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MOCVD制備的Pt/C薄膜的結(jié)構(gòu)與性能研究
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中圖分類號(hào):

TB383.2

基金項(xiàng)目:

國家自然科學(xué)基金(50171031)，云南省人才培引計(jì)劃(2003PY10)，云南省自然科學(xué)基金(2004E0064M)


Structure and Properties of Pt/C Films Prepared by MOCVD
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    摘要:

    以乙酰丙酮鉑為前驅(qū)體,采用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法在石英及YSZ基體上制備Pt/C薄膜,研究了Pt/C薄膜的結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性能。沉積過程中通入一定量的氧氣可以大幅降低Pt/C薄膜中的含C量,含C較高的Pt/C薄膜的XRD譜線低而寬,具有非晶態(tài)衍射特征。在500℃測(cè)量溫度下,以Pt/C薄膜為電極的YSZ氧氣濃差電池的電動(dòng)勢(shì)及電流輸出高于傳統(tǒng)的Pt電極。

    Abstract:

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引用本文

胡昌義,戴姣燕,方穎,歐陽遠(yuǎn)良,閆革新,劉偉平,程勇. MOCVD制備的Pt/C薄膜的結(jié)構(gòu)與性能研究[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(4):546~549.[Hu Changyi, Dai Jiaoyan, Fang Ying, Oyang Yuanliang, Yan Gexin, Liu Weiping, Cheng Yong. Structure and Properties of Pt/C Films Prepared by MOCVD[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(4):546~549.]
DOI：[doi]

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  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:2005-01-04
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