘要:

    采用化學(xué)氣相沉積方法,在1200℃～1600℃溫度范圍內(nèi),于不同的NH3流量條件下,合成了Si/C/N納米粉體,研究了粉體的制備工藝、成分、相組成與其微波介電性能之間的關(guān)系.結(jié)果表明：NH3流量增加,粉體中N含量升高,隨著合成溫度的提高,粉體的晶化程度增強,主要為β-SiC相.在SiC晶格中固溶有N原子,且N原子的固溶量隨合成溫度升高而減少.Si/C/N納米粉體中SiC微晶含量,以及SiC微晶中固溶的N原子濃度對粉體的ε＇,ε（＂）和損耗因子tgδ（ε＂/ε＇）起著重要作用.N原子固溶所導(dǎo)致的極化馳豫損耗和漏導(dǎo)損耗是Si/C/N納米粉體具有吸波性能的主要機理.

    Abstract:

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引用本文

劉曉魁 周萬城 羅發(fā) 朱冬梅. Si/C/N納米微波吸收劑的制備[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(7):1135~1138.[Liu Xiaokui, Zhou Wancheng, Luo Fa, Zhu Dongmei. Preparation of Nano-Sized Si/C/N Microwave Absorber[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(7):1135~1138.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2005-04-20
  • 最后修改日期:2005-07-08
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