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高密度高導(dǎo)電性ITO靶研制
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中圖分類(lèi)號(hào):

TF124 TF123

基金項(xiàng)目:

國(guó)防科工委預(yù)研科學(xué)基金資助（413100202）


Manufacture of ITO Target with High Density and High Conductivity
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    摘要:

    采用化學(xué)共沉淀法摻金屬Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(IndiumTinOxide)靶相對(duì)密度達(dá)到97%~99%,并且靶電阻率小于3.0×10-4??cm,其質(zhì)量損失率小于4.0%。采用直接摻雜法將TiO2納米粉末摻入到納米ITO粉末中可使ITO靶相對(duì)密度達(dá)到95%以上。當(dāng)燒結(jié)溫度為l500℃時(shí),摻Nb,Ta,P的ITO靶電阻率稍小于純ITO靶的電阻率。

    Abstract:

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    相似文獻(xiàn)
    引證文獻(xiàn)
引用本文

張維佳,王天民,崔敏,金飛,丁照崇,閻蘭琴.高密度高導(dǎo)電性ITO靶研制[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(7):1021~1024.[Zhang Weijia, Wang Tianmin, Cui Min, Jin Fei, Ding Zhaochong, Yan Lanqin. Manufacture of ITO Target with High Density and High Conductivity[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(7):1021~1024.]
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歷史
  • 收稿日期:2005-04-22
  • 最后修改日期:2006-03-30
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  • 在線(xiàn)發(fā)布日期:
  • 出版日期: