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一種新的β二酮銥MOCVD前驅(qū)體的制備及成膜性能
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中圖分類(lèi)號(hào):

TG146.3

基金項(xiàng)目:

航空基礎(chǔ)科學(xué)基金資助（00G53066）


A New Precursor for Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Iridium Thin Films
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    摘要:

    從銥鹽和配體2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮（thd）出發(fā)合成了一種新的β二酮前驅(qū)體Ir（thd）3,通過(guò)元素分析、紅外光譜、核磁共振氫譜等手段對(duì)合成的前驅(qū)體進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征.熱重分析表明,當(dāng)溫度升到290℃,前驅(qū)體基本揮發(fā)完全.使用合成的前驅(qū)體通過(guò)MOCVD沉積制備銥薄膜,利用XRD和AFM分析手段對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行了表征.結(jié)果表明,所得到的薄膜的物相為銥晶相,無(wú)其它的雜質(zhì)峰存在,薄膜表面連續(xù)、致密.

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引用本文

閻鑫 張秋禹 范曉東.一種新的β二酮銥MOCVD前驅(qū)體的制備及成膜性能[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(7):1129~1131.[Yan Xin, Zhang Qiuyu, Fan Xiaodong. A New Precursor for Metal Organic Chemical Vapor Deposition of Iridium Thin Films[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(7):1129~1131.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2005-04-30
  • 最后修改日期:2005-04-30
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  • 出版日期: