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脈沖激光沉積技術制備IrO2薄膜的研究
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TG146.4

基金項目:

湖北省國際合作重點項目、武漢理工大學科學研究基金（2003XJJ194）、武漢理工大學博士科研啟動費（451-35100149）資助.


Preparation of IrO2 Thin Films by Pulsed Laser Deposition
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    利用脈沖激光沉積(PLD)技術,在Si(100)襯底上制得了導電氧化銥(IrO2)薄膜.討論了沉積參數(shù)(O2分壓、襯底溫度)對IrO2薄膜的結構、表面形貌和導電性的影響.結果表明20 Pa為最佳O2分壓、400℃～500℃為適宜的沉積溫度,此條件下制得的IrO2薄膜結晶完整,組織均勻、形狀一致,排列致密,其最低電阻率約為42μΩ·cm.

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引用本文

夏明祥 王傳彬 公衍生 沈強 張聯(lián)盟.脈沖激光沉積技術制備IrO2薄膜的研究[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(5):820~823.[Xia Mingxiang, Wang Chuanbin, Gong Yansheng, Shen Qiang, Zhang Lianmeng. Preparation of IrO2 Thin Films by Pulsed Laser Deposition[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(5):820~823.]
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歷史
  • 收稿日期:2005-02-05
  • 最后修改日期:2005-04-25
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  • 出版日期: