最新色国产精品精品视频,中文字幕日韩一区二区不卡,亚洲有码转帖,夜夜躁日日躁狠狠久久av,中国凸偷窥xxxx自由视频

+高級檢索
襯底溫度對PLD方法生長Si（111）基ZnO薄膜結(jié)晶質(zhì)量和發(fā)光特性的影響
DOI:
作者:
作者單位:

作者簡介:

通訊作者:

中圖分類號:

TN304.21 O484.1

基金項目:

國家自然科學基金資助（90301002;90201025）


Effects of Substrate Temperatures on the Quality and Optical Properties of ZnO Thin Films Grown on Silicon (111) by P LD
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
    • |
  • 圖/表
    • |
  • 訪問統(tǒng)計
    • |
  • 參考文獻
    • |
  • 相似文獻
    • |
  • 引證文獻
    • |
  • 資源附件
    • |
  • 文章評論
    摘要:

    在不同襯底溫度下用脈沖激光沉積法（PLD）在n型硅（111）襯底上生長ZnO薄膜.通過對薄膜進行的X射線衍射（XRD）、傅里葉紅外吸收（FTIR）、光致發(fā)光譜（PL）、透射電子顯微鏡（TEM）和選區(qū)電子衍射（SAED）的測量,研究了襯底溫度對PLD方法制備的ZnO薄膜的結(jié)晶質(zhì)量、發(fā)光性質(zhì)以及微觀結(jié)構(gòu)的影響.發(fā)現(xiàn)在600℃的襯底溫度下可以得到結(jié)晶質(zhì)量最佳的ZnO薄膜.隨著晶粒直徑的減小,出現(xiàn)量子限制效應,在紅外吸收和光致發(fā)光中的峰位均產(chǎn)生了藍移.

    Abstract:

    參考文獻
    相似文獻
    引證文獻
引用本文

莊惠照 何建廷 薛成山 張曉凱 田德恒 胡麗君 薛守斌.襯底溫度對PLD方法生長Si（111）基ZnO薄膜結(jié)晶質(zhì)量和發(fā)光特性的影響[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(7):1105~1108.[Zhuang Huizhao, He Jianting, Xue Chengshan, Zhang Xiaokai, Tian Deheng, Hu Lijun, Xue Shoubin. Effects of Substrate Temperatures on the Quality and Optical Properties of ZnO Thin Films Grown on Silicon (111) by P LD[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(7):1105~1108.]
DOI：[doi]

復制
文章指標
  • 點擊次數(shù):
  • 下載次數(shù):
  • HTML閱讀次數(shù):
  • 引用次數(shù):
歷史
  • 收稿日期:2005-05-17
  • 最后修改日期:2005-09-28
  • 錄用日期:
  • 在線發(fā)布日期:
  • 出版日期: