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采用化學共沉淀法制備納米級氧化銦錫復合粉體前驅物,煅燒得到納米級氧化銦錫(ITO)復合粉體,用TG-DTA,XRD,TEM,ICP-AES,XRF和BET研究了納米級ITO復合粉體的性能。前驅物銦錫氫氧化物的分解溫度為291.5℃,300℃下燒結即可得到立方結構的ITO結晶粉體,Sn嵌入到In2O3晶格中,形成單相的ITO固溶體顆粒。隨著溫度的升高,ITO固溶體顆粒結晶更完全,晶粒長大。前驅物銦錫氫氧化物分別在600℃,800℃和900℃煅燒4h得到粒度均勻、分散性好、粒徑為20nm~30nm的類球形ITO復合粉體。600℃煅燒得到的ITO復合粉體的純度為99.995%,配比為In2O3:90.045%,SnO2:9.955%,比表面積為50.88m2/g。該粉體燒結活性高,將該粉體用簡單的燒結工藝在1000℃燒制的ITO靶材相對理論密度達到99.25%。