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以磁控濺射＋自組裝反應(yīng)方式制備GaN薄膜
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TN304.23 TN304.05

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國家自然科學(xué)基金資助項目（90201025,90301002）


Preparation of GaN Films with the Method of Magnetron Sputtering + Self-Assembly Reaction Mode
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    摘要:

    為了用簡單的方法得到GaN薄膜，以射頻磁控濺射方法將Ga2O3薄膜沉積到Si（111）襯底上的SiC中間層上，通過其同NH3的自組裝反應(yīng)形成了GaN薄膜。同樣，利用磁控濺射方法把SiC層沉積到Si襯底。其目的是為了緩沖由GaN外延層和Si襯底的晶格失配造成的應(yīng)力。為了比較中間層的作用，對按照兩種方案（使用中間層和不使用中間層）實驗樣品進行了測試和比較。實驗結(jié)果證實了SiC中間層提高了GaN薄膜的質(zhì)量。

    Abstract:

    Ga2O3 films were deposited onto Si(111)substrates with radio frequency(r.f.)magnetron sputtering system.They self-assembled into GaN films after reacted with ammonia.The lattice mismatch between substrates and epitaxy layer affects the films' quality.In order to optimize the films,thin SiC films as intermediate layers also deposited onto the substrate with magnetron sputtering.The samples intermediate were compared.The results indicate intermediate layer's positive effect to GaN films.

    參考文獻
    相似文獻
    引證文獻
引用本文

薛成山 董志華 莊惠照 王書運 高海永 田德恒 吳玉新.以磁控濺射＋自組裝反應(yīng)方式制備GaN薄膜[J].稀有金屬材料與工程,2006,35(3):463~466.[Xue Chengshan, Dong Zhihua, Zhuang Huizhao, Wang Shuyun, Gao Haiyong, Tian Deheng, Wu Yuxin. Preparation of GaN Films with the Method of Magnetron Sputtering + Self-Assembly Reaction Mode[J]. Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(3):463~466.]
DOI：[doi]

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歷史
  • 收稿日期:2004-12-13
  • 最后修改日期:2005-03-09
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